一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路制造技术

技术编号:16487427 阅读:217 留言:0更新日期:2017-11-01 09:37
一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路,包括光耦电路、逻辑门电路、RCD电路和MOSFET驱动电路;外部输入的两路互补的控制信号PWM1H和PWM1L作为光耦电路的输入,由光耦电路进行光耦隔离后输出两路信号OUT1H、OUT1L,光耦电路的输出作为逻辑门电路的输入,逻辑门电路对输入的两路信号进行同步处理输出两路信号OUT2H、OUT2L,逻辑门电路的两路输出作为RCD电路的两路输入,RCD电路对同步后的信号产生死区,输出两路信号OUT3H、OUT3L作为MOSFET驱动电路的两路输入,由MOSFET驱动电路输出不同时为高的两路信号。

A MOSFET gate driver circuit with multistage interlock and dead band

A multistage interlock zone MOSFET pipe gate drive circuit, including optocoupler circuit, logic gate circuit, RCD circuit and MOSFET driving circuit; the external input of the two complementary control signals PWM1H and PWM1L as optocoupler input by optocoupler circuit optocoupler OUT1H, OUT1L output signals, output optocoupler circuit as the logic gate circuit, logic gate circuit of input signals to synchronize two output signals OUT2H, OUT2L, logic gate circuit outputs as RCD circuit input, RCD circuit generates dead signal synchronization after the output signals of OUT3H, OUT3L as the MOSFET driver circuit by two input. MOSFET drive circuit output signals are not simultaneously high.

【技术实现步骤摘要】
一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路
本技术涉及一种MOSFET管门级驱动电路。
技术介绍
在大功率驱动电路中,高压、大电流功率电容易对其他弱电控制电路产生干扰,造成电路信号的失控进而造成电路的损坏。例如在电机驱动电路当中,U、V、W三相功率电会互相影响各自的功率管控制信号,造成由MOSFET或IGBT组成的功率桥的损坏。国内外目前多采用一级互锁方式进行信号处理,即信号进入光耦电路后,输出不做其它处理,直接作为驱动芯片的输入信号,信号易受外界干扰。另外,国内外多采用软件编程来产生死区,信号又容易受到软件运行的影响,最后可能导致互锁失败,致使功率桥的损坏。
技术实现思路
本技术的技术解决问题是:克服现有技术的不足,提供一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路。本技术的技术解决方案是:一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路,包括光耦电路、逻辑门电路、RCD电路和MOSFET驱动电路;外部输入的两路互补的控制信号PWM1H和PWM1L作为光耦电路的输入,由光耦电路进行光耦隔离后输出两路信号OUT1H、OUT1L,光耦电路的输出作为逻辑门电路的输入,逻辑门电路对输入的两路信号本文档来自技高网...
一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路

【技术保护点】
一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路,其特征在于:包括光耦电路、逻辑门电路、RCD电路和MOSFET驱动电路;外部输入的两路互补的控制信号PWM1H和PWM1L作为光耦电路的输入,由光耦电路进行光耦隔离后输出两路信号OUT1H、OUT1L,光耦电路的输出作为逻辑门电路的输入,逻辑门电路对输入的两路信号进行同步处理输出两路信号OUT2H、OUT2L,逻辑门电路的两路输出作为RCD电路的两路输入,RCD电路对同步后的信号产生死区,输出两路信号OUT3H、OUT3L作为MOSFET驱动电路的两路输入,由MOSFET驱动电路输出不同时为高的两路信号。

【技术特征摘要】
1.一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路,其特征在于:包括光耦电路、逻辑门电路、RCD电路和MOSFET驱动电路;外部输入的两路互补的控制信号PWM1H和PWM1L作为光耦电路的输入,由光耦电路进行光耦隔离后输出两路信号OUT1H、OUT1L,光耦电路的输出作为逻辑门电路的输入,逻辑门电路对输入的两路信号进行同步处理输出两路信号OUT2H、OUT2L,逻辑门电路的两路输出作为RCD电路的两路输入,RCD电路对同步后的信号产生死区,输出两路信号OUT3H、OUT3L作为MOSFET驱动电路的两路输入,由MOSFET驱动电路输出不同时为高的两路信号。2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于:所述的光耦电路包括两路相同的处理电路,每路包含芯片TLP115A、三个电阻、一个电容;PWM1H和PWM1L两路输入信号分别串联一个电阻后接入芯片TLP115A的正极和负极,芯片TLP115A的VCC端接工作电源、GND端接地,并且VCC端和GND端之间并联一个电容,芯片TLP115A的输出端分成两路,一路作为光耦电路...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯军瑞卢二宝赵青李鹏飞朱俊
申请(专利权)人:北京精密机电控制设备研究所
类型:新型
国别省市:北京,11

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