一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，包括以下步骤：(1)采用Hummers法或改进的Hummers法合成氧化石墨烯，得到氧化石墨烯合成体系；(2)将密度大于水，且不与水混溶的有机溶剂与含有金属阳离子的水溶液混合，得到硫酸根洗涤液；所述硫酸根洗涤液分为上层水层和下层有机溶剂层；其中所述金属阳离子能够与硫酸根形成沉淀；(3)将步骤(1)中的氧化石墨烯合成体系输送到所述硫酸根洗涤液中靠近两层交界处的水层中，静置，以使氧化石墨烯合成体系中的氧化石墨烯沉入所述有机溶剂层中。本发明专利技术提供的除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，更简洁，更适于工业生产。

Method for removing sulfate impurity in synthetic system of graphene oxide

The embodiment of the invention provides a method for removing sulfate impurity graphene oxide synthesis system, which comprises the following steps: (1) using Hummers method and modified Hummers method synthesis of graphene oxide, then graphene oxide synthesis system; (2) the higher density than water, and not with a water miscible organic solvent mixed with metal cation containing aqueous solution, sulfuric acid root washing liquid; the sulfuric acid washing liquid is divided into upper layer and the lower layer of organic solvent; wherein the metal cation can form precipitation and sulfate; (3) the step (1) graphene oxide synthesis system to convey the sulfuric acid the root of the washing liquid is close to the two layer at the junction of the aquifer, static, in order to make graphene oxide graphene oxide synthesis system into the organic solvent layer. The method for removing sulfate impurities in the synthetic system of graphene oxide is simpler and more suitable for industrial production.

【技术实现步骤摘要】
一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法
本专利技术涉及氧化石墨烯合成
，特别是涉及一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法。
技术介绍
石墨烯是单层碳原子结构，由sp2杂化形成的稳定二维结构，六边形紧密排列的网状晶体，独特的结构赋予了石墨烯独特的物理化学性质。目前，关于石墨烯复合材料的研究已经涉及到催化、发光、储能以及生物医药等诸多领域，且均展现了巨大的应用前景。氧化石墨烯(GO)是石墨烯众多衍生物中的一种，具有聚合物、胶体、薄膜以及两性分子的特性。氧化石墨烯主要是由碳原子和一些极性含氧官能团(如-OH、-COOH、C＝O、-O-等)组成，保留了石墨烯中离域π共轭体系。氧化石墨烯具有良好的亲水性，高比表面积与π-π堆积作用，这些优点为氧化石墨烯的应用提供了极大的优势，成为石墨烯复合材料的研究重点之一。因为改进的Hummers法合成氧化石墨烯的生产成本较低，所以目前工业生产中普遍使用改进的Hummers法合成氧化石墨烯；但使用改进的Hummers法合成氧化石墨烯后，整个合成体系中含有大量的杂质硫酸根离子需要去除。目前工业上除去硫酸根离子的方法，都是离心洗涤的方式。但是离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用Hummers法或改进的Hummers法合成氧化石墨烯，合成结束后，得到氧化石墨烯合成体系；(2)将密度大于水，且不与水混溶的有机溶剂与含有金属阳离子的水溶液混合，得到硫酸根洗涤液；所述硫酸根洗涤液分为上层水层和下层有机溶剂层；其中所述金属阳离子能够与硫酸根形成沉淀；(3)将步骤(1)中的氧化石墨烯合成体系输送到所述硫酸根洗涤液中靠近两层交界处的水层中，静置，以使氧化石墨烯合成体系中的氧化石墨烯沉入所述有机溶剂层中。

【技术特征摘要】
1.一种除去氧化石墨烯合成体系中硫酸根杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用Hummers法或改进的Hummers法合成氧化石墨烯，合成结束后，得到氧化石墨烯合成体系；(2)将密度大于水，且不与水混溶的有机溶剂与含有金属阳离子的水溶液混合，得到硫酸根洗涤液；所述硫酸根洗涤液分为上层水层和下层有机溶剂层；其中所述金属阳离子能够与硫酸根形成沉淀；(3)将步骤(1)中的氧化石墨烯合成体系输送到所述硫酸根洗涤液中靠近两层交界处的水层中，静置，以使氧化石墨烯合成体系中的氧化石墨烯沉入所述有机溶剂层中。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)之后还包括：将所述氧化石墨烯从所述有机溶剂层中分离出来。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属阳离子选自钙离子、钡离子、铅离子、汞离子、锶离子或银离子中的一种或多种，优选为钙离子。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓晶，邵百一，刘盛堂，
申请(专利权)人：北京师范大学，北京师大科技园科技发展有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11