晶体配位化合物及其制法以及含有它的组合物制造技术

＊＊＊ （Ⅰ） 本发明专利技术涉及式Ⅰ的晶体配位化合物，其中各符号与权利要求１中定义的相同。该化合物用作保护金属表面用的涂料组合物中的缓蚀剂。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
用作缓蚀剂的吗啉衍生物与酮酸的配合物本专利技术涉及吗啉衍生物与酮酸的配合物，包括成膜粘合剂、优选油漆系统和新型缓蚀剂的涂料组合物，及其在用于保护金属表面的涂料组合物中的用途。使用酮酸的碱金属、铵和胺盐作为水系统中的缓蚀剂是已知的，在US—A—4909987，US—A—知5128396或EP—A—496555中有公开。在EP—A—300325的实施例7中叙述，一当量3—苯甲酰丙酸与一当量吗啉在乙醇中反应得到预期由一份酸和一份碱构成的晶体盐。现已发现，在无溶剂或质子惰性溶剂存在下，酮酸与吗啉衍生物反应得到由两份酸和仅一份碱构成的晶体配位化合物。这类晶体配位化合物在用于保护金属表面以及预处理金属基材的涂料组合物中特别适用作缓蚀剂。这类晶体配位化合物不会造成与油漆系统、特别是水基油漆系统反应，而且在涂料组合物中具有优良的贮存稳定-->性。它们同样适用于临时及永久性防锈。这些油漆系统也显示了优良的湿粘接强度。因此，本专利技术涉及式I的晶体配位化合物：其中R1，R2，R3，R4和R5各自独立地是氢，卤素，硝基，氰基，CF3，C1—C15烷基，C5—C12环烷基，C2—C15链烯基，C1—C12卤本文档来自技高网...

【技术保护点】
式Ⅰ的晶体配位化合物＊＊＊ （Ⅰ）其中Ｒ↓［１］，Ｒ↓［２］，Ｒ↓［３］，Ｒ↓［４］和Ｒ↓［５］各自独立地是氢，卤素，硝基，氰基，ＣＦ↓［３］，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１５］烷基，Ｃ↓［５］－Ｃ↓［１２］环烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１５］链 烯基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］卤烷基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷氧基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷硫基，未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基；未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳氧基；未取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基或Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基（芳基部分被１－３个Ｃ↓［１］－...

【技术特征摘要】
CH 1994-1-18 149/941.  式I的晶体配位化合物其中R1，R2，R3，R4和R5各自独立地是氢，卤素，硝基，氰基，CF3，C1—C15烷基，C5—C12环烷基，C2—C15链烯基，C1—C12卤烷基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳氧基；未取代的C7—C12芳烷基或C7—C12芳烷基(芳基部分被1—3个C1—C4烷基取代)；—CO2R6，—COR6或，条件是R1—R5中至少一个是氢，卤素或C1—C15烷基；且各对取代基R1和R2，R2和R3，R3和R4或R4和R5与所连碳原子一起形成苯或环己烯基环，R6是C1—C20烷基，被氧、硫或间隔的C2—C20烷基、未取代的C7—C12芳烷基或在芳基部分中被1—3个C1-4烷基取代的C7—C12芳烷基；R7和R8各自独立地是氢、C1—C24烷基或被氧、硫或间隔的C2—C24烷基，R9是氢或C1—C8烷基，R10是C1—C15烷基，被氧、硫或或—R9间隔的C2—C20烷基；C5—C12环烷基，C2—C5链烯基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C9—C10芳氧基，未取代的C7—C12芳基烷基或在芳基部分上被1—3个C1—C4烷基取代的C7—C12芳烷基；以及m是2—5的整数。2.  按照权利要求1的晶体配位化合物，其中R1—R6的至少两个是氢。3.  按照权利要求1的晶体配位化合物，其中，R1是氢，R2，R3，R4和R5各自独立地是氢，氯，溴，硝基，氰基，CF3，C1—C8烷基，C5—C7环烷基，C3—C8链烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基，苄基，—CO2R6，—COR6或，R6是C1—C12烷基，被氧间隔的C2—C12烷基；或苄基，且R7和R8各自独立地是氢，C1—C8烷基或被氧间隔的C2—C12烷基。4.  按照权利要求1的晶体配位化合物，其中R10是C1—C8烷基，被氧或硫间隔的C3—C12烷基，C5—C7环烷基，C3—C8链烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基或苄基。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：A克雷默，A布雷格，
申请(专利权)人：希巴特殊化学控股公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]