IC的电压降和电迁移的分析方法及计算机可读存储介质技术

本发明专利技术实施例提供了一种IC的电压降和电迁移的分析方法及计算机可读存储介质。其中该方法包括：得到集成电路的布局，其中该布局被划分为多个块且每个块对应特定的功能；根据该多个块的功率相关信息，得到多个操作功率和多个工作温度，其中该多个块中的每个块具有单独的操作功率和单独的工作温度；以及根据每个块对应的操作功率和工作温度，来验证每个块。本发明专利技术实施例，可以进一步缩小布局的尺寸并降低设计人力和成本。

【技术实现步骤摘要】
IC的电压降和电迁移的分析方法及计算机可读存储介质
本专利技术涉及集成电路(IntegratedCircuit，IC)设计，尤其涉及一种IC的电压降和电迁移的分析方法及计算机可读存储介质。
技术介绍
近年来，IC，如SLSI(SuperLargerScaleIntegratedCircuit，超大规模集成电路)，的开发过程普遍采用CAD(ComputerAssistedDesign，计算机辅助设计)。根据这种基于CAD的开发过程，使用所谓的HDL(HardwareDescriptionLanguage，硬件描述语言)来定义抽像的电路数据，该抽像的电路数据对应待开发的IC的功能，并且该定义的电路用来形成要安装在芯片上的具体电路结构。在制造(或实现)IC芯片之前，首先考虑IC芯片的配置(placement)、平面规划(floorplan)以及布局面积(layoutarea)，从而确定每个IC芯片的晶粒尺寸。一般地，晶粒尺寸将影响IC芯片的制造成本。因此本领域期望最小化IC芯片的布局面积。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种IC的电压降和电迁移的分析方法及计算机可读存储介质，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路的电压降和电迁移的分析方法，其特征在于，包括：得到该集成电路的布局，其中该布局被划分为多个块且每个块对应特定的功能；根据该多个块的功率相关信息，得到多个操作功率和多个工作温度，其中该多个块中的每个块具有单独的操作功率和单独的工作温度；以及根据该每个块对应的操作功率和工作温度，来验证该每个块。

【技术特征摘要】
2016.04.25 US 62/326,896;2017.02.22 US 15/438,8441.一种集成电路的电压降和电迁移的分析方法，其特征在于，包括：得到该集成电路的布局，其中该布局被划分为多个块且每个块对应特定的功能；根据该多个块的功率相关信息，得到多个操作功率和多个工作温度，其中该多个块中的每个块具有单独的操作功率和单独的工作温度；以及根据该每个块对应的操作功率和工作温度，来验证该每个块。2.如权利要求1所述的分析方法，其特征在于，进一步包括：当验证完该每个块之后，检查在该多个块中是否存在电压降违规或者电迁移违规。3.如权利要求1所述的分析方法，其特征在于，进一步包括：当在该多个块中存在该电压降违规或该电迁移违规时，调整该布局。4.如权利要求3所述的分析方法，其特征在于，调整该布局的步骤包括：对于该多个块中的第一块，增加该第一块中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊良，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71