晶体配位化合物及其制法以及含有它的组合物制造技术

＊＊＊ （Ⅰ） 本发明专利技术涉及式Ⅰ的晶体配位化合物，其中各符号与权利要求１中定义的相同。该化合物用作保护金属表面用的涂料组合物中的缓蚀剂。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
用作缓蚀剂的吗啉衍生物与酮酸的配合物本专利技术涉及吗啉衍生物与酮酸的配合物，包括成膜粘合剂、优选油漆系统和新型缓蚀剂的涂料组合物，及其在用于保护金属表面的涂料组合物中的用途。使用酮酸的碱金属、铵和胺盐作为水系统中的缓蚀剂是已知的，在US—A—4909987，US—A—知5128396或EP—A—496555中有公开。在EP—A—300325的实施例7中叙述，一当量3—苯甲酰丙酸与一当量吗啉在乙醇中反应得到预期由一份酸和一份碱构成的晶体盐。现已发现，在无溶剂或质子惰性溶剂存在下，酮酸与吗啉衍生物反应得到由两份酸和仅一份碱构成的晶体配位化合物。这类晶体配位化合物在用于保护金属表面以及预处理金属基材的涂料组合物中特别适用作缓蚀剂。这类晶体配位化合物不会造成与油漆系统、特别是水基油漆系统反应，而且在涂料组合物中具有优良的贮存稳定-->性。它们同样适用于临时及永久性防锈。这些油漆系统也显示了优良的湿粘接强度。因此，本专利技术涉及式I的晶体配位化合物：其中R1，R2，R3，R4和R5各自独立地是氢，卤素，硝基，氰基，CF3，C1—C15烷基，C5—C12环烷基，C2—C15链烯基，C1—C12卤烷基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳氧基；未取代的C7—C12芳烷基或C7—C12芳烷基(芳基部分被1—3个C1—C4烷基取代)；—CO2R6，—COR6或，条件是R1—R5中至少一个是氢，卤素或C1—C15烷基；且各对取代基R1和R2，R2和R3，R3和R4或R4和R5与所连碳原子一起形成苯或环己烯基环，R6是C1—C20烷基，被氧、硫或间隔的C2—C20烷基、未取代的C7—C12芳烷基或在芳基部分中被1—3个C1-4烷基取代的C7—C12芳烷基；R7和R8各自独立地是氢、C1—C24烷基或被氧、硫或—R9间隔的C2—C24烷基，R9是氢或C1—C8烷基，R10是C1—C15烷-->基，被氧、硫或间隔的C2—C20烷基；C5—C12环烷基，C2—C5链烯基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳氧基，未取代的C7—C12芳基烷基或在芳基部分上被1—3个C1—C4烷基取代的C7—C12芳烷基；以及m是2—5的整数。卤素一般意指氟、氯、溴或碘。优选的卤素取代基是氟、氯或溴。氯或溴特别优选。至多含24个碳原子的烷基是支链或非支链基团，一般包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、2—乙基丁基、正戊基、异戊基、1—甲基戊基、1，3—二甲基丁基、正己基、1—甲基己基、正庚基、异庚基、1，1，3，3—四甲基丁基、1—甲基庚基、3—甲基庚基、正辛基、2—乙基己基、1，1，3—三甲基己基，1，1，3，3—四甲基戊基、壬基、癸基、十一烷基、1—甲基十一烷基、十二烷基、1，1，3，3，5，5—六甲基己基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、二十烷基或二十二烷基。优选的烷基含有1—12个、特别是1—8个碳原子。R3优选的定义是C1—C4烷基，特别是甲基。R10优选的定义是C1—C4烷基、特别是乙基。C5—C12环烷基一般是环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环癸基或环十二烷基。优选环己基。C2—C15链烯基是支链或非支链基团，如乙烯基、2—丙烯基(烯丙基)、2—丁烯基、3—丁烯基、异丁烯基、正—2，4—戊二烯基、3—甲-->基—2—丁烯基、正—2—辛烯基、正—2—十二烯基或异十二烯基。优选链烯基含有3—12个、特别是3—8个(如3—6个)、最佳3—4个碳原子。至多含12个碳原子的卤烷基是支链或非支链基团，如氯甲基、溴乙基、氟丙基、氯戊基、氯己基、氯辛基、氯癸基或氯十二烷基。卤烷基优选含3—8个、特别是3—6个碳原子。至多含12个碳原子的烷氧基是支链或非支链基团，如甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基或癸氧基。优选烷氧基含1—8个、特别是1—4个碳原子。至多含12个碳原子的烷硫基是支链或非支链基团，如甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、戊硫基、异戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、癸硫基或十二烷硫基。优选烷硫基含1—8个、特别是1—4个碳原子。未取代的或最好带有1—3个、特别是1或2个烷基的C1—C4烷基取代的C6—C9芳基一般是苯基、萘基、O—、m—、p—甲基苯基、2，3—二甲基苯基、2，4—二甲基苯基、2，5—二甲基苯基、2，6—二甲基苯基、3，4—二甲基苯基、3，5—二甲基苯基、2—甲基—6—乙基苯基、4—叔丁基苯基、2—乙基苯基、2，6—二乙基苯基、2—甲基萘基、1—甲基萘基、4—甲基萘基、2—乙基萘基或2，6—二乙基萘基。未取代的或最好带有1—3个、特别是1或2个烷基的C1—C4-->烷基取代的C6—C10芳氧基一般是苯氧基、萘氧基、O—、m—、p—甲基苯氧基、2，3—二甲基苯氧基、2，4—二甲基苯氧基、2，5—二甲基苯氧基、2，6—二甲基苯氧基、3，4—二甲基苯氧基、3，5—二甲基苯氧基、2—甲基—6—乙基苯氧基、4—叔丁基苯氧基、2—乙基苯氧基、2，6—二乙基苯氧基、2—甲基萘氧基、1—甲基萘氧基、4—甲基萘氧基、2—乙基萘氧基或2，6—二乙基萘氧基。未取代的或在芳基部分中被1—3个C1—C4烷基取代的C7—C12芳烷基一般是苯基—C1—C4烷基或萘基—C1—C2烷基，如苄基、4—甲基苄基、4—叔丁基苄基、2，4—二甲基苄基、α—甲基苄基、α，α—二甲基苄基、2—苯基乙基、2—萘基甲基、1—萘基甲基、1—萘基乙基或2—萘基乙基。优选苄基。被氧、硫或间隔的至多含2—24个碳原子的烷基一般可以是        CH3-O-CH2-，CH3-S-CH2-，CH3-NH-CH2-，CH3-N(CH3)-CH2-，CH3-O-CH2CH2-O-CH2-，CH3-(O-CH2CH2-)2O-CH2-，CH3-(O-CH2CH2-)3O-CH2-orCH3-(O-CH2CH2-)4O-CH2-。优选其中R1—R5中至少两个是氢的式I晶体配位化合物I。式I中的m优选2—4，最佳2。-->特别优选的式I晶体配位化合物中R1为氢，R2，R3，R4和R5各自独立地是氢，氯，溴，硝基，氰基，CF3，C1—C8烷基，C5—C7环烷基，C3—C8链烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基，苄基，—CO2R6，—COR6或，R6是C1—C12烷基，被氧间隔的C2—C12烷基；或苄基，以及R7和R8各自独立地是氢，C1—C8烷基或被氧间隔的C2—C12烷基。其中R10是C1—C8烷基，被氧或硫间隔的C3—C12烷基；C5—C7环烷基，C3—C8链烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基或苄基的式I晶体配位化合物也是特别优选的。进一步特别优选的式I晶体配位化合物中R1，R2和R4为氢，R3和R5各自独立地是氢，氯，溴，CF3，C1—C8烷基，环己基，C1—C8烷氧基，苯基，—CO2R6，—COR6或，R6是C1—C8烷基，R7和R8各本文档来自技高网...

【技术保护点】
式Ⅰ的晶体配位化合物＊＊＊ （Ⅰ）其中Ｒ↓［１］，Ｒ↓［２］，Ｒ↓［３］，Ｒ↓［４］和Ｒ↓［５］各自独立地是氢，卤素，硝基，氰基，ＣＦ↓［３］，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１５］烷基，Ｃ↓［５］－Ｃ↓［１２］环烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１５］链 烯基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］卤烷基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷氧基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷硫基，未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基；未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳氧基；未取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基或Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基（芳基部分被１－３个Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代）；－ＣＯ↓［２］Ｒ↓［６］，－ＣＯＲ↓［６］或－＊＊＊，条件是Ｒ↓［１］－Ｒ↓［５］中至少一个是氢，卤素或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１５］烷基；且各对取代基Ｒ↓［１］和Ｒ↓［２］，Ｒ↓［２］和Ｒ↓［３］，Ｒ↓［３］和Ｒ↓［４］或Ｒ↓［４］和Ｒ↓［５］与所连碳原子一起形成苯或环己烯基环，Ｒ↓［６］是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基，被氧、硫或＊＊＊－Ｒ↓［９］间隔的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］烷基、未取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基或在芳基部分中被１－３个Ｃ↓［１－４］烷基取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基；Ｒ↓［７］和Ｒ↓［８］各自独立地是氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２４］烷基或被氧、硫或＊＊＊－Ｒ↓［９］间隔的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２４］烷基，Ｒ↓［９］是氢或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基，Ｒ↓［１０］是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１５］烷基，被氧、硫或＊＊＊－或－Ｒ↓［９］间隔的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］烷基；Ｃ↓［５］－Ｃ↓［１２］环烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［５］链烯基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷氧基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷硫基，未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基；未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳氧基，未取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳基烷基或在芳基部分上被１－３个Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基；以及ｍ是２－５的整数。...

【技术特征摘要】
CH 1994-1-18 149/941.  式I的晶体配位化合物其中R1，R2，R3，R4和R5各自独立地是氢，卤素，硝基，氰基，CF3，C1—C15烷基，C5—C12环烷基，C2—C15链烯基，C1—C12卤烷基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳氧基；未取代的C7—C12芳烷基或C7—C12芳烷基(芳基部分被1—3个C1—C4烷基取代)；—CO2R6，—COR6或，条件是R1—R5中至少一个是氢，卤素或C1—C15烷基；且各对取代基R1和R2，R2和R3，R3和R4或R4和R5与所连碳原子一起形成苯或环己烯基环，R6是C1—C20烷基，被氧、硫或间隔的C2—C20烷基、未取代的C7—C12芳烷基或在芳基部分中被1—3个C1-4烷基取代的C7—C12芳烷基；R7和R8各自独立地是氢、C1—C24烷基或被氧、硫或间隔的C2—C24烷基，R9是氢或C1—C8烷基，R10是C1—C15烷基，被氧、硫或或—R9间隔的C2—C20烷基；C5—C12环烷基，C2—C5链烯基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C9—C10芳氧基，未取代的C7—C12芳基烷基或在芳基部分上被1—3个C1—C4烷基取代的C7—C12芳烷基；以及m是2—5的整数。2.  按照权利要求1的晶体配位化合物，其中R1—R6的至少两个是氢。3.  按照权利要求1的晶体配位化合物，其中，R1是氢，R2，R3，R4和R5各自独立地是氢，氯，溴，硝基，氰基，CF3，C1—C8烷基，C5—C7环烷基，C3—C8链烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基，苄基，—CO2R6，—COR6或，R6是C1—C12烷基，被氧间隔的C2—C12烷基；或苄基，且R7和R8各自独立地是氢，C1—C8烷基或被氧间隔的C2—C12烷基。4.  按照权利要求1的晶体配位化合物，其中R10是C1—C8烷基，被氧或硫间隔的C3—C12烷基，C5—C7环烷基，C3—C8链烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基或苄基。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：A克雷默，A布雷格，
申请(专利权)人：希巴特殊化学控股公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]