研磨垫制造技术

本实用新型专利技术的目的在于提供一种可同时实现缩短加工时间与防止被研磨体的损伤的研磨垫。本实用新型专利技术是一种具有基材、及层叠于其表面侧的研磨层的研磨垫，所述研磨层具有树脂制的粘合剂及分散于该粘合剂中的研磨粒，所述研磨粒的平均粒径为2μm以上且45μm以下，所述粘合剂的D型硬度计硬度为60以上且88以下，所述研磨层在表面具有多个凸状部，所述凸状部的平均面积为0.5mm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨垫
本技术涉及一种研磨垫(polishingpad)。
技术介绍
近年来，硬盘(harddisk)等电子机器的精密化不断发展。作为此种电子机器的基板材料，考虑能够应对小型化或薄型化的刚性、耐冲击性及耐热性而使用玻璃(glass)等。在使用玻璃作为基板的情况下，有时会因表面的伤痕而显著损及机械强度。因此，在基板的加工时必须防止基板的损伤。在此种基板(被研磨体)的加工时，通常使用固定研磨粒的研磨垫，为了防止被研磨体的损伤，例如设法研究研磨垫的研磨层的形状、研磨层所含有的研磨粒粒径等(例如参照日本专利特开2009-72832号公报)。为了防止被研磨体的损伤，该研磨垫使用粒径小于3μm的相对较小的研磨粒。但是，由于粒径小，故而必须延长加工时间，从而要求生产效率的改善。现有技术文献专利文献专利文献1日本专利特开2009-72832号公报
技术实现思路
技术所要解决的问题本技术是基于如上所述的情况而完成，其目的在于提供一种可同时实现缩短加工时间与防止被研磨体的损伤的研磨垫。解决问题的技术手段本专利技术人进行努力研究，结果发现，通过设法研究研磨层的形状及使研磨粒分散的粘合剂(binder)的硬度，即便研磨粒的粒径为3μm以上也可防止被研磨体的损伤，从而完成了本技术。即，为了解决所述课题而完成的技术是一种具有基材、及层叠于其表面侧的研磨层的研磨垫，所述研磨层具有树脂制的粘合剂及分散于该粘合剂中的研磨粒，所述研磨粒的平均粒径为2μm以上且45μm以下，所述粘合剂的D型硬度计(durometerD)硬度为60以上且88以下，所述研磨层在表面具有多个凸状部，所述凸状部的平均面积为0.5mm2以上且13mm2以下，所述多个凸状部相对于所述研磨层整体的面积占有率为5％以上且40％以下。该研磨垫由于粘合剂的D型硬度计硬度为所述范围内，故而研磨层具有适度的弹性。另外，该研磨垫由于在研磨层的表面具有多个凸状部，该凸状部的平均面积为所述范围内，且所述多个凸状部相对于所述研磨层整体的面积占有率为所述范围内，故而可一面防止被研磨体的损伤，一面对被研磨体进行研磨。利用所述研磨层的适度的弹性与防止损伤的效果，该研磨垫可使研磨粒的平均粒径成为所述范围内，因此可同时实现缩短加工时间与防止被研磨体的损伤。所述研磨粒可为金刚石(diamond)研磨粒。通过如此所述研磨粒为金刚石研磨粒，可获得高研磨效率，进而可谋求加工时间的缩短。构成所述粘合剂的组合物可以热硬化性环氧树脂作为主成分。通过如此构成所述粘合剂的组合物以热硬化性环氧树脂作为主成分，可使热硬化后的粘合剂的D型硬度计硬度容易地成为所述范围内。所述多个凸状部的形状可有规则地排列。通过如此有规则地排列所述多个凸状部的形状，可降低研磨的各向异性(anisotropy)，容易使被研磨面平坦化。可在所述基材的背面侧具有接着层。通过如此在所述基材的背面侧具有接着层，可容易且确实地固定于用以将研磨垫安装于研磨装置的支持体。所述接着层可由粘着剂构成。通过如此所述接着层由粘着剂构成，可将研磨垫自支持体剥离并重新贴合，因此容易将研磨垫及支持体再利用。为了解决所述课题而完成的另一技术是一种具有基材、及层叠于其表面侧的研磨层的研磨垫的制造方法，包括通过涂布研磨层用组合物而形成所述研磨层的步骤，且所述研磨层用组合物具有树脂制的粘合剂成分及研磨粒，所述研磨粒的平均粒径为2μm以上且45μm以下，所述粘合剂成分的硬化后的D型硬度计硬度为60以上且88以下，在所述研磨层形成步骤中，在所述研磨层的表面形成平均面积为0.5mm2以上且13mm2以下并且相对于所述研磨层整体的面积占有率为5％以上且40％以下的凸状部。该研磨垫的制造方法由于可通过涂布研磨层用组合物而形成研磨层，故而制造效率良好。另外，该研磨垫的制造方法由于研磨层用组合物具有硬化后的D型硬度计硬度为所述范围内的树脂制的粘合剂成分及平均粒径为所述范围内的研磨粒，使凸状部的平均面积及凸状部相对于研磨层整体的面积占有率成为所述范围内，故而可制造可同时实现缩短加工时间与防止被研磨体的损伤的研磨垫。此处，所谓“平均粒径”，是指利用激光衍射法(laserdiffractometry)等所测定的体积基准的累积粒度分布曲线的50％值(50％粒径、D50)。另外，“D型硬度计硬度”是依据日本工业标准(JapaneseIndustrialStandards，JIS)-K-7215：1986记载的试验方法所测定的值。另外，在研磨层具有空隙的情况下，“研磨层整体的面积”是也包括其空隙的面积的概念。技术的效果如以上说明，根据本技术的研磨垫，可同时实现缩短加工时间与防止被研磨体的损伤。因此，该研磨垫可优选地用于电子机器的基板等的加工。附图说明图1A是表示本技术的实施方式的研磨垫的示意性平面图。图1B是沿图1A的A-A线的示意性端面图。图2是表示与图1B不同的实施方式的研磨垫的示意性端面图。[符号的说明]1、2：研磨垫10：基材20：研磨层21：粘合剂22：研磨粒23：凸状部30：接着层31：第二接着层40：支持体具体实施方式[第一实施方式]以下，一面适当参照附图一面对本技术的实施方式进行详细说明。<研磨垫>图1A及图1B所示的研磨垫1包括树脂制的基材10、层叠于该基材10的表面侧的研磨层20、及层叠于基材10的背面侧的接着层30。(基材)所述基材10是用以支持研磨层20的板状构件。作为所述基材10的材质并无特别限定，可列举：聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、芳香族聚酰胺(aramid)、铝、铜等。其中，优选为与研磨层20的接着性良好的PET、PI。另外，也可对基材10的表面进行化学处理、电晕处理(coronatreatment)、底涂处理(primertreatment)等提高接着性的处理。作为所述基材10的形状及大小并无特别限制，例如可设为外径为200mm以上且2022mm以下及内径为100mm以上且658mm以下的圆环状。另外，也可为在平面上并置的多个基材10由单独的支持体支持的构成。作为所述基材10的平均厚度并无特别限制，例如可制成75μm以上且1mm以下。在所述基材10的平均厚度小于所述下限的情况下，有该研磨垫1的强度或平坦性不足的担忧。另一方面，在所述基材10的平均厚度超过所述上限的情况下，有该研磨垫1不必要地变厚而难以操作的担忧。(研磨层)研磨层20具有树脂制的粘合剂21及分散于该粘合剂21中的研磨粒22。另外，所述研磨层20在表面具有多个凸状部23。所述研磨层20的平均厚度(仅凸状部23部分的平均厚度)并无特别限制，作为所述研磨层20的平均厚度的下限优选为25μm，更优选为30μm。另外，作为所述研磨层20的平均厚度的上限优选为1000μm，更优选为800μm。在所述研磨层20的平均厚度小于所述下限的情况下，有研磨层20的耐久性不足的担忧。另一方面，在所述研磨层20的平均厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫，其是具有基材、及层叠于其表面侧的研磨层的研磨垫，所述研磨垫的特征在于：所述研磨层具有树脂制的粘合剂及分散于所述粘合剂中的研磨粒，所述研磨粒的平均粒径为2μm以上且45μm以下，所述粘合剂的D型硬度计硬度为60以上且88以下，所述研磨层在表面具有多个凸状部，所述凸状部的平均面积为0.5mm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.26 JP 2014-1974811.一种研磨垫，其是具有基材、及层叠于其表面侧的研磨层的研磨垫，所述研磨垫的特征在于：所述研磨层具有树脂制的粘合剂及分散于所述粘合剂中的研磨粒，所述研磨粒的平均粒径为2μm以上且45μm以下，所述粘合剂的D型硬度计硬度为60以上且88以下，所述研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：向史博，田浦歳和，高木大辅，铃木真二，
申请(专利权)人：阪东化学株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP