一种长余辉材料制造技术

一种长余辉材料，涉及发光材料领域，它是在ＣａＳ：Ｅｕ↑［２＋］中加入Ｃｌ↑［－］离子以替代Ｓ↑［２－］离子所形成的材料，表达方式为：ＣａＳ：ｘＥｕ↑［２＋］，ｙＣｌ↑［－］，其中ｘ＝０．０１－０．０００５，表示的是替代基质中Ｃａ↑［２＋］离子的Ｅｕ↑［２＋］离子所占的摩尔比例；ｙ＝０．０６－０．１２，表示的是使每一个Ｃｌ↑［－］离子替代基质中正离子（Ｃａ↑［２＋］或Ｅｕ↑［２＋］）周围最近邻的六个Ｓ↑［２－］离子中的任意一个，形成正离子格位具有Ｃ↓［４ｖ］对称性结构的长余辉所需的Ｃｌ↑［－］离子所占的摩尔比例。该材料是通过ＣａＣＯ↓［３］，ＮＨ↓［４］Ｃｌ，Ｅｕ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｓ粉按一定摩尔比例配料，混合，烧结，冷却制得。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于未列入其他类目的应用材料领域，涉及发光材料领域，主要应用在荧火材料，夜视材料，指示标牌等长余辉荧光材料领域。在长余辉材料领域，主要的材料有SrAl2O4Eu2+，Dy3+绿色，CaSBi3+，CaSBi3+，Tm3+，兰色，CaSEu2+，Tm3+红色等。其中，绝大多以硫化物为主，主要原因是制作工艺比较成熟，而且碱土硫化物连续固溶体可以理想的调节荧光颜色。所以，不论是在光至发光(《发光学报》，第19卷，第四期，312，1998)，还是在电至发光应用中(Shosaku Tanaka，J.Lumin.40&41，20，1988)，硫化物荧光材料(Dongdong Jia，Boqun Wu，Jing Zhu，ACTA PHYSICA SINICA(Oversea Ed.)，Vol.8，No.11，Nov.，813，1999)都有占主要地位。在现有的硫化物基质的长余辉荧光材料中，主要的成熟材料有CaSBi3+和CaSEu2+，Tm3+。它们在应用中常常受到一些条件的限制。比如CaSEu2+，Tm3+在360nm-450nm区间和CaSBi3+在350nm-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种长余辉材料，其特征在于该材料是在ＣａＳ：Ｅｕ↑［２＋］中加入Ｃｌ↑［－］离子以替代Ｓ↑［２－］离子所形成的材料，该材料的表达方式是：ＣａＳ：ｘＥｕ↑［２＋］，ｙＣｌ↑［－］，其中ｘ＝０．０１－０．０００５，表示的是替代基质中Ｃａ↑［２＋］离子的Ｅｕ↑［２＋］离子所占的摩尔比例（以Ｃａ↑［２＋］离子为１摩尔时为基准）；ｙ＝０．０６－０．１２，表示的是使每一个Ｃｌ↑［－］离子替代基质中正离子（Ｃａ↑［２＋］或Ｅｕ↑［２＋］）周围最近邻的六个Ｓ↑［２－］离子中的任意一个，形成正离子格位具有Ｃ↓［４ｖ］对称性结构的长余辉荧光材料所需的Ｃｌ↑［－］离子所占的摩尔比例（以Ｃａ↑［２＋］离子为１摩尔时为...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾冬冬，吴伯群，
申请(专利权)人：冶金工业部钢铁研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]