一种红外遥控电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种红外遥控电路，包括终端接口单元、红外信号处理单元、红外信号发射单元、红外信号接收单元、红外灯单元，终端接口单元包括连接器CON1，红外信号处理单元包括与连接器CON1相连接的主芯片U1，红外信号发射单元包括电阻R1、电阻R4和MOS管Q2，主芯片U1经电阻R4与MOS管Q2的栅极连接，红外灯单元包括二极管D1，MOS管Q2的漏极经电阻R1与二极管D1阳极连接，二极管D1阴极接地，红外信号接收单元包括MOS管Q1、电阻R2和红外接收处理器U2，二极管D1阳极经电阻R2与红外接收处理器U2连接，所述红外接收处理器U2与MOS管Q1漏极连接，红外接收处理器U2与主芯片U1连接。本实用新型专利技术红外遥控电路精度高、电路简单、成本低、便于实现。

An infrared remote control circuit

The utility model discloses an infrared remote control circuit, including terminal interface unit, the infrared signal processing unit, an infrared signal transmitting unit, an infrared signal receiving unit, infrared lamp unit, terminal interface unit includes a CON1 connector, the infrared signal processing unit includes a connecting connector and even the main CON1 chip U1, the infrared signal transmission unit comprises a resistor R1, R4 and MOS resistance tube Q2, Q2 gate through the resistor R4 and MOS tube U1 chip connection, infrared lamp unit includes a diode D1, MOS tube drain of the Q2 R1 by a resistor connected with the diode D1 anode and D1 cathode diode grounding, infrared signal receiving unit comprises a MOS pipe Q1, resistance R2 and infrared receiver processor U2, diode D1 anode through a resistor R2 is connected with the infrared receiving processor U2, the infrared receiving processor U2 and MOS Q1 tube drain connection, infrared receiver and the main processor U2 core Chip U1 connection. The infrared remote control circuit of the utility model has the advantages of high precision, simple circuit, low cost and easy realization.

【技术实现步骤摘要】
一种红外遥控电路
本技术涉及通讯领域，特别是涉及一种红外遥控电路。
技术介绍
随着智能手机的功能不断增多，为便于用户直接通过手机来控制具有红外遥控功能的家电，部分手机已经具备红外遥控功能。手机红外软件中通过软件预置或者网络数据库的形式提供常用家电的红外遥控编码库，库中存储有常用家电的红外遥控所使用的载波频率和各按键编码信息。使用时通过家电的规格型号来查找对应的红外遥控编码包，找到对应的遥控编码后，即可通过载波频率和各按键编码信息红外发射电路产生红外信号对被遥控设备进行遥控。对于已知的某个型号的家电的遥控编码包，可能存在的错键或者少键的问题，以及整个遥控器的编码都未知的情况。部分支持红外遥控功能的手机还提供了按键学习功能，学习功能可以通过提取遥控器按键的载波频率和按键编码来复制出按键的红外遥控信号。对于手机中的红外遥控功能，最常见的做法是：如图1和图2所示的红外遥控和学习方案，图1中手机CPU直接控制红外发射管发射。图2相对图1增加了学习功能，也是通过GPIO(GeneralPurposeInputOutput，通用输入/输出)直接识别红外波形，通过软件分析载波和信号。此类方案优点是电路简单，成本低，缺点是由于大部分红外遥控功能需要进行载波调制，载波频率有38kHz，40kHz和58kHz等，直接用CPU的GPIO口控制产生几十kHz的波形会占用较大的CPU资源，而且操作系统很难产生精确的微秒级的定时，不可避免的带来了误码和载波漂移。还有一些方案如图3和图4所示，手机CPU不直接控制红外发射管或者接收管。而是在CPU和红外发射电路与接收电路之间增加一个ASIC、单片机或FPGA，由ASIC、单片机和FPGA来控制红外发射管的发射或者接收管的学习。这种方案由于CPU不直接产生载波和红外编码，也不直接接收学习到的红外编码，不需要长时间占用CPU资源，不会导致载波偏移或者误码的问题。但是这种方案实际实施上由于需要ASIC、单片机或者FPGA，电路极为复杂，PCB面积大，成本较高，给更多手机引入红外遥控功能带来了障碍。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种精度高、电路简单、成本低、便于实现的红外遥控终端电路。为解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案来解决：一种红外遥控电路，包括终端接口单元、红外信号处理单元、红外信号发射单元、红外信号接收单元、红外灯单元，其中，所述终端接口单元与红外信号处理单元连接，所述红外信号处理单元与红外信号发射单元和红外信号接收单元连接，所述红外信号发射单元和红外信号接收单元与红外灯单元连接，所述终端接口单元包括连接器CON1，所述红外信号处理单元包括与连接器CON1相连接的主芯片U1，所述红外信号发射单元包括电阻R1、电阻R4和MOS管Q2，所述主芯片U1经电阻R4与MOS管Q2的栅极连接，所述红外灯单元包括二极管D1，所述MOS管Q2的漏极经电阻R1与二极管D1阳极连接，所述二极管D1阴极接地，所述红外信号接收单元包括MOS管Q1、电阻R2和红外接收处理器U2，所述二极管D1阳极经电阻R2与红外接收处理器U2连接，所述红外接收处理器U2与MOS管Q1漏极连接，所述红外接收处理器U2与主芯片U1连接。具体的，所述红外信号处理单元还包括电容C4、电容C5和电容C6，所述电容C4、电容C5和电容C6一端与所述主芯片U1相连接，该端同时与连接器CON1连接，所述电容C4、电容C5和电容C6另一端接地。具体的，所述红外信号发射单元还包括电阻R3、电容C1、电容C2和电容C3，所述电容C1、电容C2和电容C3的一端与MOS管Q2的源极连接，该端同时连接MOS管Q1的源极和R3的一端，所述R3的另一端与主芯片U1连接，所述R3的另一端还与连接器CON1连接，所述电容C1、电容C2和电容C3的另一端接地。具体的，所述红外接收单元还包括电阻R5和电阻R6，所述电阻R5一端与MOS管Q1栅极连接，所述电阻R5另一端与主芯片U1连接，所述R6一端与红外接收处理器U2连接，该端同时连接MOS管Q1漏极，所述R6另一端接地。具体的，所述主芯片U1型号为ICE40LM1K-CM36，所述MOS管Q1、MOS管Q2型号为WPM2026-3/TR，所述红外接收处理器U2型号为VSOP98260。本技术相比现有技术具有以下优点及有益效果：本技术一种红外遥控电路不仅有红外遥控功能还能有红外学习功能，共用同一个电路图，使得电路简单，同时红外信号处理单元通过采用主芯片U1，使得电路不直接产生载波和红外编码，克服了现有技术产生载波偏移或者误码的问题，使得红外遥控电路控制精度高，且便于灵活控制和实现。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1为现有技术红外遥控发射控制电路的第一电路示意图。图2为现有技术红外遥控发射控制电路的第二电路示意图。图3为现有技术红外遥控发射和学习电路的第一电路示意图。图4为现有技术红外遥控发射和学习电路的第二电路示意图。图5为本技术红外遥控电路一实施例的电路示意图。具体实施方式下面结合实施例及附图对本技术作进一步详细的描述，但本技术的实施方式不限于此。如图5所示，本技术的具体实施过程如下：本技术一种红外遥控电路包括终端接口单元、红外信号处理单元、红外信号发射单元、红外信号接收单元、红外灯单元。其中终端接口单元包括连接器CON1，其中，连接器CON1主要用于接收外部终端的红外命令并传递给红外处理单元或者接收红外处理单元的红外指令数据。红外信号处理单元包括主芯片U1、电容C4、电容C5和电容C6，主芯片U1可以把红外遥控指令转化为红外电信号，也可以把红外电信号译码成红外遥控指令，主芯片U1型号为：ICE40LM1K-CM36，其中电容C4、电容C5、电容C6是并联连接，他们起到滤波稳压作用。红外信号发射单元包括MOS管Q2、电阻R1、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2和电容C3，其中MOS管Q2起到信号开关作用，MOS管Q2型号为：WPM2026-3/TR，电阻R1、电阻R3、电阻R4起限流作用，电容C1、电容C2和电容C3是并联连接，同时起到滤波稳压作用。红外接收单元包括MOS管Q1，电阻R2、电阻R5、电阻R6和红外接收处理器U2，MOS管Q1型号为：WPM2026-3/TR，其中MOS管Q1起到信号开关作用，红外接收处理器U2可以把较弱的红外电信号整形放大为较强的红外电信号，主要起到信号放大作用,信号处理器U2型号为：VSOP98260。红外灯单元包含二极管D1，二极管D1型号为：IR26-61C/L302/TR8。连接器CON1与主芯片U1连接，主芯片U1经电阻R3与MOS管Q2源极连接，电容C4、电容C5和电容C6一端与主芯片U1连接，该端同时与连接器CON1连接，电容C4、电容C5和电容C6另一端接地，电容C1、电容C2和电容C3的一端与MOS管Q2的源极连接，该端同时连接MOS管Q1的源极和R3的一端，R3的另一端与主芯片U1连接，R3的另一端同时与连接器CON1连接，电容C1、电容C2和电容C3的另一端接地，MOS管Q2的漏极与电阻R1的一端连接，电阻R1另一端与二极管D1的阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外遥控电路，其特征在于，包括终端接口单元、红外信号处理单元、红外信号发射单元、红外信号接收单元、红外灯单元，其中，所述终端接口单元与红外信号处理单元连接，所述红外信号处理单元与红外信号发射单元和红外信号接收单元连接，所述红外信号发射单元和红外信号接收单元与红外灯单元连接，所述终端接口单元包括连接器CON1，所述红外信号处理单元包括与连接器CON1相连接的主芯片U1，所述红外信号发射单元包括电阻R1、电阻R4、和MOS管Q2，所述主芯片U1经电阻R4与MOS管Q2的栅极连接，所述红外灯单元包括二极管D1，所述MOS管Q2的漏极经电阻R1与二极管D1阳极连接，所述二极管D1阴极接地，所述红外信号接收单元包括MOS管Q1、电阻R2和红外接收处理器U2，所述二极管D1阳极经电阻R2与红外接收处理器U2连接，所述红外接收处理器U2与MOS管Q1漏极连接，所述红外接收处理器U2与主芯片U1连接。

【技术特征摘要】
1.一种红外遥控电路，其特征在于，包括终端接口单元、红外信号处理单元、红外信号发射单元、红外信号接收单元、红外灯单元，其中，所述终端接口单元与红外信号处理单元连接，所述红外信号处理单元与红外信号发射单元和红外信号接收单元连接，所述红外信号发射单元和红外信号接收单元与红外灯单元连接，所述终端接口单元包括连接器CON1，所述红外信号处理单元包括与连接器CON1相连接的主芯片U1，所述红外信号发射单元包括电阻R1、电阻R4、和MOS管Q2，所述主芯片U1经电阻R4与MOS管Q2的栅极连接，所述红外灯单元包括二极管D1，所述MOS管Q2的漏极经电阻R1与二极管D1阳极连接，所述二极管D1阴极接地，所述红外信号接收单元包括MOS管Q1、电阻R2和红外接收处理器U2，所述二极管D1阳极经电阻R2与红外接收处理器U2连接，所述红外接收处理器U2与MOS管Q1漏极连接，所述红外接收处理器U2与主芯片U1连接。2.根据权利要求1所述的红外遥控电路，其特征在于，所述红外信号处理单元还包括电容C4、电容C5和电容C6，所述电容C4、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鸿雁，
申请(专利权)人：深圳豪成通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44