辐射敏感组合物制造技术

本发明专利技术是一种辐射敏感组合物，其含有(A)抗蚀基材、(B)重氮萘醌光活性化合物以及(C)溶剂，该组合物中，固体成分的含量为1～80质量％的范围，溶剂的含量为20～99质量％的范围，该(A)抗蚀基材为特定式所示的化合物。

Radiative sensitive composition

The present invention relates to a radiation sensitive composition comprising (A) resist substrate, (B) diazonaphthoquinone photoactive compound (C) and solvent, the composition, content of solid components is 1 to 80 mass%, the content of solvent for the range of 20 to 99 mass%, the (A) compound resist substrate shows a specific type.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射敏感组合物
本专利技术涉及辐射敏感组合物和使用该组合物形成抗蚀图案形成方法。
技术介绍
在制造半导体、LCD、太阳能电池时的光刻法中，使用萘醌二叠氮化合物等具有醌二叠氮基的感光剂和碱可溶性树脂。包含这种组成的正型光致抗蚀剂通过利用碱溶液进行显影而显示出高分辨率，被用于制造IC、LSI等半导体、制造LCD等电路基材。另一方面，作为至今为止最前沿的半导体制造用途，作为用于提供分辨性能更高的抗蚀图案的抗蚀基材，提出了各种低分子量的抗蚀材料。低分子量抗蚀材料由于分子量低，因此，分子尺寸小，可期待赋予分辨性能高、粗糙度小的抗蚀图案。例如，提出了将低分子量多核多酚化合物用作主要成分的碱显影型化学增幅正型辐射敏感组合物(例如参照专利文献1)、将低分子量环状多酚化合物用作主要成分的碱显影型化学增幅正型辐射敏感组合物(例如参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-266741号公报专利文献2：日本特开2012-83731号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，专利文献1和2记载的组合物形成的抗蚀图案的粗糙度大，期望辐射敏感组合物的进一步改善。本专利技术的目的在于，提供可得到粗糙度小的良好抗蚀图案的辐射敏感组合物和使用该组合物形成抗蚀图案的方法，所述辐射敏感组合物包含抗蚀基材、光活性化合物和溶剂。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现：包含特定化学结构式所示的抗蚀基材、光活性化合物和溶剂的辐射敏感组合物可得到粗糙度小的良好抗蚀图案形状，从而完成了本专利技术。即，本专利技术如下所示。[1]一种辐射敏感组合物，其含有(A)抗蚀基材、(B)重氮萘醌光活性化合物以及(C)溶剂，该组合物中，固体成分的含量为1～80质量％的范围，溶剂的含量为20～99质量％的范围，该(A)抗蚀基材为下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R1表示单键或碳数1～30的2n价基团，R2和R3各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、羟基或巯基，m各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m为1～7的整数，p各自独立地为0或1，n为1～4的整数。其中，选自由R2和R3组成的组中的至少1个为选自羟基和巯基的至少1种。)[2]根据[1]所述的辐射敏感组合物，其中，前述式(1)中，选自由R1、R2和R3组成的组中的至少1个为包含碘原子的基团。[3]根据[1]或[2]所述的辐射敏感组合物，其中，前述式(1)中，X为氧原子。[4]根据[1]～[3]中任一项所述的辐射敏感组合物，其中，前述式(1)中，X为氧原子，1个R2为羟基，1个R3为羟基。[5]根据[1]～[4]中任一项所述的辐射敏感组合物，其中，以固体成分基准的质量％计算，前述固体成分含有1～99/99～1/0～98的(A)抗蚀基材/(B)重氮萘醌光活性化合物/(D)任意成分。[6]根据[1]～[5]中任一项所述的辐射敏感组合物，其能够通过旋涂而形成非晶膜。[7]根据[6]所述的辐射敏感组合物，其中，前述非晶膜在23℃下对显影液的溶解速度为/sec以下。[8]根据[6]或[7]所述的辐射敏感组合物，其中，用g线、h线、i线、KrF准分子激光、ArF准分子激光、超紫外线、电子束或者X射线照射前述非晶膜后或在20～500℃下加热所述非晶膜后的、发生了曝光的部分在23℃下对显影液的溶解速度为/sec以上。[9]一种非晶膜，其是通过旋涂[1]～[8]中任一项所述的辐射敏感组合物而形成的。[10]根据[9]所述的非晶膜，其中，用g线、h线、i线、KrF准分子激光、ArF准分子激光、超紫外线、电子束或者X射线照射前述非晶膜后或在20～500℃下加热前述非晶膜后的、发生了曝光的部分在23℃下对显影液的溶解速度为/sec以上。[11]一种抗蚀图案形成方法，其包括：在基板上涂布[1]～[8]中任一项所述的辐射敏感组合物而形成抗蚀膜的工序、对前述抗蚀膜进行曝光的工序、以及对进行了前述曝光的抗蚀膜进行显影的工序。专利技术的效果通过本专利技术，能够提供可得到粗糙度小的良好抗蚀图案的辐射敏感组合物和使用该组合物形成抗蚀图案的方法，所述辐射敏感组合物包含抗蚀基材、光活性化合物和溶剂。具体实施方式以下，针对本专利技术的实施方式(以下称为“本实施方式”)进行详细说明。应予说明，本实施方式是用于说明本专利技术的例示，本专利技术不仅仅限定于本实施方式。(辐射敏感组合物)本实施方式的辐射敏感组合物包含特定化学结构式所示的(A)抗蚀基材、(B)光活性化合物和(C)溶剂。本实施方式的辐射敏感组合物优选为包含1～80质量％的固体成分和20～99质量％的溶剂的辐射敏感组合物，进而，(A)抗蚀基材特别优选为固体成分总重的1～99质量％。本实施方式的辐射敏感组合物可得到粗糙度小的良好抗蚀图案。〔(A)抗蚀基材〕本实施方式中使用的(A)抗蚀基材是下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R1表示单键或碳数1～30的2n价基团。此处，碳数1～30的2n价基团任选具有脂环式烃基、双键、杂原子或碳数6～30的芳香族基团。式(1)中，R2和R3各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、羟基或巯基，m各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m为1～7的整数，p各自独立地为0或1，n为1～4的整数。其中，选自由R2和R3组成的组中的至少1个为选自羟基和巯基的至少1种。)应予说明，“选自由R2和R3组成的组中的至少1个”是指：“选自由R2和R3组成的组中的至少1个基团”，而不是“选自由R2和R3组成的组中的至少1种基团”。上述式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，各个芳香环借助该X在任意的位置进行键合。上述式(1)中，R1为单键或碳数1～30的2n价基团，各个芳香环借助该R1在任意的位置进行键合。此处，2n价基团任选具有脂环式烃基、双键、杂原子或碳数6～30的芳香族基团。上述式(1)中，R2和R3各自独立地为选自由碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基和羟基组成的组中的1价取代基，芳香环上各键合有m个。此处，选自由R2和R3组成的组中的至少1个为选自由羟基和巯基中的至少1种。此外，上述式(1)中，m各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m为1～7的整数，p各自独立地为0或1，n为1～4的整数。应予说明，关于前述2n价基团，在n＝1时，表示碳数1～30的亚烷基；在n＝2时，表示碳数1～30的烷烃四基；在n＝3时，表示碳数2～30的烷烃六基；在n＝4时，表示碳数3～30的烷烃八基。作为前述2n价基团，可列举出例如具有直链状、支链状或环状结构的烃基。此外，前述2n价基团任选具有脂环式烃基、双键、杂原子或碳数6～30的芳香族基团。此处，关于前述脂环式烃基，也包括桥连脂环式烃基。此处，关于上述式(1)所示的化合物，从原料供给性的观点出发，上述式(1)中的X优选为氧原子，具体而言，所述化合物优选为例如下述式(1-1)所示的化合物。上述式(1-1)中，R1、R2、R3、m、n和p与上述式(1)中说明的含义相同。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射敏感组合物，其含有(A)抗蚀基材、(B)重氮萘醌光活性化合物以及(C)溶剂，该组合物中，固体成分的含量为1～80质量％的范围，溶剂的含量为20～99质量％的范围，该(A)抗蚀基材为下述式(1)所示的化合物，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 JP 2015-0732721.一种辐射敏感组合物，其含有(A)抗蚀基材、(B)重氮萘醌光活性化合物以及(C)溶剂，该组合物中，固体成分的含量为1～80质量％的范围，溶剂的含量为20～99质量％的范围，该(A)抗蚀基材为下述式(1)所示的化合物，式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R1表示单键或碳数1～30的2n价基团，R2和R3各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、羟基或巯基，m各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m为1～7的整数，p各自独立地为0或1，n为1～4的整数，其中，选自由R2和R3组成的组中的至少1个为选自羟基和巯基的至少1种。2.根据权利要求1所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)中，选自由R1、R2和R3组成的组中的至少1个为包含碘原子的基团。3.根据权利要求1或2所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)中，X为氧原子。4.根据权利要求1～3中任一项所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)中，X为氧原子，1个R2为羟基，1个R3为羟基。5.根据权利要求1～4中任一项所述的辐...

【专利技术属性】
技术研发人员：越后雅敏，樋田匠，佐藤隆，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP