一种单连接线电沉积钨涂层的方法技术
A method for electrodeposition of tungsten coating on single connecting wire
The invention relates to a method for single cable tungsten electrodeposition coating, the method uses a single wire electro deposition of tungsten coating technology, compared with the conventional electrodeposition technique, tungsten anode placed directly on silicon carbide crucible bottom conductive, can not use the metal connecting wire can ensure the integrity of the circuit, reduce the cost of using electrodeposition connecting line. The cathode electrode uses high temperature nickel alloy wire instead of platinum wire as the connecting line, which further saves the cost of electrode connecting wire. The tungsten coating deposited by the method is still compact and has no crack.
【技术实现步骤摘要】
一种单连接线电沉积钨涂层的方法
本专利技术属于表面处理
，具体涉及一种单连接线电沉积钨涂层的方法。
技术介绍
金属钨具有非常高的熔点，极高的强度，很小的电子溢出功以及很好的化学稳定性和高温导电性等良好的物理化学性能，因此钨在电子行业、航天工艺中具有很好的应用前景，如作为X射线机中的拔出、热屏蔽材料、微机电系统半导体衬底等。但是，金属钨的加工性能较差，在室温下脆性很大，难于在常温下进行机械加工，并且钨的储量较少，价格昂贵。在普通材料制成的构件表面形成金属钨涂层，既可以减少加工的困难，又可以节省原料、降低成本，扩大钨的使用范围，充分发挥金属钨所具有的优秀机械、物理、化学性能。熔盐电沉积时是制取优质金属的方法，以其简单的设备组成和操作方法，以及其良好的结合能力等优点得到较为广泛的关注。北京科技大学张迎春课题组将熔盐电沉积技术应用于钨涂层的制备，使用氧化铝坩埚作为电沉积容器，在钨酸钠-三氧化钨(Na2WO4-WO3)体系中，采用电沉积技术，以高纯金属钨块为阳极，以CuCrZr为阴极，电极用高纯铂丝吊挂，温度为900℃时成功的在CuCrZr基体上制备出钨涂层，涂层表面...
【技术保护点】
一种单连接线电沉积钨涂层的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)熔盐配置：熔盐中钨酸钠和三氧化钨摩尔比为3:1，按比例将钨酸钠和三氧化钨混合均匀后放入碳化硅石墨坩埚中，碳化硅石墨坩埚置于带有不锈钢密封釜体内，在坩埚电阻炉中加热到指定温度，并通入保护气体氩气；2)连接电极：在上述熔盐中，阳极钨直接放入坩埚底部，不锈钢釜直接和阳极电源连接，仅使用单导线连接阴极基体，与阴极电源连接；3)电沉积：在氩气气氛中，温度为900℃下，采用电沉积工艺电镀得到钨镀层，其中电流密度为5‑100mA·cm
【技术特征摘要】
1.一种单连接线电沉积钨涂层的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)熔盐配置：熔盐中钨酸钠和三氧化钨摩尔比为3:1，按比例将钨酸钠和三氧化钨混合均匀后放入碳化硅石墨坩埚中，碳化硅石墨坩埚置于带有不锈钢密封釜体内，在坩埚电阻炉中加热到指定温度，并通入保护气体氩气；2)连接电极：在上述熔盐中，阳极钨直接放入坩埚底部，不锈钢釜直接和阳极电源连接，仅使用单导线连接阴极基体，与阴极电源连接；3)电沉积：在氩气气氛中，温度为900℃下，采用电沉积工艺电镀得到钨镀层，其中电流密度为5-100mA·cm-2，电沉积时间0.5-10h；4)取出样品：电沉积后，从熔盐去提出阴极，并随炉冷却，冷却...
【专利技术属性】
技术研发人员：江凡，邵绍峰，杨欣烨，吴红艳，
申请(专利权)人：南京信息工程大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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