【技术实现步骤摘要】
所属领域本专利技术属于水滑石
,特别是提供了。
技术介绍
文献H.Tagaya,S.Sato,T.Kuwahara,J.Kadokawa,K.Masa and K.Chiba,J.Mater.Chem.,1994,4,1907和T.Kuwahara,H.Tagaya and K.Chiba,MicroporousMater.1995,4,247,均采用离子交换法,以镁铝水滑石为主体,将有机光致变色物种引入层间,制备无机—有机杂化光致变色材料。此种方法的不足之处是该材料中水滑石只是作为改善有机光致变色材料的固体媒介,其本质上并没有参与光致变色,且受到插层客体自身的光敏性能,所带电荷及离子构型等因素的影响。自1975年(S.Miyata,Clays and Clay minerals,1975,23,369)就有共沉淀法合成镁铝硝酸根型的水滑石的报道,其后多数水滑石领域的研究者也合成过硝酸根型水滑石,而这些工作只是将硝酸根型的水滑石作为前体,通过离子交换的方法得到层间为体积较大的阴离子的插层水滑石,硝酸根型的水滑石并不是目的产物。GianniA.Caravaggi ...
【技术保护点】
一种具有光致变色特性的水滑石,其特征在于:晶体结构为类水滑石材料的晶体结构,化学式为:[(M↑[2+])↓[1-x](M↑[3+])↓[x](OH)↓[2]]↑[x+](A↑[n-])↓[x/n].mH↓[2]O,其中0.1 ≤x≤0.33,m=3-6为层间结晶水分子数,M↑[2+]代表二价金属离子,为Ni↑[2+],Co↑[2+]或Fe↑[2+]的任何一种;M↑[3+]代表三价金属离子,为Co↑[3+],Fe↑[3+],Al↑[3+]或Ga↑[3+]的 任何一种,A↑[n-]代表阴离子,为硝酸根、对硝基苯甲酸根、间硝基苯甲酸、对 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:段雪,卫敏,徐向宇,李峰,张慧,
申请(专利权)人:北京化工大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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