一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，该薄膜芯片包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层、N电极，特征是：在N型限制层和N型粗化层之间设有N型电流扩展层，N型粗化层使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.5≤x≤1，采用稀盐酸(盐酸∶水＝x∶3，1＜x＜3)腐蚀粗化，提高出光效率；N型电流扩展层所使用的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料中的铝组份x满足0.1≤x≤0.5，这种低铝组份的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P材料电子迁移率高，可以提高电流扩展能力。

A AlGaInP light emitting diode thin film chip structure

\u672c\u5b9e\u7528\u65b0\u578b\u516c\u5f00\u4e86\u4e00\u79cdAlGaInP\u53d1\u5149\u4e8c\u6781\u7ba1\u8584\u819c\u82af\u7247\u7ed3\u6784\uff0c\u8be5\u8584\u819c\u82af\u7247\u5305\u62ec\uff1aP\u7535\u6781\u3001\u952e\u5408\u57fa\u677f\u3001\u952e\u5408\u91d1\u5c5e\u5c42\u3001\u91d1\u5c5e\u53cd\u5c04\u5bfc\u7535\u5c42\u3001\u4ecb\u8d28\u5c42\u3001P\u9762\u63a5\u89e6\u7535\u6781\u3001P\u578b\u7535\u6d41\u6269\u5c55\u5c42\u3001P\u578b\u9650\u5236\u5c42\u3001P\u4fa7\u7a7a\u95f4\u5c42\u3001\u591a\u91cf\u5b50\u9631\u53d1\u5149\u533a\u3001N\u4fa7\u7a7a\u95f4\u5c42\u3001N\u578b\u9650\u5236\u5c42\u3001N\u578b\u7c97\u5316\u5c42\u3001N\u578b\u6b27\u59c6\u63a5\u89e6\u5c42\u3001N\u7535\u6781\uff0c\u7279\u5f81\u662f\uff1a\u5728N\u578b\u9650\u5236\u5c42\u548cN\u578b\u7c97\u5316\u5c42\u4e4b\u95f4\u8bbe\u6709N\u578b\u7535\u6d41\u6269\u5c55\u5c42\uff0cN\u578b\u7c97\u5316\u5c42\u4f7f\u7528\u7684(AlxGa1\u2011x)0.5In0.5P\u6750\u6599\u4e2d\u7684\u94dd\u7ec4\u4efdx\u6ee1\u8db30.5\u2264x\u22641\uff0c\u91c7\u7528\u7a00\u76d0\u9178(\u76d0\u9178\u2236\u6c34\uff1dx\u22363\uff0c1\uff1cx\uff1c3)\u8150\u8680\u7c97\u5316\uff0c\u63d0\u9ad8\u51fa\u5149\u6548\u7387\uff1bN\u578b\u7535\u6d41\u6269\u5c55\u5c42\u6240\u4f7f\u7528\u7684(AlxGa1\u2011x)0.5In0.5P\u6750\u6599\u4e2d\u7684\u94dd\u7ec4\u4efdx\u6ee1\u8db30.1\u2264x\u22640.5\uff0c\u8fd9\u79cd\u4f4e\u94dd\u7ec4\u4efd\u7684(AlxGa1\u2011x)0.5In0.5P\u6750\u6599\u7535 With high mobility, the current spreading capability can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构
本技术涉及半导体发光器件领域，尤其是涉及一种AlGalnP发光二极管薄膜芯片结构。
技术介绍
半导体发光二极管(Light-EmittingDiodes，LED)已经在很多领域被广泛应用，被公认为下一代绿色照明光源。与砷化镓衬底晶格匹配的AlGaInP材料可覆盖从560nm到650nm范围的可见光波长，是制备红色到黄绿色LED的优良材料。AlGaInP发光二极管在固态照明和显示领域中有着重要应用，例如全色彩屏幕显示器、汽车用灯、背光源、交通信号灯及日常照明灯等。近年来，人们在AlGaInP发光二极管外延材料生长技术上取得了很大进步，其内量子效率可达到90％以上。但直接在砷化镓衬底上生长的外延材料直接在衬底制备N电极、表面制备P电极的LED芯片存在衬底吸收和全反射损耗这两大影响因素，电光转换效率很低，一般小于10％。为降低衬底吸收、抑制全反射提高电光转换效率，一种非常有效的办法是制备薄膜芯片。其采用在砷化镓衬底上生长AlGaInP发光二极管外延材料，然后P面向下键合到硅、锗、蓝宝石等其他具有反射结构的基板上，将砷化镓衬底去除，然后制作N电极并进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，自下而上依次包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层、N电极，其特征在于：在N型限制层和N型粗化层之间设有N型电流扩展层。

【技术特征摘要】
1.一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构，自下而上依次包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李树强，江风益，
申请(专利权)人：南昌大学，南昌黄绿照明有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36