一种长余辉材料及制造方法技术

一种长余辉材料及制造方法，涉及发光材料领域，它的表达方式是：ＣａＳ：ｘＥｕ↑［２＋］，ｙＡｌ↑［３＋］或ＣａＳ：ｘＥｕ↑［２＋］，ｙＹ↑［３］，其中ｘ＝０．０２－０．００５，表示的是替代基质中Ｃａ↑［２＋］离子的Ｅｕ↑［２＋］离子所占的摩尔比例（以Ｃａ↑［２＋］离子为１摩尔时为基准）；ｙ＝０．０１－０．１，表示的是Ａｌ↑［３＋］或Ｙ↑［３＋］替代基质中Ｃａ↑［２＋］离子的摩尔比例（以Ｃａ↑［２＋］离子为１摩尔时为基准）。该材料是通过ＣａＣＯ↓［３］，Ｅｕ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｓ粉，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］或（Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］）按一定摩尔比例配料，混合，烧结，冷却制得，它具有长余辉时间且材料光学性质稳定。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于未列入其他类目的应用材料领域，涉及发光材料领域，主要应用在荧光材料，夜视材料，指示标牌等长余辉材料领域。在长余辉材料领域，主要的材料有SrAl2O4Eu2+，Dy3+绿色；CaSBi3+，CaSBi3+，Tm3+，兰色；CaSEu2+，Tm3+红色等。其中，绝大多数以硫化物为主，主要原因是制作工艺比较成熟，而且碱土硫化物连续固溶体可以理想的调节荧光颜色。所以，不论是在光至发光(《发光学报》，第19卷，第四期，312，1998)，还是在电至发光应用中(Shosaku Tanaka，J.Lumin.40&41，20，1988)，硫化物荧光材料(Dongdong Jia，Boqun Wu，Jing Zhu，ACTA PHYSICASINICA(Oversea Ed.)，Vol.8，No.11，Nov.813，1999)都有占主要地位。在现有的硫化物基质的长余辉荧光材料中，主要的成熟材料有CaSEu2+，Tm3+。它在应用中常常受到一些条件的限制。Tm3+存在293nm等处的自身吸收及相应的跃迁发射，293nm在CaSEu2+的275nm宽吸收带之中，这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种长余辉材料，其特征在于该材料是在ＣａＳ中加入微量Ｅｕ↑［２＋］发光中心以替代ＣａＳ基质中的Ｃａ↑［２＋］，并且在此基础上加入微量的Ｙ↑［３＋］或Ａｌ↑［３＋］三价闭壳层离子，以替代ＣａＳ基质中的Ｃａ↑［２＋］离子，从而形成负电性的空穴陷阱长余辉材料，该材料的表达方式是：ＣａＳ：ｘＥｕ↑［２＋］，ｙＡｌ↑［３＋］或ＣａＳ：ｘＥｕ↑［２＋］，ｙＹ↑［３］，其中ｘ＝０．０２－０．００５，表示的是替代基质中Ｃａ↑［２＋］离子的Ｅｕ↑［２＋］离子所占的摩尔比例（以Ｃａ↑［２＋］离子为１摩尔时为基准）；ｙ＝０．０１－０．１，表示的是Ａｌ↑［３＋］或Ｙ↑［３＋］替代基质中Ｃａ↑［２＋］离子的摩尔比例（以...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾冬冬，吴伯群，朱静，
申请(专利权)人：冶金工业部钢铁研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]