The utility model provides a wave absorbing structure and terminal. The utility model provides a wave absorbing structure includes at least one stacked structure; each of the stacked structure bottom includes a first metal layer and the dielectric layer and the second metal layer; in the plane perpendicular to the direction of the laminated structure, the first metal layer is a square, the dielectric layer and the second the metal layer is round; the diameter of the dielectric layer and the second metal layer is equal to the diameter, length of the first metal layer is larger than the diameter of the dielectric layer; the center point, the first metal layer of the center of the dielectric layer and the second metal layer of the same. Therefore, the technical scheme provided by the utility model can improve the heat dissipation capability of the terminal in the existing technology to a certain extent.
【技术实现步骤摘要】
一种吸波结构及终端
本技术涉及功能材料与器件
,尤其涉及一种吸波结构及终端。
技术介绍
目前,终端中的各功能性器件在工作过程中,会使得这些器件表面的温度上升,最高可高达40℃~70℃,而温度的上升会导致有大量的热量累计在终端内,进而,可能导致终端被烧毁。基于此,如何实现终端的散热是至关重要的。现有技术中,一般是在一些需要保护的器件外部设置的屏蔽盖上覆盖石墨来实现散热的。在实现本技术过程中,专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:通过石墨进行散热时,由于石墨在40℃~70℃左右的发射率较低,因此,石墨能够向外辐射散热的能力较弱。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供了一种吸波结构及终端,能够在一定程度上提高现有技术中终端的散热能力。一方面,本技术提供了一种吸波结构,所述吸波结构包括:至少一个层叠结构;每个所述层叠结构自下而上包括:第一金属层、介质层与第二金属层;在垂直于所述层叠结构所在平面的方向上,所述第一金属层为正方形,所述介质层与所述第二金属层为圆形;所述介质层的直径与所述第二金属层的直径相等,所述第一金属层的边长大于所述介质层的直径;所述第一金属层的中心点、所述介质层的圆心与所述第二金属层的圆心相同。如上所述的方面和任一可能的实现方式,进一步提供一种实现方式,所述第一金属层的边长为6μm,所述第二金属层的边长为3.1μm。如上所述的方面和任一可能的实现方式,进一步提供一种实现方式,所述第一金属层的厚度为0.25μm;所述介质层的厚度为0.22μm;所述第二金属层的厚度为0.12μm。如上所述的方面和任一可能的实现方式,进一步提供一种实现方式, ...
【技术保护点】
一种吸波结构,其特征在于,所述吸波结构包括:至少一个层叠结构;每个所述层叠结构自下而上包括:第一金属层、介质层与第二金属层;在垂直于所述层叠结构所在平面的方向上,所述第一金属层为正方形,所述介质层与所述第二金属层为圆形;所述介质层的直径与所述第二金属层的直径相等,所述第一金属层的边长大于所述介质层的直径;所述第一金属层的中心点、所述介质层的圆心与所述第二金属层的圆心相同。
【技术特征摘要】
1.一种吸波结构,其特征在于,所述吸波结构包括:至少一个层叠结构;每个所述层叠结构自下而上包括:第一金属层、介质层与第二金属层;在垂直于所述层叠结构所在平面的方向上,所述第一金属层为正方形,所述介质层与所述第二金属层为圆形;所述介质层的直径与所述第二金属层的直径相等,所述第一金属层的边长大于所述介质层的直径;所述第一金属层的中心点、所述介质层的圆心与所述第二金属层的圆心相同。2.根据权利要求1所述的吸波结构,其特征在于,所述第一金属层的边长为6μm,所述第二金属层的边长为3.1μm。3.根据权利要求1所述的吸波结构,其特征在于,所述第一金属层的厚度为0.25μm;所述介质层的厚度为0.22μm;所述第二金属层的厚度为0...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢健,
申请(专利权)人:深圳天珑无线科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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