一种免标型适配体传感器的制备方法及用该传感器快速检测赭曲霉毒素A的方法技术

本发明专利技术公开了一种免标型适配体传感器的制备方法及用该传感器快速检测赭曲霉毒素A的方法，属于电化学传感器检测领域，以解决现有传感器制备方法复杂、稳定性较差的问题。包括如下步骤：对金电极进行抛光处理；将处理后金电极浸泡于2‑巯基乙胺水溶液中，AET以S‑Au键自组装于金电极表面形成修饰层；之后，通过氨基结合金纳米形成金纳米自组装膜；进而通过OTA适配体上修饰的巯基以S‑Au键结合到金纳米修饰层表面；然后利用牛血清蛋白来封闭非活性位点，得到免标型适配体传感器。本发明专利技术检测方法简单、快速，而巯基修饰适配体与金纳米稳定结合，保证了传感器的稳定性。

Preparation method of label free aptamer sensor and method for rapid detection of ochratoxin A by using the sensor

The invention discloses a method for preparing a label free aptamer sensor and a method for rapidly detecting ochratoxin A by using the sensor, belonging to the field of electrochemical sensor detection, so as to solve the problems of complex preparation method and poor stability of the existing sensor. Includes the following steps: on the gold electrode was polished; the treatment gold electrode immersed in 2 Mercaptoethylamine in aqueous solution, AET to S Au bond self-assembled modified layer on the surface of the gold electrode; after the formation of gold alloy nano junction by amino nano self-assembled monolayers; then by OTA modified with thiol ligands the S Au bond to the gold nanoparticles modified surface layer; then using bovine serum albumin to non closed active site, get free standard type aptameric sensor. The detection method is simple and fast, and the thiol modified aptamer is stably combined with gold nanoparticles to ensure the stability of the sensor.

【技术实现步骤摘要】
一种免标型适配体传感器的制备方法及用该传感器快速检测赭曲霉毒素A的方法
本专利技术属于电化学传感器检测领域，具体涉及一种利用免标型适配体传感器对赭曲霉毒素A进行快速检测的方法。
技术介绍
赭曲霉毒素是一类分布广泛，毒性较强的真菌毒素，由青霉和曲霉的几个亚种产生的次生代谢产物，国际癌症研究机构(InternationalAgencyforResearchonCancer,IARC)将其定为ⅡB类致癌物。世界卫生组织、粮农组织食品添加剂联合专家委员会(JECFA,1995)规定每日耐受摄入量（TDI）为14ng/kgBW。甚至部分商家，例如芬兰、英国的一些超级市场，都对赭曲霉毒素A（OTA）进行了限量,有些已经低于0.5μg/kg。赭曲霉毒素A对农产品的污染具有广谱性，包括玉米、水稻、大豆、小麦、葡萄、可可、咖啡、调料、蔬菜等农作物及其制品。从结构上来说，OTA由氯化异香豆素的部分与一个与7-羧基基团相连的L-β-苯丙氨酸组成，因此，对一些苯丙氨酸为底物的酶有抑制作用。OTA是一种线粒体毒素，可引起线粒体损伤，氧爆，脂质过氧化，并干扰氧化磷酸化。其肝毒性和肾毒性作用会引发哺乳肝脏和肾脏中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种免标型适配体传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)、对金电极进行抛光处理；(2)、将处理后金电极浸泡于2‑巯基乙胺水溶液中，AET以S‑Au键自组装于金电极表面形成修饰层；之后，通过氨基结合金纳米形成金纳米自组装膜； 进而通过OTA适配体上修饰的巯基以S‑Au键结合到金纳米修饰层表面；然后利用牛血清蛋白来封闭非活性位点，得到免标型适配体传感器。

【技术特征摘要】
1.一种免标型适配体传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)、对金电极进行抛光处理；(2)、将处理后金电极浸泡于2-巯基乙胺水溶液中，AET以S-Au键自组装于金电极表面形成修饰层；之后，通过氨基结合金纳米形成金纳米自组装膜；进而通过OTA适配体上修饰的巯基以S-Au键结合到金纳米修饰层表面；然后利用牛血清蛋白来封闭非活性位点，得到免标型适配体传感器。2.如权利要求1所述的一种免标型适配体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)金电极的处理步骤为，金电极在打磨绒布上依次用1.0、0.05μmAl2O3抛光,然后用水超声清洗10min后取出，置于食人鱼溶液中超声3min,分别在去离子水和无水乙醇中超声3min，然后-0.2-1.6V电位范围内于在0.5mol/LH2SO4溶液中进行循环伏安扫描，去离子水冲洗并干燥。3.如权利要求1或2所述的一种免标型适配体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)的具体过程为：A、将处理好的金电极置于5.0×10-3mol/L巯基乙胺水溶液中，在4℃温度避光条件下在冰...

【专利技术属性】
技术研发人员：南米娜，毕阳，薛华丽，付国瑞，蒲陆梅，龙海涛，
申请(专利权)人：甘肃农业大学，
类型：发明
国别省市：甘肃,62