一种陶瓷电阻碳化工艺制造技术

本发明专利技术属于电阻生产制造领域，具体是一种陶瓷电阻碳化工艺，包括步骤：S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min；S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。本发明专利技术的有益效果在于：碳化控制精度高，药水与待碳化的陶瓷电阻接触均匀，成品率高。

Carbonization process of ceramic resistor

The invention belongs to the field of manufacturing resistance, in particular to a ceramic resistance carbonization process, which comprises the following steps: S1, the ceramic resistance for the first time up to 800 to 900 DEG C, the ceramic resistance first spray drops, fully mixed 40 ~ 50min; S2, the ceramic resistance second times up to 1000 ~ 1100 to second DEG C, ceramic spray resistance drops, fully mixed 10 ~ 15min; S3, the ceramic resistance first cooling, to 500 to 700 DEG C, and continue to mix 20 ~ 40min; S4, the ceramic resistance third times up to 800 to 900 DEG C, to third times of spraying ceramic resistor the potion, fully mixed 10 ~ 15min; S5, the ceramic resistor second cooling to room temperature, complete carbonization. The beneficial effect of the invention is that the control accuracy of the carbonization is high, the contact between the medicine solution and the ceramic resistor to be carbonized is uniform, and the finished product rate is high.

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷电阻碳化工艺
本专利技术属于电阻生产制造领域，具体是一种陶瓷电阻碳化工艺。
技术介绍
陶瓷电阻是陶瓷封装的线绕电阻，被广泛应用于各种电路中。陶瓷电阻在生产过程中需要对其电阻值进行微调，碳化即是微调其电阻值的方式之一。现有的碳化工艺存在如下缺陷：1、电阻值控制精度低；2、药水与待碳化的陶瓷电阻接触不均匀；3、成品率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种陶瓷电阻碳化工艺，碳化控制精度高、成品率高。为实现上述技术目的，本专利技术提供的方案是：一种陶瓷电阻碳化工艺，包括如下步骤。S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min。S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min。S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min。S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min。S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。上述步骤S1～S5均在抽真空状态下进行，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电阻碳化工艺，包括如下步骤：S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min；S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化；上述步骤S1～S5均在抽真空状态下进行，第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电阻碳化工艺，包括如下步骤：S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min；S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化；上述步骤S1～S5均在抽真空状态下进行，第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14。2.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：步骤S1中，第一次升温的温度值为870℃。3.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：步骤S2中，第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚玉能，周慧斌，刘志明，
申请(专利权)人：应城和天电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42