AMOLED像素驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及一种AMOLED像素驱动电路。该驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)，顶栅极连接第一节点(G)，底栅极连接第二节点(B)，源极和漏极分别连接电源高电位(VDD)和第三节点(S)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和第一数据线(Data1)；第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接侦测信号线(Sense)和第三节点(S)；第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和第二数据线(Data2)；第一电容(C)，连接第二节点(B)和电源高电位(VDD)；第二电容(Cst)，连接第一节点(G)和第三节点(S)；有机发光二极管(D1)，其阳极连接第三节点(S)。本发明专利技术对驱动TFT的电性漂移进行了有效的补偿。

AMOLED pixel driving circuit

The invention relates to a AMOLED pixel driving circuit. \u8be5\u9a71\u52a8\u7535\u8def\u5305\u62ec\uff1a\u7b2c\u4e00\u8584\u819c\u6676\u4f53\u7ba1(T1)\uff0c\u9876\u6805\u6781\u8fde\u63a5\u7b2c\u4e00\u8282\u70b9(G)\uff0c\u5e95\u6805\u6781\u8fde\u63a5\u7b2c\u4e8c\u8282\u70b9(B)\uff0c\u6e90\u6781\u548c\u6f0f\u6781\u5206\u522b\u8fde\u63a5\u7535\u6e90\u9ad8\u7535\u4f4d(VDD)\u548c\u7b2c\u4e09\u8282\u70b9(S)\uff1b\u7b2c\u4e8c\u8584\u819c\u6676\u4f53\u7ba1(T2)\uff0c\u5176\u6805\u6781\u8fde\u63a5\u626b\u63cf\u7ebf(Scan)\uff0c\u6e90\u6781\u548c\u6f0f\u6781\u5206\u522b\u8fde\u63a5\u7b2c\u4e00\u8282\u70b9(G)\u548c\u7b2c\u4e00\u6570\u636e\u7ebf(Data1)\uff1b\u7b2c\u4e09\u8584\u819c\u6676\u4f53\u7ba1(T3)\uff0c\u5176\u6805\u6781\u8fde\u63a5\u626b\u63cf\u7ebf(Scan)\uff0c\u6e90\u6781\u548c\u6f0f\u6781\u5206\u522b\u8fde\u63a5\u4fa6\u6d4b\u4fe1\u53f7\u7ebf(Sense)\u548c\u7b2c\u4e09\u8282\u70b9(S)\uff1b\u7b2c\u56db\u8584\u819c\u6676\u4f53\u7ba1(T4)\uff0c\u5176\u6805\u6781\u8fde\u63a5\u626b\u63cf\u7ebf(Scan)\uff0c\u6e90\u6781\u548c\u6f0f\u6781\u5206\u522b\u8fde\u63a5\u7b2c\u4e8c\u8282\u70b9(B)\u548c\u7b2c\u4e8c\u6570\u636e\u7ebf(Data2)\uff1b\u7b2c\u4e00\u7535\u5bb9(C)\uff0c\u8fde\u63a5\u7b2c\u4e8c\u8282\u70b9(B)\u548c\u7535\u6e90\u9ad8\u7535\u4f4d(VDD)\uff1b\u7b2c\u4e8c\u7535\u5bb9(Cst)\uff0c\u8fde\u63a5\u7b2c\u4e00\u8282\u70b9(G)\u548c\u7b2c\u4e09\u8282\u70b9(S)\uff1b\u6709\u673a\u53d1\u5149\u4e8c\u6781\u7ba1(D1)\uff0c\u5176\u9633\u6781\u8fde\u63a5 Third node (S). The present invention makes effective compensation of electric drift driving TFT.

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，亮度由流过OLED自身的电流决定，大部分已有芯片(IC)都只传输电压信号，故AMOLED像素驱动电路要完成将电压信号转变为电流信号的任务，通常为2T1C电压/电流(V/I)变换电路。参见图1，其为传统2T1C的像素驱动电路示意图，主要包括两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容(C)，将电压转换为电流以驱动OLED，其中一个薄膜晶体管为开关TFT，由扫描信号(Scan本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：作为驱动晶体管的第一薄膜晶体管(T1)，其为双栅极薄膜晶体管，顶栅极连接第一节点(G)，底栅极连接第二节点(B)，源极和漏极分别连接电源高电位(VDD)和第三节点(S)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和第一数据线(Data1)；第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接侦测信号线(Sense)和第三节点(S)；第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和第二数据线(Data2)；第一电容(C)，其两端分别连接第二节点(...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：作为驱动晶体管的第一薄膜晶体管(T1)，其为双栅极薄膜晶体管，顶栅极连接第一节点(G)，底栅极连接第二节点(B)，源极和漏极分别连接电源高电位(VDD)和第三节点(S)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和第一数据线(Data1)；第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接侦测信号线(Sense)和第三节点(S)；第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和第二数据线(Data2)；第一电容(C)，其两端分别连接第二节点(B)和电源高电位(VDD)；第二电容(Cst)，其两端分别连接第一节点(G)和第三节点(S)；有机发光二极管(D1)，其阳极连接第三节点(S)，阴极连接电源低电位(VSS)。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)为低温多晶硅薄膜晶体管或者为氧化物半导体薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路工作于第一薄膜晶体管(T1)阈值电压侦测状态时，所述扫描线(Scan)设置为输入高电位；所述第一数据线(Data1)设置为输入第一参考电压；将第一薄膜晶体管(T1)阈值电压侦测状态按时间划分为初始化阶段和阈值电压生成阶段，所述侦测信号线(Sense)在初始化阶段设置为输入第二参考电压，在阈值电压生成阶段设置为悬空，所述第二参考电压小于第一参考电压且小于有机发光二极管(D1)的开启电压；所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44