半导体晶片和/或基板加工用粘合片制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种与作为粘附物的半导体晶片和／或基板等的粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确保充分的粘附力，同时在照射紫外线和／或放射线后，使粘附力降低至进行拾取等时的最适值，完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。该半导体晶片和／或基板加工用粘合片具有对紫外线和／或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和／或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶片和/或基板加工用粘合片，更详细地，涉及具有基 材和含有特定成分的粘合剂层的半导体晶片和/或基板加工用粘合片。
技术介绍
目前，切割、展开半导体晶片和/或基板，接着，在拾取半导体晶片和/ 或基板的同时进行安装时，为了固定半导体晶片和/或基板，使用半导体晶片 和/或基板加工用薄片。这样的薄片是，在对紫外线和/或放射线具有透过性的基材上，涂布利用 紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，在切割后，对粘合剂层照 射紫外线和/或放射线，使粘合剂层进行聚合固化反应，使粘着力降低，可以 拾取半导体晶片、芯片或基板等的单个片。例如，提出了如下所述的半导体晶片加工用粘合片，在这样的薄片中，粘合剂层含有基础聚合物、分子量15000 ~ 50000的多官能聚氨酯丙烯酸酯 类低聚物、聚酯类增塑剂和光聚合引发剂，相对于100重量份基础聚合物， 聚酯类增塑剂的含有比率为1 50重量份(例如专利文献1等)。再者，提出 了粘合剂层中使用分子量3000 ~ 10000左右的多官能聚氨酯丙烯酸酯类低聚 物的方案(例如专利文献2等)。但是，最近，如下所述的晶片在不断增加，该晶片在表面存在5-l(Him 左右深度的通过照射激光而印字的标记。另外，在载置了半导体芯片等的基 板被树脂密封后的封装(package)中，也使用了在成为胶粘带粘附面的密封树 脂面上具有0.4 ~ 15nm左右粗糙面的基板，或者采用与晶片同样的方法印字 的具有25 ~ 40^m深度标记的基板。在切断具有这样的凹凸的半导体晶片和/或基板时，在目前使用的粘合片 中，由于不能使粘附面充分地追随凹凸，所以得不到充分的粘着力，结果是 在切断晶片或基板时，产生芯片或封装飞起、成品率大幅度下降这样的不良 情况。再者，飞出的芯片等冲击切断刀片，还产生损坏刀片这样的不良情况。对此，提出了下述方法，例如，通过在粘合剂中使用由JISK0070-1992 7.1中和滴定法导出的羟值为50- 150KOHmg/g的特定的增粘剂来构成薄 片，与有无印字无关，在切断半导体基板时，防止芯片等的飞出(例如专利 文献3等)。另一方面，近年来，随着考虑环境的制品化的趋势，在密封树脂中使用 与现有不同种类的金属皂的稳定化剂作为添加剂，或使用脱卣阻燃剂，对此， 为了维持密封树脂的特性，使用与现有不同种类/组成等的树脂。因此，由于在作为粘附物的半导体晶片和/或基板中使用的密封树脂等的 这种变迁，只使用在专利文献3中提出的特定的增粘剂时，重新产生在切断 时不能完全防止芯片飞出的这种不良情况。另外，粘附物中的密封树脂和/或添加剂的种类、或通常涂布在密封树脂 表面的脱膜剂(例如蜡)的量过少或不均匀这样的不恰当情况等，粘合剂层的 粘着力在照射紫外线后没有降低到规定的值，在拾取工序中，有时不能拾取 单个片。由于勉强拾取，发生从密封树脂内部产生剥落、密封树脂整个表面 产生糊状残留这种不良情况。专利文献1:特开平6-49420号公报专利文献2:特开昭62-153376号公报专利文献3:特开2005-229040号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术就是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种与半导体晶片 和/或基板等粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确 保充分的粘着力，同时在照射紫外线和/或放射线后，使粘着力降低至进行拾 取等时的最适值，并且完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。解决课题的方法本专利技术人等从现有技术的课题查明了在这种粘合片中，在粘附时维持 高的粘着力和凝聚力，由此，使芯片等牢固地粘附在粘合片上，同时确保良 好的凹凸追随性，防止切割时等的飞出，在拾取工序中，使粘着力降低，由 此，要求不产生粘合剂残留在粘附物上而且容易进行拾取这两种相反的功 能。于是，本专利技术人等对该两种相反的功能进行悉心研究的结果发现关于粘着力的增强，利用增粘剂的功能；关于在拾取工序中的粘着力的降低，利 用表面活性剂的功能，出乎意料地，两种功能并不相抵，可以解决上述课题, 从而完成了本专利技术。即，本专利技术的半导体晶片和/或基板加工用粘合片包括对紫外线和/或放 射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合 剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。在该半导体晶片和/或基板加工用粘合片中，增粘剂是薛烯酚醛树脂等，并优选具有120 ~ 230KOHmg/g的羟值。 专利技术效果本专利技术的半导体晶片和/或基板加工用粘合片与作为粘附物的半导体晶 片和/或基板等中的粘合片粘附面的凹凸没有关系，在照射紫外线和/或放射 线前，确保充分的粘着力和凝聚力，由于凹凸良好地追随粘附面，维持与粘 附物的粘合性，同时，在照射紫外线和/或放射线后，可以使粘着力降低至进 行拾取等时的最适值。由此，可得到如下所述的稳定粘合片，在切割时等， 可以完全或基本上防止半导体晶片和/或基板的飞出等的不良情况，同时，得 到的半导体晶片和/或基板的粘附表面上完全或基本上没有残留粘合剂残渣。具体实施方式本专利技术的半导体晶片和/或基板加工用粘合片主要具有基材和粘合剂层， 粘合剂层由至少含有增粘剂和表面活性剂的粘合剂形成。即，粘合剂层中的增粘剂通常是为了增加粘着力而使用的物质，另一方 面，表面活性剂在粘合剂层中通常具有使粘着力降低的作用。因此，在同样剂那样，在相对于构成粘合剂的基础聚合物分子量较低的情况下，由于表面 活性剂的作用，担心使增粘剂的功能降低。于是，考虑到它们的作用时，在 同样的粘合剂内同时使用两者时，由于粘着力的相抵，很难想到具有维持粘 着力或增强粘着力的作用，实际上，要实现它们的作用，不配合两者。但是， 在本专利技术中，通过配合两者，在可以使增粘剂最大限度地得到粘着功能的阶 段，由于在构成粘合剂的成分中残存有未固化成分，因此几乎不表现出基于 表面活性剂的粘合剂成分的结合/交联的切断而导致的粘着力的降低作用，没 有使粘着力降低，只发挥增粘剂的功能，另一方面，在使粘合剂完全固化并 拾取半导体晶片和/或基板等的单个片的阶段，最大限度地发挥切断构成粘合 剂成分中的结合/交联的功能，同时，由于表面活性剂集中在粘合剂层和单个 片的界面上，出乎意料且重新发现可以对两者之间赋予剥离功能，并没有带 来粘着力的抵消，而是使粘着力提高，以至同时解决了单个片的飞出等不良 情况和拾取及糊残留等不良情况的相反的课题。在本专利技术中所使用的基材只要对紫外线和/或放射线具有透过性，就没有 特别限定，例如只要透过紫外线、X射线、电子射线等放射线的至少一部分就可以，例如优选具有透过75。/。左右以上、80%左右以上、卯％左右以上的 透过性的基材。具体地，可举出由下列聚合物形成的基材，聚氯乙烯、聚偏 氯乙烯、聚对苯二曱酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮；低密度聚乙 烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规 共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁歸、聚曱基戊烯等聚烯烃； 聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(曱基)丙烯酸共聚物、 乙烯-(曱基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共 聚物、氟树脂、纤维素类树脂及它们的交联体等。它们既可以为单层也可以 为多层结构。基材的厚度通常优选5 -40本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片和／或基板加工用粘合片，其具有对紫外线和／或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和／或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，　　　　该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：新谷寿朗，山本晃好，浅井文辉，桥本浩一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]