一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法技术
A gas source molecular composition graded transition layer material beam epitaxial growth method
The present invention relates to a growth method, a component gradient transition layer gas source molecular beam epitaxy material includes: with two or more V elements gas source molecular beam epitaxy growth of heterojunction one or both material components in a graded transition layer, grown by two or to the gas source. III beam source for solid beam by a shutter switch control; V beam source for gas, the pressure or the flow control group V or V III beam intensity ratio, purifiedfractions graded transition layer. The transition layer obtained by the material growth method of the present invention can effectively alleviate the negative effect of the band peak at the heterogeneous interface or the lattice and component mutation on the device performance in the heterojunction device, thereby improving the performance of the device or developing the new device.
【技术实现步骤摘要】
一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法
本专利技术属于半导体光电子器件制备领域，特别涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法。
技术介绍
近年来，随着量子阱、超晶格等结构的研究，能带工程在半导体器件和光电子器件领域中发挥了重要作用，而能带工程的应用依赖异质结技术的完善。由于具有不同材料禁带宽度的异质结能够使得器件具有不同于同质结器件的功能，因而在异质结光电晶体管、异质结激光二极管和雪崩光电二极管(AvalanchePhotodiode,APD)等器件设计中有重要的应用。但是，由于异质结界面两侧材料的晶格常数不同，容易造成界面畸变，形成位错和缺陷；另外，两种材料不同大小的禁带宽度，容易在异质结界面处产生带阶，产生能带尖峰效应，给载流子在异质结中的输运产生影响。不过，生长工艺技术的发展，为半导体异质结材料的完满生长提供了条件，如分子束外延技术在控制原子层尺度生长和动力学控制生长机制方面的优越性，为各种具有复杂结构设计的光电子器件提供了发展的基础。例如，APD因具有倍增效应而比PN探测器具有更高的灵敏度和探测率，特别适用于微弱光信号的探测，获得了越...
【技术保护点】
一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V‑III比，获得组分递变过渡层。
【技术特征摘要】
1.一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V-III比，获得组分递变过渡层。2.根据权利要求1所述的一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈星佑，张永刚，顾溢，马英杰，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31
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