A ballast circuit for lighting system, using induction fluorescent lamp includes: AC DC DC DC boost rectifier circuit, power conversion circuit, DC circuit, AC half bridge inverter and resonant circuit for lighting the lamp and lamp power output remain virtually constant; among them, DC AC half bridge inverter the circuit also includes a gate isolation transformer, the gate isolation transformer in accordance with the plan to connect the half bridge inverter, half bridge inverter scheme using ballast integrated circuit (IC) to drive the high-end MOSFET and low MOSFET, and the gate to gate signal isolation transformer electrical isolation of high-end MOSFET.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】添加了过滤和保护的无电极荧光镇流器驱动电路和谐振电路相关申请的交叉引用本申请是要求2014年8月19日提交的美国序列号62/039,372的优先权的非临时申请,其公开内容通过引用具体地并入本文。
本专利技术涉及无电极/感应荧光灯的发光。
技术介绍
由于荧光灯比电灯泡具有更高的效率和更长的寿命,因此近年来荧光灯在工业中已被广泛使用。虽然常规荧光灯具有电极,但是感应荧光灯不使用任何电极以用于其操作。使用感应荧光灯的照明系统包括感应耦合的无电极荧光灯及其驱动镇流器。在灯系统中采用电磁感应的原理来对等离子体进行点火,使得等离子体在管的荧光壁上发光。由于灯系统不包含任何电极,所以无电极灯的寿命明显高于典型的荧光灯。这些灯的性质是它们需要更高的点亮频率来点亮和更高的工作频率以保持恒定的光输出。这些频率处于射频范围内。虽然自振荡谐振电路经常用在这些镇流器中,但它们不是功率因数校正或有效的。自振荡电路对组件的变化非常敏感,并且它们不是非常适合于高温应用。由于低维护和更长寿命的特征,无电极灯通常安装在高湾、隧道、高天花板和空气循环和通风非常小的其他位置,并且由此灯和镇流器经受极端高温条件。较差的灯具设计也会给灯-镇流器系统增加更多的热量。由于环境使用因素引起的极热条件将改变灯和镇流器参数,例如灯电感和镇流器操作特性。因此,具有能够承受更高温度同时保持其良好的电力质量的灯-镇流器系统是非常重要的。
技术实现思路
本专利技术大体上涉及改进与无电极感应荧光灯泡一起使用的镇流器电路的方法。本专利技术涉及一种用于无电极感应荧光灯的工作电路。用于无电极感应灯的电子镇流器包括:AC-DC整流 ...
【技术保护点】
一种用于使用感应荧光灯的照明系统的镇流器电路,包括:AC‑DC整流电路;DC‑DC升压功率转换电路;DC‑AC半桥逆变器电路;以及谐振电路,用于点亮所述灯并且维持所述灯的功率输出实质上恒定;其中,所述DC‑AC半桥逆变器电路还包括栅极隔离变压器,所述栅极隔离变压器按半桥逆变器方案连接,所述半桥逆变器方案使用镇流器集成电路IC以驱动高端MOSFET和低端MOSFET;以及所述栅极隔离变压器将到所述高端MOSFET的栅极信号电隔离。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.19 US 62/039,3721.一种用于使用感应荧光灯的照明系统的镇流器电路,包括:AC-DC整流电路;DC-DC升压功率转换电路;DC-AC半桥逆变器电路;以及谐振电路,用于点亮所述灯并且维持所述灯的功率输出实质上恒定;其中,所述DC-AC半桥逆变器电路还包括栅极隔离变压器,所述栅极隔离变压器按半桥逆变器方案连接,所述半桥逆变器方案使用镇流器集成电路IC以驱动高端MOSFET和低端MOSFET;以及所述栅极隔离变压器将到所述高端MOSFET的栅极信号电隔离。2.根据权利要求1所述的镇流器电路,其中,所述镇流器电路是使用共模差模滤波器保护的,并且并联添加了波形校正电路。3.根据权利要求1所述的镇流器电路,其中,所述栅极隔离变压器是驱动器电路的一部分,所述驱动器电路包括:耦合电容器,所述耦合电路器被串联置于高输出信号和所述隔离栅极变压器的第一初级侧之后;以及二极管,所述二极管连接在栅极电阻两端,其中,所述二极管的阳极连接到所述隔离栅极变压器的第一次级侧,并且所述二极管的阴极连接到以下至少一个:连接在所述高端MOSFET的栅极和源极间的齐纳二极管、所述高端MOSFET的所述栅极、以及连接在所述高端MOSFET的所述栅极和所述源极间的栅-源电阻;其中,所述隔离栅极变压器的第二初级侧连接到数字地;以及所述隔离栅极变压器的第二次级侧连接到所述高端MOSFET的所述源极。4.根据权利要求3所述的镇流器电路,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:安德鲁·C·皮克特,纳文·R·泰拉,罗伯特·V·罗林斯,
申请(专利权)人:环境潜能公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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