一种直流消弧及过电压保护系统技术方案

本发明专利技术公开了一种直流消弧及过电压保护系统，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、三极管Q、MOS管、连接器触头、主触点、辅助触点、电源正极和电源负极。本发明专利技术的有益效果为：本发明专利技术采用两个容性吸收电路，进一步降低连接器触头和主触点分开时候的电势差，能够更好的防止直流拉弧现象；同时本发明专利技术在不切断连接其电源的情况下，将过压电压进行释放，在浪涌突波，错接用电电源的情况下，可以及时地对电路进行保护，同时又不影响如测试与客户等的使用。

A DC arc suppression and overvoltage protection system

The invention discloses a DC arc extinguishing and overvoltage protection system, including a resistor R1 and a resistor R2, a resistor R3, a resistor R4 and a resistor R5, a capacitor C1, a capacitor C2, a diode D1, a diode D2, a triode Q, MOS tube, connector contact, main contacts, auxiliary contacts, power anode and the cathode of the power supply. The invention has the advantages that the invention adopts two capacitive snubber circuit, further reducing connector contact and main contact separately when the potential difference, can prevent the DC arc phenomenon better; the invention does not disconnect the power supply in case of an overvoltage voltage release in inrush surge, wrong connection power supply conditions, can be timely for the protection of the circuit, but also does not affect the use of such tests with customers etc..

【技术实现步骤摘要】
一种直流消弧及过电压保护系统
本专利技术涉及电力防护领域，具体来说，涉及一种直流消弧及过电压保护系统。
技术介绍
当连接器的两个触点带电分离时，只要电路中电压大于10～20V。电流大于80～100mA。动、静触头间就可能会出现电弧。此时触头虽已分开，但是电流通过触头间的电弧继续流通。交流电流的电流瞬时值随时间发生周期性变化，因此在电流的过零点，电流变为0，电弧会自动消失。但直流电流因为没有电流过零点，因此，电弧产生后，很难消弧；一直到连接器的两个触头分开到足够的距离，电弧才能自动消失。电弧是高温高导电率的游离气体，它不仅对触头有很大的破坏作用，同时可能对其周边的人身或设备造成严重伤害，甚至造成火灾等严重灾难。当前许多过电压保护(OVP)电路提供过压保护的同时将连接其电源进行切断，断开电源与其后面电路或芯片的连接，从而来保护后面的电路或芯片。但是，例如在集成电路板的测试阶段和客户端使用中，部分电源一旦切断之后，集成电路板就无法进行正常测试工作，造成了系统的瘫痪。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本专利技术提出一种直流消弧及过电压保护系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流消弧及过电压保护系统，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、三极管Q、MOS管、连接器触头（1）、主触点（2）、辅助触点（3）、电源正极和电源负极；其中，所述电阻R1与所述二极管D1串联，所述电阻R1远离所述二极管D1的一端与所述电源负极连接，所述二极管D1的正极与所述三极管Q的基极连接，所述三极管Q集电极与所述电源正极连接，所述三极管Q发射极与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电源负极连接，所述MOS管的栅极与所述三极管Q的发射极连接，所述MOS管的漏极与所述电源正极连接，所述MOS管的源极与所述电源负极连接...

【技术特征摘要】
1.一种直流消弧及过电压保护系统，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、三极管Q、MOS管、连接器触头（1）、主触点（2）、辅助触点（3）、电源正极和电源负极；其中，所述电阻R1与所述二极管D1串联，所述电阻R1远离所述二极管D1的一端与所述电源负极连接，所述二极管D1的正极与所述三极管Q的基极连接，所述三极管Q集电极与所述电源正极连接，所述三极管Q发射极与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电源负极连接，所述MOS管的栅极与所述三极管Q的发射极连接，所述MOS管的漏极与所述电源正极连接，所述MOS管的源极与所述电源负极连接，所述二极管D2与所述MOS管并联，所述连接器触头（1）一端两端分别设有所述主触点（2）和所述辅助触点（3），所述辅助触点（3）与所述电阻R3和所述电容C1串联，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：董仙鹤，
申请(专利权)人：合肥东玖电气有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34