多层反射镜制造技术

本发明专利技术公开了一种多层反射镜，所述多层反射镜包括作为最外层的石墨烯。

【技术实现步骤摘要】
多层反射镜本申请是于2011年3月17日递交的、专利技术名称为“光刻设备和方法”、申请号为201180031217.3的中国专利申请以及于2014年3月5日递交的、专利技术名称为“用于EUV掩模版的表膜和多层反射镜”、申请号为201410077948.7的中国专利申请的分案申请。相关应用的交叉引用本申请要求2010年6月25日递交的美国临时申请61/358,645的优先权和2010年7月9日递交的美国临时申请61/362,981的优先权，两者通过引用全文并于此。
本专利技术涉及一种光刻设备和方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛认为是制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层反射镜，包括作为最外层的石墨烯。

【技术特征摘要】
2010.06.25 US 61/358,645;2010.07.09 US 61/362,9811.一种多层反射镜，包括作为最外层的石墨烯。2.根据权利要求1所述的多层反射镜，其中所述反射镜包括石墨烯层。3.根据权利要求2所述的多层反射镜，其中，所述石墨烯层由碳的单原子层形成。4.根据权利要求2所述的多层反射镜，其中所述反射镜包括多个石墨烯层。5.根据权利要求1所述的多层...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·亚库宁，V·班尼恩，E·鲁普斯特拉，H·范德斯库特，L·史蒂文斯，M·范卡朋，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL