【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射敏感组合物、非晶膜和抗蚀图案形成方法
本专利技术涉及辐射敏感组合物、使用该组合物形成的非晶膜、以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。
技术介绍
在制造半导体、LCD、太阳能电池时的光刻法中，使用萘醌二叠氮化合物等具有醌二叠氮基的感光剂和碱可溶性树脂。包含这种组成的正型光致抗蚀剂通过利用碱溶液进行显影而显示出高分辨率，被用于IC、LSI等半导体的制造、LCD等电路基材的制造。另一方面，作为至今为止最前沿的半导体制造用途，作为用于提供分辨力更高的抗蚀图案的抗蚀基材，提出了各种低分子量的抗蚀材料。低分子量抗蚀材料由于分子量低，因此分子尺寸小，可期待赋予分辨性能高、粗糙度小的抗蚀图案。例如，提出了将低分子量多核多酚化合物用作主要成分的碱显影型化学增幅正型辐射敏感组合物(例如参照专利文献1(日本特开2005-266741号公报))、将低分子量环状多酚化合物用作主要成分的碱显影型化学增幅正型辐射敏感组合物(例如参照专利文献2(日本特开2012-83731号公报))。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-266741号公报专利文献2：日本特开2012-83731号...
【技术保护点】
一种辐射敏感组合物，其含有抗蚀基材(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)以及溶剂(C)，该组合物中的所述溶剂(C)的含量为20～99质量％，所述溶剂(C)以外的成分的含量为1～80质量％，所述抗蚀基材(A)为下述式(1)所示的化合物，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.30 JP 2015-0699881.一种辐射敏感组合物，其含有抗蚀基材(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)以及溶剂(C)，该组合物中的所述溶剂(C)的含量为20～99质量％，所述溶剂(C)以外的成分的含量为1～80质量％，所述抗蚀基材(A)为下述式(1)所示的化合物，式(1)中、R1为碳数1～30的2n价基团，R2～R5各自独立地表示碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子、巯基、或羟基，其中，至少一个R4和/或至少一个R5为选自羟基和巯基中的1种以上，m2和m3各自独立地为0～8的整数，m4和m5各自独立地为0～9的整数，其中，m4和m5不同时为0，n为1～4的整数，p2～p5各自独立地为0～2的整数。2.根据权利要求1所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)中，选自R1～R5的至少一个为包含碘原子的基团。3.根据权利要求1或2所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)中，至少一个R2和/或至少一个R3为选自羟基和巯基中的1种以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1a)所示的化合物，式(1a)中，R1～R5以及n与所述式(1)中说明的含义相同，m2’和m3’各自独立地为0～4的整数，m4’和m5’各自独立地为0～5的整数，其中，m4’和m5’不同时为0。5.根据权利要求4所述的辐射敏感组合物，其中，所述式(1a)所示的化合物为下述式(1b)所示的化合物，式(1b)中，R1与所述式(1)中说明的含义相同，R6和R7各自独立地为碳数1～10的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子或巯基，其中，选自R1、R6和R7的至少一个为包含碘原子的基团，m6和m7各自独立地为0～7的整数。6....
【专利技术属性】
技术研发人员：越后雅敏，樋田匠，佐藤隆，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。