一种辐射功率增强型小型化太赫兹源制造技术

本发明专利技术涉及太赫兹通信和探测领域，公开了一种加载了低通滤波偏压电路和高阻介质透镜的辐射功率增强型小型化太赫兹源。本发明专利技术实施例包括共振隧穿二极管(RTD)、共面带线低通滤波器、片上天线及高阻介质透镜。其中，共面带线低通滤波器、片上天线与RTD共用同一电极，高阻介质透镜紧密粘贴于RTD基体下表面。共面带线低通滤波器作为偏压电路，用于给RTD提供直流偏压；RTD作为振荡源，用于产生太赫兹波；片上天线作为辐射单元，用于辐射太赫兹波；高阻介质透镜用于汇聚能量，提高天线增益。本发明专利技术能够增强RTD太赫兹源的辐射功率，在超高速无线通信和太赫兹探测领域具有重要应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种辐射功率增强型小型化太赫兹源
本专利技术涉及太赫兹通信和探测领域，尤其涉及一种加载了低通滤波偏压电路和高阻介质透镜的辐射功率增强型共振隧穿二极管RTD太赫兹源。
技术介绍
太赫兹波是指频率在0.1-10THz内的电磁波，频率为1THz的光子能量为0.004eV，许多分子的振动和转动能级处于太赫兹频段。由于太赫兹波具有高频、低能性、透射性和光谱分辨性，其在室内短距离高速通信、星间高速通信、太赫兹探测、成像等领域具有重要应用前景，吸引了大批科研工作者对其进行深入的研究。目前基于光学效应的太赫兹参量源和光泵浦太赫兹激光器需要工作在低温下，使用不方便。基于电子学的电真空太赫兹源需要高压源，体积比较大，同样面临应用难题。而基于RTD的太赫兹源是一种小型化太赫兹源，具有易于集成，工作于室温，能够进行直接调制且调制速率高等优势。但是，目前该类型的太赫兹源的问题是辐射功率比较低。专利技术人在研究基于RTD的太赫兹源的过程中发现：通过引入低通滤波偏压电路和提高天线增益可以相应地提高太赫兹源的辐射功率。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述太赫兹源辐射功率不高的问题，提供了一种加载了低通滤波偏压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射功率增强型小型化太赫兹源，包括片上天线(2)和共振隧穿二极管(3)；其特征相在于，还包括共面带线低通滤波器(1)和高阻介质透镜(5)；所述的共面带线低通滤波器(1)与共振隧穿二极管(3)结合组成振荡器；共面带线低通滤波器(1)用于给共振隧穿二极管(3)提供直流偏压，还用于反射共振隧穿二极管(3)产生的太赫兹波；共振隧穿二极管(3)用于在直流偏压的作用下产生太赫兹波；片上天线(2)用于辐射共振隧穿二极管(3)产生的太赫兹波；高阻介质透镜(5)用于汇聚能量，提高片上天线(2)的增益。

【技术特征摘要】
1.一种辐射功率增强型小型化太赫兹源，包括片上天线(2)和共振隧穿二极管(3)；其特征相在于，还包括共面带线低通滤波器(1)和高阻介质透镜(5)；所述的共面带线低通滤波器(1)与共振隧穿二极管(3)结合组成振荡器；共面带线低通滤波器(1)用于给共振隧穿二极管(3)提供直流偏压，还用于反射共振隧穿二极管(3)产生的太赫兹波；共振隧穿二极管(3)用于在直流偏压的作用下产生太赫兹波；片上天线(2)用于辐射共振隧穿二极管(3)产生的太赫兹波；高阻介质透镜(5)用于汇聚能量，提高片上天线(2)的增益。2.根据权利要求1所述的一种辐射功率增强型小型化太赫兹源，其特征在于：所述片上天线(2)为领结型贴片天线，通过改变片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，宋瑞良，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13