一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，并在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P

A preparation method of SOI infrared detector based on quantum dot heterostructures

The invention provides a preparation method of infrared detector, SOI quantum dot heterostructures based on SOI substrate includes: 1) to provide, including the top and bottom of silicon silicon and buried oxide layer; 2) edge etching layer silicon; 3) deposited on the silicon surface on both sides of the top metal contact material, and then annealing metal forming as the source of contact silicide contact layer and the drain region; 4) deposition covering the contact layer source region and the source region of the metal electrode drain contact layer and drain metal electrode, and metal gate electrode deposited on the surface of the underlying silicon bottom; 5) and the activation of ion implantation at the contact interface the top silicon layer, and source drain contact contact layer on the formation of P

【技术实现步骤摘要】
一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法
本专利技术涉及红外探测器的制造领域，特别是涉及一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法。
技术介绍
红外探测对环境的适应性优于可见光，可在夜间及恶劣环境下工作，且红外探测隐蔽性好，比雷达和激光探测更安全，对伪装目标识别率更高，再者与雷达系统相比，红外系统具有体积小、重量轻、功耗低等优点，因此在军事上红外探测可应用于红外夜视、红外制导、红外侦查、红外报警等方面；红外探测技术不仅在军事方面有很多应用，通过对军事领域中的先进研究成果进行转换和工艺改进之后，红外探测器在民用领域中也有了广泛的应用，红外探测可应用于健康监控、光通讯及三维目标识别等方面，在气象预报、矿产勘查、地貌监测、车辆轴温检测等方面有着不可替代的作用。早期的红外探测一般是通过对红外辐射的简单探测解决控制及夜视相关的问题，而后续发展的红外焦平面阵列可探测温度差异并形成红外图像。红外焦平面阵列是位于成像系统焦平面阵列处大量红外探测器像元的集合，分为扫描型和凝视型两种。扫描型红外焦平面阵列系统一般只有一排探测器像元，采用串行方式对电信号进行读取，需时间延迟积分；凝视型红外焦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、底层硅以及形成于所述顶层硅和底层硅之间的埋氧层；2)刻蚀去除所述顶层硅的边缘区域；3)在所述顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，然后经过退火使所述金属接触材料与下方对应区域的所述顶层硅反应形成金属硅化物，分别作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，同时在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P

【技术特征摘要】
1.一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、底层硅以及形成于所述顶层硅和底层硅之间的埋氧层；2)刻蚀去除所述顶层硅的边缘区域；3)在所述顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，然后经过退火使所述金属接触材料与下方对应区域的所述顶层硅反应形成金属硅化物，分别作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，同时在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P+区域和N+区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。2.根据权利要求1所述的基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法，其特征在于：所述顶层硅为普通硅、应变硅或者SiGe。3.根据权利要求1所述的基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，采用反应离子刻蚀工艺或电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀所述顶层硅的边缘区域。4.根据权利要求1所述的基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法，其特征在于：所述步骤3)中的所述金属接触材料与所述顶层硅的厚度比为1:5～1:3。5.根据权利要求1所述的基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，所述退火温度为600～900℃，退火时间为30～180s。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑理，程新红，宁志军，徐大伟，沈玲燕，王谦，张栋梁，顾子悦，俞跃辉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31