一种功率因数校正电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率因数校正电路，包括：欠压保护子电路；开关控制子电路，开关控制子电路的输入端与欠压保护子电路的输出端电连接；PWM控制子电路，PWM控制子电路的输入端与欠压保护子电路的输出端电连接，PWM控制子电路的输出端与开关控制子电路的输入端电连接；过流保护子电路，过流保护子电路的输入端与开关控制子电路的输出端电连接，过流保护子电路的输出端与PWM控制子电路的输入端电连接；过压保护子电路，过压保护子电路的输入端与开关控制子电路的输出端电连接，过压保护子电路的输出端与PWM控制子电路的输入端电连接。本实用新型专利技术增大电源的输出功率，提高电路的可靠性，降低MOS管的电流应力，实现双MOS管的同步导通和关断。

A power factor correction circuit

The utility model discloses a power factor correction circuit, including: undervoltage protection circuit; switch control circuit, the input end of the switch control sub circuit connected with the undervoltage protection circuit output end electrically; PWM control circuit, PWM control circuit is connected with the input terminal and output undervoltage protection circuit in the end, the input terminal PWM output control circuit and switch control end sub sub circuit connection; overcurrent protection circuit, output electric overcurrent input terminal circuit and switch control circuit connection, over-current protection circuit is connected with the output end of input terminal PWM control circuit the overvoltage protection circuit; output terminal, overvoltage protection circuit and the input terminal switch control circuit connection, overvoltage protection circuit is connected with the output power input PWM control circuit. The utility model increases the output power of the power supply, improves the reliability of the circuit, reduces the current stress of the MOS tube, and realizes the synchronous conduction and turn off of the double MOS tube.

【技术实现步骤摘要】
一种功率因数校正电路
本技术属于开关电源
，特别涉及一种功率因数校正电路。
技术介绍
功率因数校正(PFC)电路属于电力电子领域，主要应用于开关电源BOOST升压电路中。其中，开关电源应用于通信、医疗、工控、铁路、电梯、LED照明、家电等行业。目前，功率因数校正(PFC)电路，主要分为以下两种：一种为被动式PFC(也称无源PFC)和主动式PFC(也称有源式PFC)。传统的，在功率因数校正电路中，其单MOS驱动电路相对简单，MOS管本身的损耗比较大，及散热问题；仅适合于相同拓扑结构的小功率电源。在功率因数校正电路中，其双MOS管并联驱动电路，可适应用于大功率开关电源的电路中。然而，在功率因数校正电路中，其双MOSFET并联驱动电路，存在电路可靠性差、印制电路板设计难度，以及难以实现了双MOS管的同步导通和关断等缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种功率因数校正电路，有效地解决了电路可靠性差、印制电路板设计难度，以及难以实现了双MOS管的同步导通和关断的问题。本技术提供的技术方案如下：本技术提供一种功率因数校正电路，包括：欠压保护子电路，用于保护输入电路；开关控制子电路，所述开关控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接；PWM控制子电路，所述PWM控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接，所述PWM控制子电路的输出端与所述开关控制子电路的输入端电连接；过流保护子电路，所述过流保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过流保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接；过压保护子电路，所述过压保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过压保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接。进一步，还包括：交流电源、电源滤波器和电源整流器，所述交流电源的输出端通过所述电源滤波器与所述电源整流器的输入端电连接，所述电源整流器的输出端与所述欠压保护子电路的输入端电连接。进一步，所述欠压保护子电路包括：整流桥、第一欠压保护电容，所述第一欠压保护电容并接在所述整流桥的输出端之间；所述第一欠压保护电容的两端分别与所述开关控制子电路的输入端电连接；所述第一欠压保护电容的一端还通过第一欠压保护电阻、第一欠压保护二极管与所述PWM控制子电路的输入端电连接；所述PWM控制子电路的输入端还通过第二欠压保护电容接地，所述PWM控制子电路的输入端还通过第二欠压保护电阻接地。进一步，所述开关控制子电路包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的漏极与升压电感的一端电连接，所述升压电感的另一端与所述欠压保护子电路的正输出端电连接；所述第一场效应晶体管的漏极还与所述第二场效应晶体管的漏极电连接，所述第二场效应晶体管的漏极还与第一开关二极管的阳极电连接；所述第一开关二极管的阳极还通过第一开关电阻、第一开关电容与所述第一开关二极管的阴极电连接；所述第一开关二极管的阴极还与所述第二开关二极管的阴极电连接，所述第二开关二极管的阳极与所述升压电感的另一端电连接；所述第一场效应晶体管的栅极与所述第二场效应晶体管的栅极电连接，所述第一场效应晶体管的栅极还通过第二开关电阻与所述第一场效应晶体管的源极电连接；所述第一场效应晶体管的源极还与所述欠压保护子电路的负输出端电连接；所述第二场效应晶体管的栅极通过第三开关电阻与所述第二场效应晶体管的源极电连接；所述第一场效应晶体管的源极还与所述第二场效应晶体管的源极电连接；所述第二场效应晶体管的源极还接地。进一步，所述过压保护子电路包括：过压保护电容、第一过压保护电阻、第二过压保护电阻，所述过压保护电容并接在所述开关控制子电路的输出端上；所述过压保护电容的一端还与所述第一过压保护电阻的一端电连接，所述第一过压保护电阻的另一端通过所述第二过压保护电阻与所述过压保护电容的另一端电连接；所述第一过压保护电阻的另一端还与所述PWM控制子电路的输入端电连接。进一步，所述过流保护子电路包括：第一过流保护电阻、第二过流保护电阻，所述第一过流保护电阻的一端与所述开关控制子电路的输入端电连接，所述第一过流保护电阻的另一端与所述欠压保护子电路的负输出端电连接；所述第一过流保护电阻的另一端还通过所述第二过流保护电阻与所述PWM控制子电路的输入端电连接。进一步，所述PWM控制子电路包括：控制芯片ICE2PCS02/G，所述控制芯片ICE2PCS02/G的欠压输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接；所述控制芯片ICE2PCS02/G的PWM波输出端通过限流电阻与所述开关控制子电路的输入端电连接；所述控制芯片ICE2PCS02/G的电压反馈输入端与所述过压保护子电路的输出端电连接；所述控制芯片ICE2PCS02/G的电流反馈输入端与所述过流保护子电路的输出端电连接；所述控制芯片ICE2PCS02/G的电流补偿端通过补偿电容接地；所述控制芯片ICE2PCS02/G的电压输出补偿端依次通过偏置电阻、偏置电容接地，所述控制芯片ICE2PCS02/G的电压输出补偿端还通过旁路电容接地。与现有技术相比，本技术具有以下优点：1、本技术中在功率因数校正电路中采用双MOS管并联设计，增大了电源的输出功率，提高了电路的可靠性，降低了MOS管的电流应力。利用PWM控制子电路，实现了MOS管的同步导通和关断，解决了以往的单只MOS管承受的电流应力和并联MOS管不同步导通的问题，以及并联MOS管的导通电流平均分配。2、本技术中利用CCM模式控制芯片(ICE2PCS02)，控制PWM波形输出固定的65KHZ频率。当控制芯片ICE2PCS02/G的PWM波输出端GATE输出PWM时，使得并联的MOS管Q1和Q2同时导通和关断，解决了以往的单只MOS管承受的电流应力和并联MOS管不同步导通的问题。附图说明下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对一种功率因数校正电路的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。图1是本技术中一种功率因数校正电路的电路框图；图2是本技术中欠压保护子电路的电路原理图；图3是本技术中开关控制子电路的电路原理图；图4是本技术中开关控制子电路、过流保护子电路、过压保护子电路和部分PWM控制子电路的电路原理图；图5是本技术中开关控制子电路、过压保护子电路和部分PWM控制子电路的电路原理图；图6是本技术中电源滤波器的电路原理图；图7是本技术中PWM控制子电路输出的PWM波和斜坡补偿的示意图。附图标号说明：10—电源滤波器20—电源整流器30—欠压保护子电路40—开关控制子电路50—PWM控制子电路60—过流保护子电路70—过压保护子电路具体实施方式为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率因数校正电路，其特征在于，包括：欠压保护子电路，用于保护输入电路；开关控制子电路，所述开关控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接；PWM控制子电路，所述PWM控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接，所述PWM控制子电路的输出端与所述开关控制子电路的输入端电连接；过流保护子电路，所述过流保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过流保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接；过压保护子电路，所述过压保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过压保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接。

【技术特征摘要】
1.一种功率因数校正电路，其特征在于，包括：欠压保护子电路，用于保护输入电路；开关控制子电路，所述开关控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接；PWM控制子电路，所述PWM控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接，所述PWM控制子电路的输出端与所述开关控制子电路的输入端电连接；过流保护子电路，所述过流保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过流保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接；过压保护子电路，所述过压保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过压保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接。2.如权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括：交流电源、电源滤波器和电源整流器，所述交流电源的输出端通过所述电源滤波器与所述电源整流器的输入端电连接，所述电源整流器的输出端与所述欠压保护子电路的输入端电连接。3.如权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述欠压保护子电路包括：整流桥、第一欠压保护电容，所述第一欠压保护电容并接在所述整流桥的输出端之间；所述第一欠压保护电容的两端分别与所述开关控制子电路的输入端电连接；所述第一欠压保护电容的一端还通过第一欠压保护电阻、第一欠压保护二极管与所述PWM控制子电路的输入端电连接；所述PWM控制子电路的输入端还通过第二欠压保护电容接地，所述PWM控制子电路的输入端还通过第二欠压保护电阻接地。4.如权利要求3所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述开关控制子电路包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的漏极与升压电感的一端电连接，所述升压电感的另一端与所述欠压保护子电路的正输出端电连接；所述第一场效应晶体管的漏极还与所述第二场效应晶体管的漏极电连接，所述第二场效应晶体管的漏极还与第一开关二极管的阳极电连接；所述第一开关二极管的阳极还通过第一开关电阻、第一开关电容与所述第一开关二极管的阴极电连接；所述第一开关二极管的阴极还与第二开关二极管的阴极电连接，所述第二开关二极管的阳极与所述升压电感的另一端电连接；所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟东，
申请(专利权)人：上海吉电电源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31