用于制造改进的氧化铈研磨颗粒及包括这种颗粒的组合物的方法技术

提供用于制造改进的氧化铈研磨剂的方法，该氧化铈研磨剂适合于形成用于ＣＭＰ工艺的浆料组合物。在更大的次级研磨颗粒中引入的主要氧化铈颗粒的条件下，通过铈前体化合物和杂质金属化合物的混合物的热处理制造氧化铈研磨剂。杂质金属和／或次级研磨颗粒内不完全氧化的铈的存在易于减小其机械强度，由此利用这种研磨剂减小ＣＭＰ工艺过程中损坏衬底表面的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种用于制造改进的研磨颗粒的方法，一种用于制造包括这种研磨颗粒的浆料的方法，该浆料适合于在CMP(化学机械抛光)工艺中使用，一种使用这种浆料抛光半导体晶片的方法以及制造半导体器件的方法，该方法包括一个或多个使用该改进的研磨颗粒的CMP工艺。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)工艺包括在当前的硅集成电路(IC)制造工艺中广泛地使用的各种平面化技术，用于满足受当前光刻方法影响的局部和全部平面度约束。CMP工艺用于平整电介质，用于平整金属水平面(通常称为层间氧化物(ILO)或层间电介质(ILD))之间绝缘体和用于形成浅沟槽隔离(STI)结构以及用于平整诸如钨和铜的金属层，钨和铜用于在多层金属镶嵌工艺中形成导电结构。在先进的IC制造中由各种CMP工艺提供的生产率和性能的需要将有助于保持或增加它们的利用。根据被除去的材料，CMP工艺可以采用各种浆料组合物和研磨颗粒，用于从半导体晶片的表面除去希望材料。研磨颗粒通常选自金属氧化物，如氧化铝(Al2O3)、硅石(SiO2)、氧化铈(CeO2)、氧化锆(ZrO2)、以及二氧化钛(TiO2)，以及可以包括具有各种颗粒尺寸的颗粒。浆料组合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备氧化铈颗粒的方法，包括：在氧化环境下，加热铈前体化合物和次级金属化合物的混合物至约７００℃和约９００℃之间的热处理温度；以及在该热处理温度下保持混合物足够的处理时间，以获得热处理的产品，其中基本上所有铈前体化合物都已变为氧化铈（ＣｅＯ↓［ｘ］），其中满足表达式０＜ｘ≤２，以及其中氧化铈基本上引入所有的次级金属化合物作为次级金属氧化物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏在贤，李东峻，金男寿，文成泽，姜景汶，安峰秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]