薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备技术

提供了一种薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备，所述薄膜晶体管包括：基底；半导体层，设置在基底上方；栅极绝缘膜，设置在半导体层上方；以及栅电极。半导体层包括沟道区、源区和漏区。栅极绝缘膜包括第一区和第二区。第二区与第一区接界。栅电极设置在第一区上方。台阶形状形成在第二区和第一区相接处。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备本申请要求于2016年5月20日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0062171号韩国专利申请的优先权，通过引用将该韩国专利申请的公开内容全部包含于此。
本专利技术涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法和包括该薄膜晶体管的显示设备。
技术介绍
显示设备可用于显示图像。各种显示设备包括液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器(OLED)、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。显示设备通常包括显示器件、多个薄膜晶体管(TFT)、多个电容器以及用于连接显示器件、TFT和电容器的布线。高品质的TFT可提高显示设备的质量。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供了一种显示设备。显示设备包括薄膜晶体管(TFT)、平坦化膜、像素电极、对电极和中间层。平坦化膜与TFT叠置。像素电极设置在平坦化膜上方。像素电极连接到TFT。对电极面向像素电极。中间层设置在像素电极和对电极之间。TFT包括半导体层、栅极绝缘膜和栅电极。半导体层设置在基底上方。半导体层包括源区、沟道区和漏区。栅极绝缘膜设置在半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示设备，所述显示设备包括：薄膜晶体管；平坦化膜，与所述薄膜晶体管叠置；像素电极，设置在所述平坦化膜上方并连接至所述薄膜晶体管；对电极，面向所述像素电极；以及中间层，设置在所述像素电极和所述对电极之间，其中，所述薄膜晶体管包括：半导体层，设置在基底上方并包括沟道区、源区和漏区；栅极绝缘膜，设置在所述半导体层上方并包括第一区和第二区，所述第二区设置在所述第一区的侧部处；栅电极，设置在所述第一区上方，其中，所述第一区的厚度不同于所述第二区的厚度以形成台阶形状。

【技术特征摘要】
2016.05.20 KR 10-2016-00621711.一种显示设备，所述显示设备包括：薄膜晶体管；平坦化膜，与所述薄膜晶体管叠置；像素电极，设置在所述平坦化膜上方并连接至所述薄膜晶体管；对电极，面向所述像素电极；以及中间层，设置在所述像素电极和所述对电极之间，其中，所述薄膜晶体管包括：半导体层，设置在基底上方并包括沟道区、源区和漏区；栅极绝缘膜，设置在所述半导体层上方并包括第一区和第二区，所述第二区设置在所述第一区的侧部处；栅电极，设置在所述第一区上方，其中，所述第一区的厚度不同于所述第二区的厚度以形成台阶形状。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一区的上表面的面积大于所述栅电极的下表面的面积。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述栅电极的下表面的端部与所述第一区的上表面的端部之间的距离在从5nm至1000nm的范围内。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一区具有基本均匀的厚度。5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二区的所述厚度沿着远离所述第一区的方向减小。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述半导体层包括氧化物半导体。7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述栅极绝缘膜不覆盖所述半导体层的两个边缘。8.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括像素限定层，所述像素限定层暴露所述像素电极的第一区，并覆盖所述像素电极的边缘。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述中间层包括有机发光层。10.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基底上方形成半导体层；在所述基底上顺序形成栅极绝缘材料层和栅电极材料层以覆盖所述半导体层；在所述栅电极材料层上形成第一光致抗蚀剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴鲜，柳春基，权赫珣，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR