The present invention provides an oligomer, a composition and a composite material containing it. The oligomer has a structure shown by (I), of which, R
【技术实现步骤摘要】
寡聚物、包含其的组合物及复合材料
本专利技术关于一种寡聚物、包含其的组合物及复合材料。
技术介绍
新时代的电子产品趋向轻薄短小,并适合高频传输,因此电路板的配线走向高密度化。高频电子元件与电路板接合,为了维持传输速率及保持传输信号完整性,电路板基板材料必须兼具较低的介电常数(dielectricconstant、Dk)及耗散因子(dissipationfactor、Df)。由于传统电路板材料其介电常数(dielectricconstant、Dk)及耗散因子(dissipationfactor、Df)普遍偏高,因此如何在不影响其耐热特性及机械强度的前提下,改善电路板基板材料的介电常数及耗散因子,为目前印刷电路板制程的重要课题。
技术实现思路
根据本专利技术实施例,本专利技术提供一种寡聚物。该寡聚物具有式(I)所示结构其中,R1及R2独立为氢、C1-20烷基(alkylgroup)、C2-20烯基(alkenylgroup)、C6-12芳香基(arylgroup)、C6-12烷芳基(alkylarylgroup)、C5-12环烷基(cycloalkylgroup)、C6- ...
【技术保护点】
一种寡聚物,其具有式(I)所示结构,包含:
【技术特征摘要】
1.一种寡聚物,其具有式(I)所示结构,包含:其中,R1及R2独立为氢、C1-20烷基(alkylgroup)、C2-20烯基(alkenylgroup)、C6-12芳香基(arylgroup)、C6-12烷芳基(alkylarylgroup)、C5-12环烷基(cycloalkylgroup)、C6-20环烷基烷基(cycloalkylalkylgroup)、烷氧羰基(alkoxycarbonylgroup)、或烷羰氧基(alkylcarbonyloxygroup),且R1及R2不同时为氢;a为0或1;n≧0;m≧1;n:m为0:100至99:1;该寡聚物数目平均分子量小于或等于12,000;以及,重复单元与重复单元系以无规方式或嵌段方式重复。2.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中b为0、或1至19的整数,且R1及R2不同时为氢。3.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中c为0、或1至6的整数,且R1及R2不同时为氢。4.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中d为0、或1至6的整数,且R1及R2不同时为氢。5.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中e为0、或1至6的整数,且R1及R2不同时为氢。6.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中f为0、或1至6的整数,R3为C1-6烷基(alkylgroup),且R1及R2不同时为氢。7.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中g为0、或1至6的整数,R4为C1-6烷基(alkylgroup),且R1及R2不同时为氢。8.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中h为1至6的整数,且R1及R2不同时为氢。9.如权利要求1所述的寡聚物,其中R1及R2独立为氢、或其中i为0、1、...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨伟达,朱晏颐,洪铭聪,梁丽君,李云卿,鄞盟松,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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