【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液
本专利技术属于微电子加工领域中的化学机械抛光技术，特别涉及一种超大规模集成电路制作工艺中多层绝缘膜全局平面化加工用的化学机械抛光液。
技术介绍
随着微电子技术的迅猛发展，电子器件的集成化程度越来越高，目前的甚大规模集成电路芯片集程度已高达几十亿个元器件，特征尺寸已进入纳米级，这就要求微电子加工工艺中的近百道工序，尤其是层间绝缘介质以及多层布线必须进行全局平面化，而化学机械抛光(CMP)是已被证明的最好的全局平坦化方法。SiO2水基溶液是目前最具代表性的CMP技术用抛光液。其主要成份为纳米颗粒(如SiO2)和水，目前国内外的抛光液产品中大都采用在碱性溶液中加入气相法SiO2、或SiO2水溶胶作为磨料，由于这样的纳米SiO2粉体比表面积大，极易在空气和水等分散介质中团聚形成大颗粒，团聚体的粒径可以达到150nm以上，二次粒径分布更可以高达几百纳米，这种抛光液的优点是对层间介质的去除速率快，但由于SiO2颗粒之间团聚带来粒径的增大，导致表面的损伤层加深，平整度不够，活性差，极易造成表面划伤与颗粒吸附，难清洗等问题。也有采用CeO2颗粒作为磨料的抛光...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，其特征在于：以球形纳米介孔粉体为磨料，按重量百分比计，其成份包括3～30份球形纳米介孔粉体为磨料，0.01～12份分散稳定剂，0.01～12份表面处理剂，同时加入PH调节剂至PH值为8.5～12.5，余量的高纯去离子水。2.按照权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于：所述球形纳米介孔粉体为一种液相合成的球形纳米介孔二氧化硅粉体或金属离子掺杂改性的球形纳米介孔复合氧化物；其介孔孔径为3～5nm，粒径为30～130nm。3.按照权利要求2所述化学机械抛光液，其特征在于：所述金属离子掺杂改性的球形纳米介孔复合氧化物可以为具有优异单分散性能的Ce-SiO球形纳米介孔粉体。4.按照权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于：所述加入PH调节剂至PH值为处于9.0～12之间为佳。5.按照权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于：所述分散稳定剂为一种高分子表面活性剂；所述表面处理剂为一种小分子有机物；所述PH调节剂为一种碱性物质。6.按照...
【专利技术属性】
技术研发人员：张劲松，梁艳，张军旗，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：
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