半导体封装结构制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体封装结构，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：导电迹线；以及重分布层接触垫，电性耦接至该导电迹线；其中，该重分布层接触垫，由对称部分和连接至该对称部分的延伸翼部分构成，并且第一距离不同于第二距离，该第一距离指该对称部分的中心点与该对称部分的边界之间的距离，该第二距离指该对称部分的中心点与该延伸翼部分的边界之间的距离。本发明专利技术实施例，通过对重分布层接触垫的改进，从而可以提高半导体封装结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本专利技术涉及半导体封装
，特别涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
为了确保电子产品与通信装置的持续微型化和多功能性，业界期望半导体封装具有小尺寸、支持多引脚连接，高速操作以及具有高功能性。这些影响将迫使半导体封装制造者发展扇出(fan-out)半导体封装。但是，多功能芯片封装的大量增加的输入/输出连接可能引起热电问题，例如散热，串扰，信号传播延迟，RF(射频)电路中的电磁干扰等问题。热电问题会影响产品的可靠性和质量。因此，期待一种创新的半导体封装结构。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，可以提高可靠性。本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：导电迹线和重分布层接触垫，其中该重分布层接触垫电性耦接至该导电迹线；其中，该重分布层接触垫包括：对称部分和连接至该对称部分的延伸翼部分构成；其中，第一距离不同于第二距离，该第一距离定义为该对称部分的中心点与该对称部分的边界之间的距离，该第二距离定义为该对称部分的中心点与该延伸翼部分的边界之间的距离。其中，该RDL结构包括：第一区域和第二区域，其中该第二区域围绕该第一区域，并且该第一区域用于半导体晶粒设置于其上。其中，该对称部分的形状为：圆形、椭圆形或多边形。其中，第一方向定义为从该对称部分的中心点至该第一区域的中心点，第二方向定义为从该对称部分的中心点至该延伸翼部分的边界的中心点；当该RDL接触垫设置在该第一区域中时，该第一方向和该第二方向之间的角度在顺时针或逆时针方向上介于0°～90°之间；或者，当该RDL接触垫设置在该第二区域中时，该第一方向和该第二方向之间的角度在顺时针方向上介于90°～270°之间。其中，该导电迹线包括：尾部，与该对称部分重叠并且向该重分布接触垫外延伸。其中，第三方向定义为该导电迹线向该重分布接触垫外延伸的方向，第四方向定义为从该对称部分的中心点至该延伸翼部分的边界的中心点；其中，该重分布接触垫设置在该第一区域或第二区域内时，该第三方向和第四方向之间的角度在顺时针方向上介于45°～315°之间。其中，该重分布层结构包括：相对的第一表面和第二表面；该半导体封装结构进一步包括：模塑料，设置于该第一表面上并且围绕该半导体晶粒，其中该模塑料接触该第一表面位于该第二区域内的部分和该半导体晶粒；以及导电结构，设置于该第二表面上并且接触和电性连接至该重分布层接触垫。其中，当从平面图观察时，该延伸翼部分与该对称部分的边界部分重叠本专利技术实施例提供了一种半导体封装结构，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：导电迹线和重分布层接触垫，其中该重分布层接触垫电性耦接至该导电迹线；其中，该重分布层接触垫具有一弦，将该重分布层接触垫划分为第一部分和第二部分，其中该第一部分具有第一对对称形状的至少一半，该第二部分具有第二对称形状的至少一半，该第一对称形状不同于该第二对称形状。其中，该重分布层结构包括：第一区域和第二区域，其中该第二区域围绕该第一区域，并且该第一区域用于半导体晶粒设置于其上。其中，该第一部分由该弦与连接至该弦两相对端的第一边界部分围绕；该第二部分由该弦与连接至该弦两相对端的第二边界部分围绕。其中，第一距离不同于第二距离，其中该第一距离定义为该弦的中心点与该第一边界部分之间的距离，该第二距离定义为该弦的中心点与该第二边界部分之间的距离。其中，第一方向定义为该弦的中心点至该第一区域的中心点，第二方向定义为该弦的中心点至该第二边界部分的中心点；当该重分布层接触垫设置在该第一区域时，该第一方向和该第二方向之间的角度在顺时针或逆时针方向上介于0°～90°之间；或者，当该重分布层接触垫设置在该第二区域时，该第一方向和该第二方向之间的角度在顺时针方向上介于90°～270°之间。其中，该导电迹线包括：尾部，与该重分布接触垫重叠并且向该重分布接触垫外延伸。其中，第三方向定义为该导电迹线向该重分布接触垫外延伸的方向，第四方向定义为从该弦的中心点至该第二边界部分的中心点；该第三方向和第四方向之间的角度在顺时针方向上介于45°～315°之间。其中，该第一对称形状和该第二对称形状包括：圆形、椭圆形或多边形。其中，该重分布层结构包括：相对的第一表面和第二表面；该半导体封装结构进一步包括：模塑料，设置于该第一表面上并且围绕该半导体晶粒，其中该模塑料接触该半导体晶粒以及该第一表面中位于该第二区域内的部分；以及导电结构，设置于该第二表面上并且接触和电性连接至该重分布层接触垫。本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例通过在RDL接触垫上设置延伸翼部分，从而有助于缓解来自RDL结构上的半导体晶粒和模塑料的应力，从而搞半导体封装结构的可靠性。附图说明图1为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图；图2A～2H为平面示意图，用来显示根据本专利技术一些实施例的RDL(RedistributionLayer，重分布层)结构中的RDL接触垫的形状；图3A～3H图为平面示意图，用来显示根据本专利技术一些实施例的RDL结构中的RDL接触垫的形状；图4A为平面示意图，用来显示根据本专利技术一些实施例的RDL结构中的模塑料区中布置的RDL接触垫的布局；图4B为平面示意图，用来显示根据本专利技术一些实施例的RDL结构中的晶粒区中布置的RDL接触垫的布局；图5A为平面示意图，用来显示根据本专利技术一些实施例的RDL结构中的晶粒区中布置的RDL接触垫与连接至该RDL接触垫的导电迹线(conductivetrace)的布局；图5B为平面示意图，用来显示根据本专利技术一些实施例的RDL结构中的模塑料区中布置的RDL接触垫与连接至该RDL接触垫的垫导电迹线的布局；以及图6为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图。具体实施方式以下描述为实现本专利技术的较佳预期方式。但是，此描述仅作为说明本专利技术一般原理的目的，而不意味着限制。本专利技术的范围可参考所附的权利要求来确定。本专利技术主要涉及RDL结构中的RDL接触垫的设计。图1为根据本专利技术一些实施例的半导体封装结构500a的剖面示意图。在一些实施例中，该半导体封装结构500a包括：FOWLP(fan-outwafer-levelsemiconductorpackage，扇出晶圆级半导体封装)350，例如，倒装芯片(flip-chip)半导体封装。需要注意的是，在半导体封装结构500a中使用的FOWLP350仅为示例而不意味着限制本专利技术。在一些实施例中，该FOWLP350包括：纯SOC封装或者混合SOC封装(包括DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)、PMIC(PowerManagementIntegratedCircuit，电源管理集成电路)、闪存、GPS(GlobalPositioningSystem，全球定位系统)装置、或者RF(RadioFrequency，射频)装置)。该半导体封装结构500a通过接合工艺安装于基座(未示出)上，例如安装于由PP(polypropylene，聚丙烯)形成的PCB(PrintedCircuitBoard，印刷电路板)上。如图1所示，该FOWLP350包括：半导体晶粒200，模塑料(moldingcompound)21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：导电迹线和重分布层接触垫，其中该重分布层接触垫电性耦接至该导电迹线；其中，该重分布层接触垫包括：对称部分和连接至该对称部分的延伸翼部分构成；其中，第一距离不同于第二距离，该第一距离定义为该对称部分的中心点与该对称部分的边界之间的距离，该第二距离定义为该对称部分的中心点与该延伸翼部分的边界之间的距离。

【技术特征摘要】
2016.05.19 US 62/338,555;2017.04.07 US 15/481,5001.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：重分布层结构，其中该重分布层结构包括：导电迹线和重分布层接触垫，其中该重分布层接触垫电性耦接至该导电迹线；其中，该重分布层接触垫包括：对称部分和连接至该对称部分的延伸翼部分构成；其中，第一距离不同于第二距离，该第一距离定义为该对称部分的中心点与该对称部分的边界之间的距离，该第二距离定义为该对称部分的中心点与该延伸翼部分的边界之间的距离。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该RDL结构包括：第一区域和第二区域，其中该第二区域围绕该第一区域，并且该第一区域用于半导体晶粒设置于其上。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该对称部分的形状为：圆形、椭圆形或多边形。4.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，第一方向定义为从该对称部分的中心点至该第一区域的中心点，第二方向定义为从该对称部分的中心点至该延伸翼部分的边界的中心点；当该RDL接触垫设置在该第一区域中时，该第一方向和该第二方向之间的角度在顺时针或逆时针方向上介于0°～90°之间；或者，当该RDL接触垫设置在该第二区域中时，该第一方向和该第二方向之间的角度在顺时针方向上介于90°～270°之间。5.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该导电迹线包括：尾部，与该对称部分重叠并且向该重分布接触垫外延伸。6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，第三方向定义为该导电迹线向该重分布接触垫外延伸的方向，第四方向定义为从该对称部分的中心点至该延伸翼部分的边界的中心点；其中，该重分布接触垫设置在该第一区域或第二区域内时，该第三方向和第四方向之间的角度在顺时针方向上介于45°～315°之间。7.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，该重分布层结构包括：相对的第一表面和第二表面；该半导体封装结构进一步包括：模塑料，设置于该第一表面上并且围绕该半导体晶粒，其中该模塑料接触该第一表面位于该第二区域内的部分和该半导体晶粒；以及导电结构，设置于该第二表面上并且接触和电性连接至该重分布层接触垫。8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，当从平面图观察时，该延伸翼部分与该对称部分的边...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乃玮，林子闳，彭逸轩，郭哲宏，周哲雅，黄伟哲，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71