【技术实现步骤摘要】
本申请案是我们在1984年4月26日提出的流水号为604112的共同待批的，现在是美国专利第4517106号的部分继续申请。本专利技术涉及改进含有可溶性表面活性添加剂的蚀刻溶液的组份。这些添加剂能够降低基片的表面张力以改进湿润，并且可用于集成电路制作。具体地说，本专利技术涉及用氟化环烷烃磺酸盐和(或)氟化环烯烃磺酸盐作抑制表面张力的添加剂的应用。随着集成电路元件尺寸的小型化，基片表面用蚀刻溶液作物理润湿也变得越来越困难了。特别是本专利技术可作为二氧化硅蚀刻中所用的氟化铵/氢氟酸氧化物蚀刻溶剂的缓冲剂，因为这些溶液在典型的蚀刻温度下，呈现极高的表面张力，其数值为85-90达因/厘米。由于所用的掩蔽材料的表面能量相当低，光刻外形，存在的杂质的类型以及从其他加工工序中来的残留污染物，所以难以完完全全地润湿基片，从而导致蚀刻不均以及线条复制不好。为了解决这些问题，集成电路工业的大部分均已采用至少二种公知技术中的一种技术。第一种是把基片置于蚀刻剂前，先在表面活性剂水溶液中预浸，而第二种是把表面活性剂直接添加在蚀刻剂溶液中。然而，由于该项工业是朝着较无颗粒的系统发展。而该系统是...
【技术保护点】
一种包含可溶性表面活性剂且阻止表面活性剂沉淀的蚀刻溶液，其特征在于所说的溶液包括氟化铵和表面活性剂的一种水状混合物，所说混合物含有氟化铵（ＮＨ↓［４］Ｆ）１３．５－４５（重量）％以及具有以下结构式的氟化环烷烃磺酸盐和（或）氟化环烯烃磺酸盐２５－２０００ｐｐｍ＊＊＊式中：ｎ为小于等于６的一个数值，Ｘ可以是Ｆ、Ｃｌ、Ｈ、ＯＨ、ＳＳＯ↓［４］Ａ、Ｒ或者可略去Ｒ，Ｙ可以是Ｆ↑［－］、Ｃｌ、Ｈ、ＯＨ↑［－］、Ｒ或者可略去Ｒ、Ａ可以是Ｈ↑［＋］、ＮＨ↓［４］↑［＋］、Ｎａ↑［＋］、Ｋ↑［＋］、Ｌｉ↑［＋］、Ｒ↑［＋］或者ＮＲ↓［４］↑［＋］，其中Ｒ为１－４个碳原子的烷基和（或）氟烷基及...
【技术特征摘要】
US 1985-5-13 733568中有所说明。权利要求1.一种包含可溶性表面活性剂且阻止表面活性剂沉淀的蚀刻溶液，其特征在于所说的溶液包括氟化铵和表面活性剂的一种水状混合物，所说混合物含有氟化铵(NH4F)13.5-45(重量)%以及具有以下结构式的氟化环烷烃磺酸盐和(或)氟化环烯烃磺酸盐25-2000PPm，式中n为小于等于6的一个数值，X可以是F、Cl、H、OH、SSO4A、R或者可略去R，Y可以是F-、Cl、H、OH-、R或者可略去R、A可以是H+、NH+4、Na+、K+、Li+、R+或者NR+4，其中R为1-4个碳原子的烷基和(或)氟烷基及它们的混合物，其余为水。2.如权利要求1所说的一种蚀刻溶液，其特征在于所说的溶液含有高达11(重量)%的氟化氢。3.如权利要求1所说的一种蚀刻溶液，其特征在于所说的氟化环类表面活性剂中“n”具有2-4数值。4.如权利要求1所说的一种蚀刻溶液，其特征在于所说的氟化环类表面活性剂是具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗纳德詹姆斯霍普金斯，伊万高尔汤姆斯，哈罗德约翰基塔，
申请(专利权)人：阿兰德公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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