三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂及其制备方法和应用，该双Z型光催化剂以氮化碳为载体，氮化碳上修饰有三氧化钨和氧化铋。其制备方法包括将五水硝酸铋、钨酸与三聚氰胺混合，研磨，煅烧，得到三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂。本发明专利技术的双Z型光催化剂具有光吸收能力强、光生电子‑空穴分离效率高、光催化活性高、氧化还原能力强等优点，其制备方法具有合成方法简便、原料成本低、耗能少、耗时短、条件易控等优点，适于连续大规模批量生产，便于工业化利用。本发明专利技术的双Z型光催化剂可用于降解抗生素废水，具有应用方法简单、降解效率高、耐腐蚀性能强、光催化性能稳定性好的优点，有着很好的实际应用前景。

Tungsten oxide / carbon nitride / bismuth oxide double Z photocatalyst and preparation method and application thereof

The invention discloses a tungsten oxide / carbon nitride / bismuth oxide double Z photocatalyst and its preparation method and the application of the double Z type catalyst with carbon nitride as carrier, carbon nitride modified with tungsten oxide and bismuth oxide. The preparation method comprises five water bismuth nitrate, tungstic acid and melamine mixing, grinding, calcining time / carbon nitride / bismuth oxide double Z photocatalyst. Double Z type catalyst of the invention has the advantages of light absorption ability, the photogenerated electron hole high separation efficiency, high photocatalytic activity, strong redox ability, the preparation method has simple synthesis process, low material cost, low energy consumption, short time-consuming, easily controllable conditions and other advantages, and is suitable for large scale mass production, convenient for industrial use. The double Z type photocatalyst can be used for degrading antibiotic wastewater, and has the advantages of simple application method, high degradation efficiency, strong corrosion resistance and good stability of photocatalytic performance, and has good practical application prospect.

【技术实现步骤摘要】
三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂及其制备方法和应用
本专利技术属于光催化
，涉及一种双Z型光催化剂及其制备方法和应用，具体涉及一种三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂及其制备方法和应用。
技术介绍
将半导体光催化剂用于降解有毒有害有机污染物对解决环境污染具有重要意义。然而，宽带隙和低量子效率仍然是半导体光催化剂的“瓶颈”。因此，积极开发高效可再生的具有可见光响应的半导体光催化剂，对充分发挥太阳能的作用具有重要的意义。氮化碳(g-C3N4)作为一种半导体光催化剂，因其良好的化学稳定性、合适的能带位置以及经济环保等特性，在太阳能利用、环境保护等领域展现出良好的应用前景，已引起广泛关注，但纯相氮化碳的能隙约为2.7eV，只能利用波长为460nm以下的太阳光，且聚合产物为密实块体颗粒，存在比表面积低、光生载流子分离能力较弱、光催化活性差等问题，限制了该材料的广泛应用。近年来，随着对半导体异质结、Z型机制的不断深入研究，为解决氮化碳存在的上述问题提供了新的思路和途径。现有研究中，为了提高氮化碳材料的光生载流子分离能力、光催化活性，通常采用其他半导体材料与氮化碳复合形成异质结(如氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂，其特征在于，所述三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂以氮化碳为载体，所述氮化碳上修饰有三氧化钨和氧化铋。

【技术特征摘要】
1.一种三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂，其特征在于，所述三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂以氮化碳为载体，所述氮化碳上修饰有三氧化钨和氧化铋。2.根据权利要求1所述的三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂，其特征在于，所述三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂中，所述三氧化钨的质量百分含量为1％～4％，所述氧化铋的质量百分含量为2％～7％，所述氮化碳的质量百分含量为89％～97％。3.根据权利要求1或2所述的三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂，其特征在于，所述三氧化钨为片状结构；所述氧化铋为微球状结构；所述氮化碳为板岩块状结构。4.一种如权利要求1～3中任一项所述的三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将五水硝酸铋、钨酸与三聚氰胺混合，研磨，得到混合物前驱体；S2、将步骤S1中得到的混合物前驱体进行煅烧，得到三氧化钨/氮化碳/氧化铋双Z型光催化剂。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2，具体为：先将步骤S1中得到的混合物前驱体升温至510℃～520℃煅烧1h～3h，再升温至530℃～5...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁兴中，蒋龙波，陈晓红，梁婕，曾光明，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43