像素电路及其驱动方法技术

本发明专利技术涉及一种像素电路及其驱动方法。所述像素电路，包括：发光元件；驱动晶体管，包括电连接到第一节点的第一电极、电连接到第二节点的第二电极和电连接到第三节点的栅电极；第一晶体管，包括接收第三电压的第一电极、电连接到第一节点的第二电极和接收第二发光控制信号的栅电极；第二晶体管，包括连接到传输第一电源电压的第一线的第一电极、连接到第二节点的第二电极和接收第一发光控制信号的栅电极；第一存储电容器，连接在第三节点与第四节点之间；以及开关晶体管，包括电连接到数据线的第一电极、电连接到第四节点的第二电极和接收扫描信号的栅电极。

Pixel circuit and driving method thereof

The present invention relates to a pixel circuit and its driving method. The pixel circuit includes a light emitting element; a driving transistor includes electrically connected to the first electrode, the first node is connected to the second electrode and electrically connected to the gate electrode of the second node third node; the first transistor includes a first electrode, and receives the third voltage connected to the gate electrode of the light emitting electrode of the first control signal second the node and the receiver second; second transistors, including a first electrode connected to the transmission line, the first supply voltage connection and receives the first light emitting gate electrode control signal to the second electrode second node; the first storage capacitor is connected between the third node and fourth node; and a switching transistor includes electrically connected to the first electrode power and data line connected to the second electrode fourth node and a gate electrode receiving a scan signal.

【技术实现步骤摘要】
像素电路及其驱动方法
示例实施例涉及显示设备。更具体地，本专利技术构思的实施例涉及包括在显示设备中的像素电路以及驱动显示设备的方法。
技术介绍
像素电路可以基于数据电压来发光，并且包括用于驱动像素电路的晶体管(例如，薄膜晶体管、TFT)。根据所使用的材料，晶体管可以被分为非晶硅(a-Si)晶体管、多晶硅(poly-Si)晶体管、氧化物晶体管等。硅晶体管(例如，低温多晶硅薄膜晶体管、LTPSTFT)具有高电子迁移率，使得硅晶体管能够实现显示设备的高分辨率。然而，硅晶体管的掩模工艺复杂且具有高的制造成本。氧化物晶体管具有高电子迁移率和低泄漏电流，使得氧化物晶体管实现了显示设备的低功率。此外，氧化物晶体管具有比硅晶体管的掩模工艺更为简单的掩模工艺，并且具有较低的制造成本。然而，氧化物晶体管通常被实现为基于氧空位及锌间隙的N型晶体管(例如，NMOS晶体管)，并且难以在氧化物晶体管中掺杂P型掺杂剂。因为提供给像素电路的数据信号由于发光元件的电容而被降低，所以像素电路可能不会发射具有与数据信号对应的目标亮度的光。已经提出了包括外部补偿电路的新的像素电路以防止数据信号损失。
技术实现思路
一些示例实施例提供一种像素电路，其具有N型晶体管并防止数据信号损失。一些示例实施例提供一种驱动像素电路的方法。根据示例实施例，像素电路可以包括：发光元件，电连接在第一节点与第二电源电压之间；驱动晶体管，包括电连接到第一节点的第一电极、电连接到第二节点的第二电极和电连接到第三节点的栅电极；第一晶体管，包括接收第三电压的第一电极、电连接到第一节点的第二电极和接收第二发光控制信号的栅电极；第二晶体管，包括电连接到传输第一电源电压的第一线的第一电极、电连接到第二节点的第二电极和接收第一发光控制信号的栅电极；第三晶体管，包括电连接到第二节点的第一电极、电连接到第三节点的第二电极和接收补偿控制信号的栅电极；第一存储电容器，电连接在第三节点与第四节点之间；第二存储电容器，电连接在第四节点与第一节点之间；以及开关晶体管，包括电连接到数据线的第一电极、电连接到第四节点的第二电极和接收扫描信号的栅电极。在示例实施例中，驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和开关晶体管中的每个晶体管可以是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，其中第一电源电压具有比第二电源电压的电压电平低的电压电平。在示例实施例中，第二晶体管可以响应于第一发光控制信号而在第一时段中和在第四时段中导通，并且在第二时段中和在第三时段中截止。在这里，第一时段可用以对第三节点处的第三节点电压进行初始化，第二时段可用以对驱动晶体管的阈值电压进行补偿，第三时段可用以接收数据电压，第四时段可以用于发光元件发射光，并且第一时段至第四时段可以被包括在操作时段中，并且可以彼此不同。在示例实施例中，第一晶体管可以响应于第二发光控制信号而在第一时段中、在第二时段中和在第三时段中导通，并且在第四时段中截止。在示例实施例中，第三晶体管可以响应于补偿控制信号而在第一时段中和在第二时段中导通，并且在第三时段中和在第四时段中截止。在示例实施例中，开关晶体管可以响应于扫描信号而在第一时段中、在第二时段中和在第三时段中导通，并且可以将数据电压充入第一存储电容器和第二存储电容器。在示例实施例中，第一存储电容器可以在第二时段中存储驱动晶体管的阈值电压。在示例实施例中，开关晶体管可以响应于扫描信号而在第三时段中导通，并将数据电压传输到第四节点。在示例实施例中，第二存储电容器可以在第三时段中存储数据电压。在示例实施例中，第三电压可以等于或低于发光元件的阈值电压。根据示例实施例，像素电路可以包括：发光元件，电连接在第一节点与第二电源电压之间；驱动晶体管，包括电连接到第一节点的第一电极、电连接到传输第一电源电压的第一线的第二电极和电连接到第三节点的栅电极；第一晶体管，包括接收第三电压的第一电极、电连接到第一节点的第二电极和接收第二发光控制信号的栅电极；第三晶体管，包括接收基准电压的第一电极、电连接到第三节点的第二电极和接收补偿控制信号的栅电极；存储电容器，电连接在第三节点与第四节点之间；第五晶体管，包括电连接到第一节点的第一电极、电连接到第四节点的第二电极和接收第一发光控制信号的栅电极；以及开关晶体管，包括电连接到数据线的第一电极、电连接到第四节点的第二电极和接收扫描信号的栅电极。在示例实施例中，像素电路可以进一步包括：第二晶体管，包括电连接到第一线的第一电极、电连接到驱动晶体管的第二电极的第二电极和接收第一发光控制信号的栅电极。在这里，第三晶体管的第一电极可以电连接到第二节点，并且第二节点可以电连接到驱动晶体管的第二电极和第二晶体管的第二电极。在示例实施例中，第二晶体管可以响应于第一发光控制信号而在第一时段中和在第四时段中导通，并且在第二时段中和在第三时段中截止。在这里，第一时段可用以对第三节点处的第三节点电压进行初始化，第二时段可用以对驱动晶体管的阈值电压进行补偿，第三时段可用以接收数据电压，第四时段可以用于发光元件发射光，并且第一时段至第四时段可以被包括在操作时段中，并且可以彼此不同。在示例实施例中，第一晶体管可以响应于第二发光控制信号而在第一时段中、在第二时段中和在第三时段中导通，并且在第四时段中截止。在示例实施例中，第三晶体管可以响应于补偿控制信号而在第一时段中和第二时段中导通，并且在第三时段中和在第四时段中截止。在示例实施例中，开关晶体管可以响应于扫描信号而在第二时段中导通，并且可以对所述存储电容器进行充电。在示例实施例中，存储电容器可以在第二时段中存储驱动晶体管的阈值电压。在示例实施例中，开关晶体管可以响应于扫描信号而在第三时段中导通，并且将数据电压传输到第四节点。在示例实施例中，基准电压可以等于第三电压，并且第二发光控制信号可以在第一时段、第二时段和第三时段期间具有导通电平电压。在示例实施例中，第三晶体管可以响应于补偿控制信号而在第一时段中和在第二时段中导通，并且在第三时段和第四时段中截止。在这里，第一时段可用以对第三节点处的第三节点电压进行初始化，并且第二时段可用以对驱动晶体管的阈值电压进行补偿，第三时段可用以接收数据电压，第四时段可用于发光元件发射光，并且第三至第五时段可以被包括在操作时段中，并且可以彼此不同。在示例实施例中，第五晶体管可以响应于第一发光控制信号而在第五时段中和在第四时段中导通，并且在在第三时段中截止。在示例实施例中，存储电容器可以在第五时段中存储驱动晶体管的阈值电压。在示例实施例中，第一晶体管可以响应于扫描信号而在第三时段中导通，并且可以将第三电压传输到第一节点，并且开关晶体管可以响应于扫描信号而在第三时段中导通，并且可以将数据电压传输到第四节点。在示例实施例中，像素电路可以进一步包括：第六晶体管，包括电连接到第一节点的第一电极、电连接到第四节点的第二电极和接收补偿控制信号的栅电极。在示例实施例中，第三晶体管和第六晶体管中的每个晶体管可以基于补偿控制信号在第五时段中导通，并且可以在第三时段和第四时段中截止。在这里，第五时段可用以对第三节点处的第三节点电压进行初始化，并且可用以对驱动晶体管的阈值电压进行补偿，第三时段可用以接收数据电压，第四时段可用于发光元件发射光，并且第三至第五时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，包括：发光元件，电连接在第一节点与第二电源电压之间；驱动晶体管，包括电连接到所述第一节点的第一电极、电连接到第二节点的第二电极、以及电连接到第三节点的栅电极；第一晶体管，包括接收第三电压的第一电极、电连接到所述第一节点的第二电极、以及接收第二发光控制信号的栅电极；第二晶体管，包括电连接到传输第一电源电压的第一线的第一电极、电连接到所述第二节点的第二电极、以及接收第一发光控制信号的栅电极；第三晶体管，包括电连接到所述第二节点的第一电极、电连接到所述第三节点的第二电极、以及接收补偿控制信号的栅电极；第一存储电容器，电连接在所述第三节点与第四节点之间；第二存储电容器，电连接在所述第四节点与所述第一节点之间；以及开关晶体管，包括电连接到数据线的第一电极、电连接到所述第四节点的第二电极、以及接收扫描信号的栅电极。

【技术特征摘要】
2016.04.15 KR 10-2016-00458851.一种像素电路，包括：发光元件，电连接在第一节点与第二电源电压之间；驱动晶体管，包括电连接到所述第一节点的第一电极、电连接到第二节点的第二电极、以及电连接到第三节点的栅电极；第一晶体管，包括接收第三电压的第一电极、电连接到所述第一节点的第二电极、以及接收第二发光控制信号的栅电极；第二晶体管，包括电连接到传输第一电源电压的第一线的第一电极、电连接到所述第二节点的第二电极、以及接收第一发光控制信号的栅电极；第三晶体管，包括电连接到所述第二节点的第一电极、电连接到所述第三节点的第二电极、以及接收补偿控制信号的栅电极；第一存储电容器，电连接在所述第三节点与第四节点之间；第二存储电容器，电连接在所述第四节点与所述第一节点之间；以及开关晶体管，包括电连接到数据线的第一电极、电连接到所述第四节点的第二电极、以及接收扫描信号的栅电极。2.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述驱动晶体管、所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述开关晶体管中的每个晶体管是N沟道金属氧化物半导体晶体管，并且其中所述第一电源电压具有比所述第二电源电压的电压电平低的电压电平。3.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述第二晶体管响应于所述第一发光控制信号而在第一时段中和在第四时段中导通，并且在第二时段中和在第三时段中截止，其中所述第一时段用以对所述第三节点处的第三节点电压进行初始化，其中所述第二时段用以对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿，其中所述第三时段用以接收数据电压，其中所述第四时段用于所述发光元件发射光，并且其中所述第一时段至所述第四时段被包括在操作时段中，并且彼此不同。4.根据权利要求3所述的像素电路，其中所述第一晶体管响应于所述第二发光控制信号而在所述第一时段中、在所述第二时段中和在所述第三时段中导通，并且在所述第四时段中截止。5.根据权利要求4所述的像素电路，其中所述第三晶体管响应于所述补偿控制信号而在所述第一时段中和在所述第二时段中导通，并且在所述第三时段中和在所述第四时段中截止。6.根据权利要求5所述的像素电路，其中所述开关晶体管响应于所述扫描信号在所述第一时段中、在所述第二时段中和在所述第三时段中导通，并且将所述数据电压充入所述第一存储电容器和所述第二存储电容器。7.根据权利要求6所述的像素电路，其中所述第一存储电容器在所述第二时段中存储所述驱动晶体管的所述阈值电压。8.根据权利要求5所述的像素电路，其中所述开关晶体管响应于所述扫描信号而在所述第三时段中导通，并且将所述数据电压传输到所述第四节点。9.根据权利要求8所述的像素电路，其中所述第二存储电容器在所述第三时段中存储所述数据电压。10.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述第三电压等于或低于所述发光元件的阈值电压。11.一种像素电路，包括：发光元件，电连接在第一节点与第二电源电压之间；驱动晶体管，包括电连接到所述第一节点的第一电极、电连接到传输第一电源电压的第一线的第二电极、以及电连接到第三节点的栅电极；第一晶体管，包括接收第三电压的第一电极、电连接到所述第一节点的第二电极、以及接收第二发光控制信号的栅电极；第三晶体管，包括接收基准电压的第一电极、电连接到所述第三节点的第二电极、以及接收补偿控制信号的栅电极；存储电容器，电连接在所述第三节点与第四节点之间；第五晶体管，包括电连接到所述第一节点的第一电极、电连接到所述第四节点的第二电极、以及接收第一发光控制信号的栅电极；以及开关晶体管，包括电连接到数据线的第一电极、电连接到所述第四节点的第二电极、以及接收扫描信号的栅电极。12.根据权利要求11所述的像素电路，进一步包括：第二晶体管，包括电连接到所述第一线的第一电极、电连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的第二电极、以及接收所述第一发光控制信号的栅电极，其中所述第三晶体管的所述第一电极电连接到第二节点，并且其中所述第二节点电连接到所述驱动晶体管的所述第二电极和所述第二晶体管的所述第二电极。13.根据权利要求12所述的像素电路，其中所述第二晶体管响应于所述第一发光控制信号而在第一时段中和在第四时段中导通，并且在第二时段中和在第三时段中截止，其中所述第一时段用以对所述第三节点处的第三节点电压进行初始化，其中所述第二时段用以对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿，其中所述第三时段用以接收数据电压，其中所述第四时段用于所述发光元件发射光，并且其中所述第一时段至所述第四时段被包括在操作时段中，并且彼此不同。14.根据权利要求13所述的像素电路，其中所述第一晶体管响应于所述第二发光控制信号而在所述第一时段中、在所述第二时段中和在所述第三时段中导通，并且在所述第四时段中截止。15.根据权利要求14所述的像素电路，其中所述第三晶体管响应于所述补偿控制信号而在所述第一时段中和在所述第二时段中导通，并且在所述第三时段中和在所述第四时段中截止。16.根据权利要求15所述的像素电路，其中所述开关晶体管响应于所述扫描信号而在所述第二时段中导通，并且对所述存储电容器进行充电。17.根据权利要求16所述的像素电路，其中所述存储电容器在所述第二时段中存储所述驱动晶体管的所述阈值电压。18.根据权利要求15所述的像素电路，其中所述开关晶体管响应于所述扫描信号而在所述第三时段中导通，并且将所述数据电压传输到所述第四节点。19.一种像素电路，包括：发光元件，电连接在第一节点与第二电源电压之间；驱动晶体管，包括电连接到所述第一节点的第一电极、电连接到传输第一电源电压的第一线的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁一熏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR