功率均衡放大器模块的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种功率均衡放大器模块的制备方法，其中，所述制备方法包括：1)电源电路套件的制备；2)均衡器电路套件的制备；3)射频电路的装配；4)功率均衡放大器模块的制备。本发明专利技术先制备电源电路套件，再制备均衡器电路套件，而后在壳体上装配射频电路，并将上述多个套件各自安装和连接，从而使得通过上述方法制得的功率均衡放大器模块具有良好的使用性能，能满足更高的使用要求。

【技术实现步骤摘要】
功率均衡放大器模块的制备方法
本专利技术涉及微波放大器的生产制备领域，具体地，涉及功率均衡放大器模块的制备方法。
技术介绍
随着无线信息，数据通信、空间通信等领域的飞速发展，作为射频系统中重要部件之一的微波功率均衡放大器已广泛应用与移动通信的基站和数字发射机以及军事
中。为了满足带宽、输出功率、效率和线性度等的应用要求，对功率均衡放大器也提出了更高的要求和挑战。因此，提供一种具有较高的输出功率和覆盖2个倍频程的增益均衡能力，可作为高功率发射机的推动机使用的功率均衡放大器模块的制备方法是本专利技术亟需解决的问题。
技术实现思路
针对上述现有技术，本专利技术的目的在于克服现有技术中现有功率均衡放大器已难以满足日益发展的技术的要求，从而提供一种具有较高的输出功率和覆盖2个倍频程的增益均衡能力，可作为高功率发射机的推动机使用，是要求较高的发射机的重要组成部件的功率均衡放大器模块的制备方法为了实现上述目的，本专利技术提供了一种功率均衡放大器模块的制备方法，其中，所述制备方法包括：1)电源电路套件的制备：将多个第一元器件装配于电源电路板上，制得电源电路套件；2)均衡器电路套件的制备：将均衡器电路板安装至均衡器托板上，制得均衡器电路组件，然后将多个第二元器件装配于均衡器电路组件上，制得均衡器电路套件；3)射频电路的装配：将射频绝缘子和接地柱安装到壳体上，并将射频电路板安装到壳体上，而后将多个第三元器件装配于射频电路板上，且射频电路板和多个第三元器件构成射频电路套件；4)功率均衡放大器模块的制备：将步骤1)中制得的电源电路套件和步骤2)中制得的均衡器电路套件安装到所述壳体上，并将电源电路套件和射频电路套件通过导线连接，均衡器电路套件和射频电路套件进行连接后，将上盖板和下盖板固定到所述壳体上，制得功率均衡放大器模块。优选地，所述制备方法还包括在步骤1)之前，先将各部件进行清洗，且各部件至少包括壳体、上盖板、下盖板和均衡器托板。优选地，清洗过程为采用酒精进行清洗。优选地，清洗过程还包括在采用酒精清洗后用氮气枪对各部件吹干后再进行烘干，且烘干温度为90-110℃，烘干时间为10-25min。优选地，步骤1)中为使用焊锡膏将第一元器件装配于电源电路板上。优选地，装配为采用烧结进行装配。优选地，烧结温度为210-220℃。优选地，步骤1)中，烧结后还包括将电源电路套件置于气相清洗机中进行清洗，且清洗时间为10-15min。优选地，步骤1)中，清洗后还包括对电源电路套件进行检测。优选地，步骤2)中为采用焊锡膏将均衡器电路板安装至均衡器托板上，且焊锡膏的温度为215-220℃。优选地，步骤2)中均衡器电路板安装至均衡器托板上为采用烧结安装，且烧结温度为250-260℃。优选地，步骤2)中为采用锡焊膏将多个第二元器件装配于均衡器电路组件上，且锡焊膏的温度为180-185℃。优选地，步骤2)中多个第二元器件装配于均衡器电路组件上为采用烧结安装，且烧结温度为210-220℃。优选地，步骤2)中还包括将制得的均衡器电路套件进行清洗，且清洗时间为10-15min。优选地，步骤2)中，清洗后还包括对均衡器电路套件进行检测。优选地，步骤3)中为采用焊锡膏将射频绝缘子和接地柱安装到壳体上。优选地，将射频电路板安装到壳体上为采用烧结安装，且烧结温度为240-250℃。优选地，将多个第三元器件装配于射频电路板上为采用温度为180-185℃的焊锡膏进行烧结安装，且烧结温度为210-220℃。优选地，步骤3)中还包括将制得的射频电路套件进行清洗，且清洗时间为10-15min。优选地，步骤3)中，清洗后还包括对射频电路套件进行检测。优选地，步骤4)中，电源电路套件和均衡器电路套件为通过螺钉、弹垫和垫片各自可拆卸地安装到所述壳体上。优选地，导线为焊接连接，且连接后还包括清洗和测试。根据上述技术方案，本专利技术先制备电源电路套件，再制备均衡器电路套件，而后在壳体上装配射频电路，并将上述多个套件各自安装和连接，从而使得通过上述方法制得的功率均衡放大器模块具有良好的使用性能，能满足更高的使用要求。本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块的外部结构示意图；图2是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块的外部结构示意图；图3是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块的外部结构示意图；图4是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块电源电路套件装配示意图；图5是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块均衡器电路套件装配示意图；图6是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块射频电路装配示意图；图7是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块射频电路装配示意图；图8是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块射频电路装配示意图；图9是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块正面装配示意图；图10是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块背面装配示意图；图11是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块上盖板结构示意图；图12是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块下盖板结构示意图；图13是本专利技术提供的一种功率均衡放大器模块结构工装结构示意图。附图标记说明1-均衡器电路板2-均衡器托板3-接地柱4-射频绝缘子5-壳体6-射频电路板。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，“上、下”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位，或为本领域技术人员理解的俗称，而不应视为对该术语的限制。本专利技术提供了一种功率均衡放大器模块的制备方法，其中，如图1-13所述，所述制备方法包括：1)电源电路套件的制备：将多个第一元器件装配于电源电路板上，制得电源电路套件；2)均衡器电路套件的制备：将均衡器电路板1安装至均衡器托板2上，制得均衡器电路组件，然后将多个第二元器件装配于均衡器电路组件上，制得均衡器电路套件；3)射频电路的装配：将射频绝缘子4和接地柱3安装到壳体5上，并将射频电路板6安装到壳体5上，而后将多个第三元器件装配于射频电路板6上，且射频电路板6和多个第三元器件构成射频电路套件；4)功率均衡放大器模块的制备：将步骤1)中制得的电源电路套件和步骤2)中制得的均衡器电路套件安装到所述壳体5上，并将电源电路套件和射频电路套件通过导线连接，均衡器电路套件和射频电路套件进行连接后，将上盖板和下盖板固定到所述壳体5上，制得功率均衡放大器模块。本专利技术先制备电源电路套件，在制备均衡器电路套件，而后在壳体5上装配射频电路，并将上述多个套件各自安装和连接，从而使得通过上述方法制得的功率均衡放大器模块具有良好的使用性能，能满足更高的使用要求。一种优选的实施方式中，为了使制得的功率均衡放大器模块具有更好的使用性能，所述制备方法还可以包括在步骤1)之前，先将各部件进行清洗，且各部件至少包括壳体5、上盖板、下盖板和均衡器托板2。在本专利技术的一种更为优选的实施方式中，清洗过程可以进一步选择为采用酒精进行清洗。更为优选地，清洗过程还包括在采用酒精本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率均衡放大器模块的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)电源电路套件的制备：将多个第一元器件装配于电源电路板上，制得电源电路套件；2)均衡器电路套件的制备：将均衡器电路板(1)安装至均衡器托板(2)上，制得均衡器电路组件，然后将多个第二元器件装配于均衡器电路组件上，制得均衡器电路套件；3)射频电路的装配：将射频绝缘子(4)和接地柱(3)安装到壳体(5)上，并将射频电路板(6)安装到壳体(5)上，而后将多个第三元器件装配于射频电路板(6)上，且射频电路板(6)和多个第三元器件构成射频电路套件；4)功率均衡放大器模块的制备：将步骤1)中制得的电源电路套件和步骤2)中制得的均衡器电路套件安装到所述壳体(5)上，并将电源电路套件和射频电路套件通过导线连接，均衡器电路套件和射频电路套件进行连接后，将上盖板和下盖板固定到所述壳体(5)上，制得功率均衡放大器模块。

【技术特征摘要】
1.一种功率均衡放大器模块的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)电源电路套件的制备：将多个第一元器件装配于电源电路板上，制得电源电路套件；2)均衡器电路套件的制备：将均衡器电路板(1)安装至均衡器托板(2)上，制得均衡器电路组件，然后将多个第二元器件装配于均衡器电路组件上，制得均衡器电路套件；3)射频电路的装配：将射频绝缘子(4)和接地柱(3)安装到壳体(5)上，并将射频电路板(6)安装到壳体(5)上，而后将多个第三元器件装配于射频电路板(6)上，且射频电路板(6)和多个第三元器件构成射频电路套件；4)功率均衡放大器模块的制备：将步骤1)中制得的电源电路套件和步骤2)中制得的均衡器电路套件安装到所述壳体(5)上，并将电源电路套件和射频电路套件通过导线连接，均衡器电路套件和射频电路套件进行连接后，将上盖板和下盖板固定到所述壳体(5)上，制得功率均衡放大器模块。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在步骤1)之前，先将各部件进行清洗，且各部件至少包括壳体(5)、上盖板、下盖板和均衡器托板(2)。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，清洗过程为采用酒精进行清洗；优选地，清洗过程还包括在采用酒精清洗后用氮气枪对各部件吹干后再进行烘干，且烘干温度为90-110℃，烘干时间为10-25min。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中为使用焊锡膏将第一元器件装配于电源电路板上；优选地，装配为采用烧结进行装配；进一步优选地，烧结温度为210-220℃。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，烧结后还包括将电源电路套件置于气相清洗机中进行清洗，且清洗时间为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂庆燕，吴克鑫，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：安徽,34