Method for preparing green semiconductor nanocrystals the invention discloses a high color purity, the preparation method is as follows: first preparation of cadmium oleate (Cd (OA) 2 (Zn), zinc oleate (OA) and Se/TBP (2) three butyl phosphine) precursor solution; and then prepared Cd (OA) 2, Zn (OA) 2 precursor solution and eighteen ene in argon atmosphere heated to 97 DEG C 103, 20 stirred at this temperature for 25 minutes, then heated to 280 DEG C for 30 320 to 60 seconds; then injected Se/TBP solution prepared, and then temperature 5 8 minutes to room temperature, CdZnSe nano crystal. The preparation method of the invention is simple and easy to operate. The optical properties of CdZnSe nanocrystals prepared excellent, the fluorescence quantum yield of up to 60%, the fluorescence peak is approximately 530nm, fluorescence FWHM of about 18nm. And the preparation of nanometer crystals can reach the order of magnitude.
【技术实现步骤摘要】
高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法
本专利技术涉及半导体纳米晶体,尤其是一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法。
技术介绍
目前,半导体纳米晶体由于其独特的光学特性,如荧光量子产率高、荧光峰位可调、荧光半高宽窄,吸收带较宽等,使得其适合作为可见光发射器应用于显示和发光器件。特别地,纳米晶体的荧光半高宽对其色纯度具有很大的影响(特别是对绿光纳米晶体而言):半高宽越窄,色纯度越高;因此纳米晶的半高宽直接影响着基于纳米晶体的显示器件的显示色域。然而要获得具有高稳定性和色纯度的绿光纳米晶绝非易事,因为纳米晶在包层过程中半高宽很容易展宽,降低了色纯度。所以制备出半高宽窄的高色纯度半导体纳米晶体具有极其重要的应用意义和商业价值。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的问题,本专利技术提供了一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,采用的热注入的方法制备了绿光的CdZnSe四足状的纳米晶体,所获得的纳米晶体光学性质优越,荧光半高宽窄、光学性能稳定。为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案是一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,包括以下步骤:步骤a:制备出油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和硒/三丁基膦(Se/TBP)前驱溶液;步骤b:将制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液以及十八烯(ODE)混合,在氩气环境下升温至97-103℃,并在此温度下搅拌20-25min;步骤c:继续升温至297-303℃,停留30-60s;步骤d:加入步骤a中制备的Se/TBP前驱溶液,反应5-8min,后降温至室温,得到CdZnSe纳米晶体。于本专利技术一 ...
【技术保护点】
一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤a:制备出油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和硒/三丁基膦(Se/TBP)前驱溶液;步骤b:将制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液以及十八烯(ODE)混合,在氩气环境下升温至97‑103℃,并在此温度下搅拌20‑25min;步骤c:继续升温至297‑303℃,停留30‑60s;步骤d:加入步骤a中制备的Se/TBP前驱溶液,反应5‑8min,后降温至室温,得到CdZnSe纳米晶体。
【技术特征摘要】
1.一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤a:制备出油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和硒/三丁基膦(Se/TBP)前驱溶液;步骤b:将制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液以及十八烯(ODE)混合,在氩气环境下升温至97-103℃,并在此温度下搅拌20-25min;步骤c:继续升温至297-303℃,停留30-60s;步骤d:加入步骤a中制备的Se/TBP前驱溶液,反应5-8min,后降温至室温,得到CdZnSe纳米晶体。2.根据权利要求1所述的高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,其特征在于,步骤b中所述Cd(OA)2前驱溶液、Zn(OA)2前驱溶液和ODE的用量分别为0.008-0.012mmol、0.36-0.44mmol和29.7-32.8mmol。3.根据权利要求1所述的高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,其特征在于,步骤d中所加入的所述Se/TBP前驱溶液的用量为0.476-0.484mmol。4.根据权利要求1所述的高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法,其特征在于,所述Cd(OA)2前驱溶液的制备步骤为:将CdO、油酸和ODE置于三口烧瓶中,氩气气氛下将三者的混合物加热到240-280℃保持,直到溶液澄清后降至室温,其中,所述CdO与油酸的摩尔比为1:8。5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:张辉朝,逯鑫淼,赵巨峰,辛青,
申请(专利权)人:杭州电子科技大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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