芳香族液晶聚酯制造技术

提供一种有良好薄膜成形性的芳香族液晶聚酯。所得到薄膜的介电损耗小。该聚酯包含式（Ⅰ）、（Ⅱ）、（Ⅲ）和（Ⅳ）所示重复单元，且重复单元（Ⅰ）～（Ⅳ）的摩尔量分别是４０～７４．８％、１２．５～３０％、１２．５～３０％和０．２～１５％，其中重复单元（Ⅲ）和（Ⅳ）的摩尔量满足关系（Ⅲ）／［（Ⅲ）＋（Ⅳ）］≥０．５。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芳香族液晶聚酯和从该聚酯得到的薄膜。
技术介绍
以亚苯基基团作为其主要重复单元的芳香族液晶聚酯是已知的。例如，已经有人提出一种有60mol％从对羟基苯甲酸衍生的重复单元和20mol％从间苯二甲酸衍生的重复单元的芳香族液晶聚酯作为该以亚苯基基团作为其主要重复单元且介电损耗小的芳香族液晶聚酯(见日本专利申请公开公报No.2002-359145)。此外，这样一种芳香族液晶聚酯用溶剂浇铸法成形得到的薄膜也是已知的，而且已经在电器领域和电子领域中得到利用。然而，虽然以亚苯基基团作为其主要重复单元的惯常芳香族液晶聚酯可以用溶剂浇铸法成形，但难以用注塑成形法或管式法使该聚酯成形的一种薄膜。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的之一是提供一种薄膜成形性(可加工性)优异同时保持小介电损耗的芳香族液晶聚酯。本专利技术的专利技术者们进行了锐意研究，发现一种包含从羟基萘羧酸、萘二羧酸、对苯二甲酸等衍生的重复单元的芳香族液晶聚酯，从而达到了上述目的及其它目的。在这些发现的基础上完成了本专利技术。本专利技术提供一种包含以下式(I)、(II)、(III)和(IV)所示重复单元的芳香族液晶聚酯 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含以下式（Ⅰ）、（Ⅱ）、（Ⅲ）和（Ⅳ）所示重复单元的芳香族液晶聚酯：＊＊＊式中Ａｒ↓［１］和Ａｒ↓［２］各自独立地代表１，４－亚苯基或４，４’－亚联苯基，且重复单元（Ⅰ）的含量在４０ｍｏｌ％～７４．８ｍｏｌ％范 围内；重复单元（Ⅱ）的含量在１２．５ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％范围内；重复单元（Ⅲ）的含量在１２．５ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％范围内；和重复单元（Ⅳ）的含量在０．２ｍｏｌ％～１５ｍｏｌ％范围内，每个摩尔量比都是相对于 重复单元（Ⅰ）～（Ⅳ）的摩尔量之和而言的，其中，重复单元（Ⅲ）和...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冈本敏，细田朋也，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]