将半导体芯片弯曲在具有径向变化曲率的模具中制造技术

用于制作具有曲面的半导体芯片的技术，该技术包括将基本上平坦的光子传感器芯片放置在模具的凹面上，使得光子传感器芯片的有源区域至少部分地覆盖模具的凹中心区域，并且光子传感器芯片的无源区域至少部分地覆盖模具的凸周围区域。模具具有径向变化曲率，并且凹面包括凹中心区域和同心地围绕凹中心区域的凸周围区域。压力可以被施加在光子传感器芯片上以将光子传感器芯片按压并且弯曲到模具中。

Bend a semiconductor chip in a die with radial change curvature

For the production of semiconductor chip with surface technology, the technology includes the photon sensor chip will be basically flat placed in the mold the concave, concave central area makes the active regions of the photonic sensor chip at least partially covering the mold, and the area around the convex region passive photonic sensor chip at least partially cover mold. The die has a radial change curvature, and the concave bread consists of a concave center area and a convex surrounding area concentrically around the concave center area. The pressure can be applied to the chip of the photon sensor to press and bend the photon sensor chip into the mold.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将半导体芯片弯曲在具有径向变化曲率的模具中
技术介绍
光学系统通常使用在许多设备中，诸如照相机、望远镜、双筒望远镜、办公设备以及科学仪器，这里仅举几个示例。光学系统的性能部分地取决于系统的元件中的每个元件的设计以及系统的总体设计，其阐述元件之间的光学交互。
技术实现思路
本公开描述了用于弯曲和成形半导体芯片(诸如光子传感器芯片)的技术和架构。特别地，由平坦的相对脆性材料(诸如硅或氮化镓)制作的光子传感器芯片可以在光子传感器芯片被制作之后被成形，使得光子传感器芯片的光敏表面被弯曲以具有球形、非球形或其他形状。为了形成弯曲的光子传感器芯片，光子传感器芯片可以被放置在具有径向变化曲率的模具中。力可以被施加到光子传感器芯片以将光子传感器芯片弯曲到模具的形状中。使用具有径向变化曲率的模具可以减少光子传感器芯片的最外面的(非光敏的)区域处的弯曲期间的应力。应力中的这种减少可以允许最锐利的弯曲(最高的曲率度)被集中在有源传感器区域处，其中可以存在光子传感器芯片中的超过一个以匹配期望的光学设计。除了有源传感器区域之外，模具的曲率度可能相对小以减少光子传感器芯片的弯曲应力。提供该概述以引入以在详细描述中下文进一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将基本上平坦的光子传感器芯片放置在模具的凹面上，使得所述光子传感器芯片的有源区域至少部分地覆盖所述模具的凹中心区域并且所述光子传感器芯片的无源区域至少部分地覆盖所述模具的凸周围区域，其中所述模具具有径向变化曲率，并且所述凹面包括所述凹中心区域和同心地围绕所述凹中心区域的所述凸周围区域；以及将压力施加在所述光子传感器芯片上以将所述光子传感器芯片按压并且弯曲到所述模具中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.02 US 14/677,6221.一种方法，包括：将基本上平坦的光子传感器芯片放置在模具的凹面上，使得所述光子传感器芯片的有源区域至少部分地覆盖所述模具的凹中心区域并且所述光子传感器芯片的无源区域至少部分地覆盖所述模具的凸周围区域，其中所述模具具有径向变化曲率，并且所述凹面包括所述凹中心区域和同心地围绕所述凹中心区域的所述凸周围区域；以及将压力施加在所述光子传感器芯片上以将所述光子传感器芯片按压并且弯曲到所述模具中。2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述基本上平坦的光子传感器芯片放置在所述模具的所述凹面上还包括：将所述光子传感器芯片的边缘或角放置为与所述模具的所述凹面接触，其中所述光子传感器芯片的所述有源区域被悬在所述凹面的所述凹中心区域之上。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述光子传感器芯片的所述边缘或所述角被放置为与所述凹面的所述凸周围区域接触。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述模具的所述凹面还包括同心地围绕所述凸周围区域的线性周围区域，并且其中将所述基本上平坦的光子传感器芯片放置在所述模具的所述凹面上还包括：将所述光子传感器芯片的边缘或角放置为与所述凹面的所述线性周围区域接触，其中所述光子传感器芯片的所述有源区域被悬在所述模具的所述凹面的所述凹中心区域之上。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述凹面上的(i)所述凹中心区域与所述凸周围区域之间以及(ii)所述凸周围区域与所述线性周围区域之间的过渡是平滑且连续的。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在施加所述压力之前，将弹性膜放置在所述光子传感器芯片上，其中所述弹性膜是基本上流体不渗透的。7.根据权利要求6所述的方法，其中施加所述压力还包括：将所述弹性膜之上的体积的气压设置为大于(i)所述弹性膜和(ii)所述光子传感器芯片之下的体积的气压。8.一种方法，包括：将基本上平坦的光子传感器芯片放置在凹模具的凹面上，使得(i)所述光子传感器芯片的有源区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·科菲，G·P·麦克尼格特，G·赫瑞拉，
申请(专利权)人：微软技术许可有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US