【技术实现步骤摘要】
点对称马赫-曾德尔干涉仪设备
本专利技术涉及一种点对称马赫-曾德尔干涉仪(Point-SymmetricMach-Zehnder-Interferometer,PSMZI)设备、一种包括PSMZI设备的波长双工器设备以及一种PSMZI设备的制作方法。
技术介绍
作为一种在电信、数据通讯、互联和传感中广泛应用的通用技术平台,硅光子学日益受到重视。硅光子学允许通过使用兼容CMOS的晶片级技术来实现低成本、优质硅衬底上的光子功能。然而,纯无源硅波导设备在插入损耗、相位噪声(导致信道串扰)和温度依存性方面的性能仍有限。这是由二氧化硅(silicondioxide,SiO2)包层和硅(silicon,Si)核心之间的高折射率对比度、不均匀的Si层厚度和硅的高热光效应导致的。基于氮化硅(siliconnitride,SiNx)的无源设备提供了优越的性能。经证实,低于0.1dB/cm的传播损耗适用于SiNx核心厚度为640nm的波导,甚至已证实,低于0.1dB/m的传播损耗适用于核心厚度为50nm的波导。另外,SiNx(n=2)和SiO2(n=1.45)与Si(n=3.5)和SiO2(n=1.45)之间略低的折射率对比度导致相位噪声较少,制作公差较大。这使得能够制作性能很高但仍很紧凑的光路,例如AWG或者环形谐振器。据报告,SiNx波导既是一种有源硅光子芯片上的高性能无源波导层,同时也是一种“独立的”无源光芯片。在光纤接入(Fiber-To-The-X,FTTX)设备/装备,如OLT和ONU中,已知使用波长双工器来将上下游波段与单输入光纤分离开来。ITU标准要求波长双工 ...
【技术保护点】
一种点对称马赫‑曾德尔干涉仪(PSMZI)设备(100),其特征在于,包括:三个连续的路径时延段(PDS),作为两个外部PDS(102)和一个中心PDS(101),每个PDS(101,102)包括上波导臂(103)和下波导臂(104);四个非对称耦合器(AC),每个AC(105)包括上波导部(106)和下波导部(107),其中,每个PDS(101,102)的每一侧都直接设置有一个AC(105),且所述上下波导部(106,107)分别耦合至所述上下波导臂(103,104);在每个PDS(101,102)一侧的AC(105)与所述每个PDS(101,102)另一侧的AC(105)点对称;设置在所述中心PDS(101)一侧的两个AC(105)和一个外部PDS(102)一起与设置在所述中心PDS(101)另一侧的两个AC(105)和另外一个外部PDS(102)点对称。
【技术特征摘要】
2016.03.22 EP EP1616171961.一种点对称马赫-曾德尔干涉仪(PSMZI)设备(100),其特征在于,包括:三个连续的路径时延段(PDS),作为两个外部PDS(102)和一个中心PDS(101),每个PDS(101,102)包括上波导臂(103)和下波导臂(104);四个非对称耦合器(AC),每个AC(105)包括上波导部(106)和下波导部(107),其中,每个PDS(101,102)的每一侧都直接设置有一个AC(105),且所述上下波导部(106,107)分别耦合至所述上下波导臂(103,104);在每个PDS(101,102)一侧的AC(105)与所述每个PDS(101,102)另一侧的AC(105)点对称;设置在所述中心PDS(101)一侧的两个AC(105)和一个外部PDS(102)一起与设置在所述中心PDS(101)另一侧的两个AC(105)和另外一个外部PDS(102)点对称。2.根据权利要求1所述的PSMZI设备(100),其特征在于:所述中心PDS(101)提供的路径差为0。3.根据权利要求1或2所述的PSMZI设备(100),其特征在于:一个外部PDS(102)提供的路径差与另外一个外部PDS(102)在另外一个波导臂(103,104)上提供的路径差相同。4.根据权利要求1至3中之一所述的PSMZI设备(100),其特征在于:所有上波导臂(103)的总路径长度与所有下波导臂(104)的总路径长度相同。5.根据权利要求1至4中之一所述的PSMZI设备(100),其特征在于:设计所述四个AC(105)和所述两个外部PDS(102),使得设置在所述中心PDS(101)一侧的所述两个AC(105)和所述一个外部PDS(102)所导致的相位差由设置在所述中心PDS(101)另一侧的所述两个AC(105)和所述另外一个外部PDS(102)所导致的相位差来补偿。6.根据权利要求1至5中之一所述的PSMZI设备(100),其特征在于:所述四个AC(105)呈线对称系列锥(line-symmetricseries-tapered,LSST)型。7.根据权利要求1至6中之一所述的PSMZI设备(100),其特征在于:所述波导臂(103,104)由折射率范围在1.4–4.5之间的材料制成。8.根据权利要求1至7中之一所述的PSMZI设备(100),其特征在于:所述波导臂(103,104)由SiN制成,且更具体地,嵌在由SiO2制成的包层中。9.根据权利要求1至8中之一所述的PSMZI设备(100),其特征在于,还包括:设在所述中心PDS(101)任一侧且与所述中心PDS(101)点对称的偶数个附加PDS,每个附加PDS包括上波导臂和下波导臂;偶数个附加AC...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡有方,乌拉噶兰达·皮鲁玛·达拉尼帕提,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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