本发明专利技术公开了超高纯四氯化碳的制备方法,首先对原料除水处理,再通过精馏操作,去除绝大部分的有机杂质和无机杂质;再通过采用分子筛和活性炭吸附,将极其微量的有机杂质吸附;再经过滤,分离掉分子筛和活性炭,得到不含有机杂质的滤液;最后经蒸馏,去除无机杂质,最终得到高纯的四氯化碳。经GC检测,该制备方法可以除去四氯化碳中的有机杂质,并且通过ICP‑OES的全元素检测,所有的无机杂质含量<1ppm,该制备方法获得的四氯化碳纯度高达99.9999%,满足半导体行业的原料使用要求;该制备方法成本较低,操作简单,所需人工少,适合工业化规模生产。
【技术实现步骤摘要】
超高纯四氯化碳的制备方法
本专利技术涉及用于半导体行业所用的前驱体,尤其涉及超高纯四氯化碳的制备方法,属于高纯化学品制备
技术介绍
四氯化碳是一种无色有毒的易挥发液体,具有氯仿的微甜气味。主要用于有机合成、药物萃取剂、杀虫剂、制冷剂、某些金属非金属的鉴定试剂。生产四氯化碳的方法通常有:甲烷热氯取代法、二硫化碳氯化法、光气催化法、高压氯解法、甲烷氧氯化法、甲醇氢氯化法等,其中以甲烷热氯取代法和二硫化碳法最为常用。市面上销售的四氯化碳试剂,品质较好的其有效含量约为99.5%,其中含有少量的二硫化碳、氯仿和水等杂质。此类四氯化碳不能直接作为半导体行业的前驱体原料,在半导体行业中,四氯化碳作为C元素的来源,需要6N的超高纯度,且不能含有水,所以必须经过进一步的提纯,使其各项技术指标都能达到6N标准。通常四氯化碳中含有二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、二硫化碳、甲醇、四氯乙烯及衍生物、水等杂质。常温常压下,四氯化碳的沸点为76.8℃;作为一种优良的溶剂,四氯化碳可以和很多种常见的有机物互溶,尤其会和一些有机物形成共沸物,如1,2-二氯乙烷,导致其通过精馏的方法,往往会残留少量二硫化碳、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷和水等杂质。技术人员常常采用吸附法去除四氯化碳中的有机杂质。专利公开号为CN2379461Y、CN204111620U、CN102417434A、CN106040206A的专利公开四氯化碳的提纯方法,最高能使纯度达到99.9%,缺点在于操作繁琐,且不可避免都含有水分,这显然不能满足半导体用超高纯四氯化碳的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种超高纯四氯化碳的制备方法。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现:超高纯四氯化碳的制备方法,特点是:包括以下步骤:1)原料的除水处理;2)无氧无水惰性气氛精馏,收集中间馏分;3)中间馏分的4A分子筛和活性炭混合吸附;4)过滤,蒸馏。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,步骤1),原料的除水处理采用P2O5。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,步骤1),取四氯化碳装入圆底烧瓶中,将P2O5加入到四氯化碳原料中,密封后摇匀,转移至无水无氧的惰性气体手套箱中,静置。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,步骤2),在惰性气氛手套箱中,将四氯化碳过滤,采用含有θ型不锈钢填料的精馏柱对滤液进行精馏,去除低沸点馏分和高沸点杂质,收集中间段馏分。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,步骤2),惰性气氛的气体是氮气、氩气、氦气中的一种。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,步骤3),将若干4A分子筛和活性炭通过真空烘箱进行活化再生,冷却后直接加入四氯化碳作为吸附剂,通过吸附的方法除去剩余的微量有机杂质。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,采用搅拌的吸附方式。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,以四氯化碳的重量计算,吸附剂的加入量为10%。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,隔时间段对四氯化碳进行取样,若36h后尚有有机杂质未被除去,再加入吸附剂吸附。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,在惰性气氛手套箱中将四氯化碳过滤,分离掉吸附剂,通过蒸馏,收集中间馏分,除去无机杂质。进一步地,上述的超高纯四氯化碳的制备方法,其中,分离开的吸附剂通过减压抽烘的方式,分离出吸附的有机物和四氯化碳,经干燥后可重复使用。本专利技术与现有技术相比具有显著的优点和有益效果,具体体现在以下方面:①本专利技术首先通过常压精馏操作,去除了绝大部分的有机杂质和无机杂质;再通过采用合适的分子筛和活性炭吸附,将极其微量的有机杂质吸附;再经过滤,分离掉分子筛和活性炭,得到不含有机杂质的滤液;最后经蒸馏,去除无机杂质,最终得到高纯的四氯化碳;②经GC检测,该制备方法可以除去四氯化碳中的有机杂质,并且通过ICP-OES的全元素检测,所有的无机杂质含量<1ppm,该制备方法获得的四氯化碳纯度高达99.9999%,满足半导体行业的原料使用要求;③该制备方法成本较低,操作简单,所需人工少,适合工业化规模生产。附图说明图1:本专利技术的工艺流程示意图。具体实施方式为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明具体实施方案。高纯四氯化碳,其特征是其化学结构式为:如图1所示,超高纯四氯化碳的具体制备工艺:1)原料的除水处理,取四氯化碳装入圆底烧瓶中,将P2O5加入到四氯化碳原料中,密封后摇匀,转移至无水无氧的惰性气体手套箱中,静置;2)无氧无水惰性气氛精馏,收集中间馏分;在惰性气氛手套箱中,将四氯化碳过滤,采用含有θ型不锈钢填料的精馏柱对滤液进行精馏,去除低沸点馏分和高沸点杂质,收集中间段馏分;惰性气氛的气体是氮气、氩气、氦气中的一种;3)中间馏分的4A分子筛和活性炭混合吸附;将若干4A分子筛和活性炭通过真空烘箱进行活化再生,冷却后直接加入四氯化碳作为吸附剂,通过吸附的方法除去剩余的微量有机杂质;采用搅拌的吸附方式,以四氯化碳的重量计算,吸附剂的加入量为10%;4)过滤,蒸馏;在惰性气氛手套箱中将四氯化碳过滤,分离掉吸附剂,通过蒸馏,收集中间馏分,除去无机杂质;分离开的吸附剂通过减压抽烘的方式,分离出吸附的有机物和四氯化碳,经干燥后可重复使用。实施例生产四氯化碳的厂家很多,所用工艺都不一样,导致所含有的杂质含量不同。使用GC检测,通过对比,对不同厂家的AR级四氯化碳进行筛选,选择有机杂质少、四氯化碳有效含量高的产品作为原料。经GC检测,原料中四氯化碳的有效含量为96.82%,有机杂质种类大约14种,占3.18%。取5L四氯化碳装入圆底烧瓶中,将0.15%(以四氯化碳的重量计算)的AR级P2O5加入到四氯化碳原料中,密封后摇匀,转移至无水无氧的惰性气体手套箱中,静置1天。通过梅特勒-托利多水分仪检测,待原料中的水分被完全除去后进行下一步操作。在惰性气体手套箱中,将上述四氯化碳过滤,使用含有θ型不锈钢填料的精馏柱对滤液进行精馏,去除15%低沸点馏分和15%高沸点杂质,收集中间段70%的馏分。经GC检测,四氯化碳的有效含量提升至99.4%,同时含有6种有机杂质,占0.6%。这0.6%的杂质不能够通过精馏方法除去。将若干4A分子筛和活性炭通过真空烘箱中以150℃高温抽烘8小时进行活化再生,冷却后直接加入四氯化碳作为吸附剂,通过吸附的方法除去剩余的微量有机杂质。有机杂质的分子尺寸基本都小于通过4A钠型分子筛,可以吸附掉尺寸以下的有机杂质,大于该尺寸的有机杂质被活性炭吸附,该活性炭能有效吸附分子尺寸在之间的有机杂质。吸附时间随温度、有机杂质含量、混合方式而定,搅拌的吸附效果比静置的效果好。一般先加入10%的吸附剂(以四氯化碳的重量计算)。隔时间段对上述四氯化碳进行取样,若36h后还有有机杂质未被除去,应适量再加入吸附剂吸附。当有机杂质被完全吸附后,可进行下一步操作。吸附剂的加入带来了微量无机杂质,如Si元素和Al元素进入上述的四氯化碳中,需要在手套箱中将四氯化碳过滤,分离掉吸附剂,通过蒸馏,收集中间馏分,除去无机杂质。得到的馏分经ICP-OES全元素检测,所有的无机杂质含量<1ppm;通过GC检测,有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
超高纯四氯化碳的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)原料的除水处理;2)无氧无水惰性气氛精馏,收集中间馏分;3)中间馏分的4A分子筛和活性炭混合吸附;4)过滤,蒸馏。
【技术特征摘要】
1.超高纯四氯化碳的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)原料的除水处理;2)无氧无水惰性气氛精馏,收集中间馏分;3)中间馏分的4A分子筛和活性炭混合吸附;4)过滤,蒸馏。2.根据权利要求1所述的超高纯四氯化碳的制备方法,其特征在于:步骤1),原料的除水处理采用P2O5。3.根据权利要求1或2所述的超高纯四氯化碳的制备方法,其特征在于:步骤1),取四氯化碳装入圆底烧瓶中,将P2O5加入到四氯化碳原料中,密封后摇匀,转移至无水无氧的惰性气体手套箱中,静置。4.根据权利要求1所述的超高纯四氯化碳的制备方法,其特征在于:步骤2),在惰性气氛手套箱中,将四氯化碳过滤,采用含有θ型不锈钢填料的精馏柱对滤液进行精馏,去除低沸点馏分和高沸点杂质,收集中间段馏分。5.根据权利要求1或4所述的超高纯四氯化碳的制备方法,其特征在于:步骤2),惰性气氛的气体是氮气、氩气、氦气中的一种。6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐耀中,万欣,刘宇,董礼,许从应,林俊元,潘兴华,常华,
申请(专利权)人:江苏南大光电材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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