用于减少非辐射侧壁复合的LED 结构制造技术

本发明专利技术公开了LED结构用于减少沿垂直LED侧壁的非辐射侧壁复合，该侧壁包括跨顶部电流分布层、底部电流分布层和位于顶部电流分布层和底部电流分布层之间的有源层的p‑n二极管侧壁。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少非辐射侧壁复合的LED结构相关申请本专利申请要求于2015年1月6日提交的美国临时申请62/100,348的权益，该申请的全部公开内容以引用方式并入本文。
技术介绍

本文所述实施方案涉及LED。更具体地，实施方案涉及微型LED。背景信息发光二极管(LED)正日益被视为现有光源的替代技术。例如，LED存在于标记、交通信号灯、汽车尾灯、移动电子显示器和电视机中。LED相比于传统照明光源的各种有益效果可包括效率提高、寿命更长、可变发射光谱和与各种形状因数集成在一起的能力。一种类型的LED为有机发光二极管(OLED)，其中二极管的发射层由有机化合物形成。OLED的一个优点在于将有机发射层印刷在柔性衬底上的能力。OLED已被集成到薄型柔性显示器并通常用于制作诸如移动电话和数字相机等便携式电子设备的显示器。另一种类型的LED为基于无机半导体的LED，其中二极管的发射层包括夹置在较厚的基于半导体的包覆层之间的一个或多个基于半导体的量子阱层。基于半导体的LED相比于OLED的一些优点可包括效率提高和寿命更长。高发光效率用每瓦流(lm/W)表示，是基于半导体的LED照明设备的主要优点之一，相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管(LED)，包括：p‑n二极管层，所述p‑n二极管层包括：顶部电流分布；底部电流分布层；位于所述顶部电流分布层和所述底部电流分布层之间的有源层；和跨所述顶部电流分布层、所述有源层和所述底部电流分布层的p‑n二极管层侧壁。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.06 US 62/100,348;2015.09.14 US 14/853,6141.一种发光二极管(LED)，包括：p-n二极管层，所述p-n二极管层包括：顶部电流分布；底部电流分布层；位于所述顶部电流分布层和所述底部电流分布层之间的有源层；和跨所述顶部电流分布层、所述有源层和所述底部电流分布层的p-n二极管层侧壁。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述有源层的侧向边缘被内部地限制在所述p-n二极管层侧壁内部。3.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括围绕所述p-n二极管层侧壁的原位外延再生钝化层。4.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括围绕所述p-n二极管层侧壁并位于所述底部电流分布层下的异位外延再生钝化层。5.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括位于所述p-n二极管层侧壁内的扩散钝化层。6.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括被所述底部电流分布层侧向围绕的扩散p掺杂区域。7.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括位于所述LED的内部的横向p-...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·P·布尔，K·麦格罗迪，D·A·黑格尔，J·M·珀金斯，A·查克拉博蒂，JJ·P·德罗莱特，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：美国,US