基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带光电探测器及其制备方法，是在绝缘玻璃的上表面设置有FA0.85Cs0.15PbI3薄膜，在FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上设置有一对与其呈欧姆接触的金薄膜电极。本发明专利技术的光电探测器利用FA0.85Cs0.15PbI3薄膜比表面积大的特点，同时充分利用其超高的电子迁移率，使得器件响应速度超快，且光吸收能力强、对紫外光到可见光范围感应灵敏、抗电磁干扰强，为钙钛矿材料在光电探测器的应用中开拓了新的前景。

Wide waveband ultra high speed Photodetector Based on lead iodide and cesium iodide thin film and its preparation method

The invention discloses a wide band of iodine cesium formamidine films lead ultrahigh speed photoelectric detector and its preparation method is based on the upper surface of the insulating glass is arranged in the FA0.85Cs0.15PbI3 film, FA0.85Cs0.15PbI3 film is arranged on a gold film electrode and ohmic contact is on. The invention of the photoelectric detector using FA0.85Cs0.15PbI3 thin film with large specific surface area, and make full use of its high electron mobility, which makes the device response speed fast, and the light absorption ability of UV to the visible light range, sensitive, anti electromagnetic interference, for perovskite materials has opened up new prospects in the application of photoelectric detector in.

【技术实现步骤摘要】
基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带超高速光电探测器及其制备方法
本专利技术属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带超高速光电探测器及其制备方法。
技术介绍
随着现代科学技术的迅速发展，光电探测器(PD)在科研、生产、军事、光学研究等领域都有着非常重大的意义。由于宽吸收光电探测器在工业和科学技术等领域存在着广泛的用途，所以到目前为止很多人通过组合不同的功能材料来寻找一种广泛的宽波带光吸收材料，从而制作出可以从紫外到可见光区的光电探测器。不同的探测器件有不同的应用领域，例如紫外光区探测器可用于紫外线制导、检测癌细胞、观测地震的发光现象及水质的检测，而可见光探测器件主要用于射线测量和探测、工业自动控制等。另外在宇宙飞船、火灾监测、炸药探测等方面光电探测器也有重要的应用价值。光探测器是将不同波长的光作为能量激发半导体，产生大量电子空穴对，从而把光能转换为电能，并有仪器检测量化的一种功能器件，因此在工业领域和科学领域需要研发新型的光探测器材料并使其在不同的光谱范围内都有光谱响应就有非常重要的意义。目前在紫外光区，大部分光电探测器的制备是以硅基或碳化硅等无机材料为主，由于这些无机本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带超高速光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是在绝缘玻璃的上表面设置有FA0.85Cs0.15PbI3薄膜，在所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上设置有一对与所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜呈欧姆接触的金薄膜电极。

【技术特征摘要】
1.基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带超高速光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是在绝缘玻璃的上表面设置有FA0.85Cs0.15PbI3薄膜，在所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上设置有一对与所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜呈欧姆接触的金薄膜电极。2.根据权利要求1所述的宽波带超高速光电探测器，其特征在于：所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜为n-型钙钛矿材料。3.根据权利要求1所述的宽波带超高速光电探测器，其特征在于：所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜是由PbI2、CsI和甲脒氢碘酸盐FAI溶于DMSO和DMF中形成的前驱体溶液，在绝缘玻璃的上表面旋涂成膜获得。4.根据权利要求1或3所述的宽波带超高速光电探测器，其特征在于：所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜的厚度在150～200nm之间。5.根据权利要求1所述的宽波带超高速光电探测器，其特征在于：所述金薄膜电极的厚度在50～100nm。6.一种权利要求1～5中任意一项所述的宽波带超高速光电探测器的制备方法，其特征是按如下步骤进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁凤霞，王九镇，梁林，童小伟，王迪，罗林保，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34