MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法技术

本发明专利技术公开了MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法，包括对MLC闪存进行双层LDPC码的编码，以及进行双层LDPC码的译码。本发明专利技术为高密度低功耗闪存存储可靠性问题提供了一种有效的解决方法，对提升MLC闪存存储器的综合性能有着深远意义。

Coding and decoding method based on double layer LDPC code in MLC flash memory

The invention discloses a coding and decoding method based on double layer LDPC code in MLC flash memory, which comprises the encoding of double layer LDPC code for MLC flash memory and the decoding of double layer LDPC code. The invention provides an effective solution for the storage reliability problem of the high-density and low-power flash memory, and has profound significance for improving the comprehensive performance of the MLC flash memory.

【技术实现步骤摘要】
MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法
本专利技术涉及存储
，特别涉及在MLC(Multi-LevelCell，多层单元闪存)闪存中基于双层LDPC(LowDensityParityCheckCode，低密度奇偶校验码)的编、译码方法。
技术介绍
大数据和云存储在带来无限机遇的同时，也给信息领域带来了诸多的风险和挑战。传统的存储技术已不能适应当前高集成度低功耗快速集成电路技术的发展。非易失存储(Non-VolatileMemory,NVM)技术因其具有高集成度、低静态功耗、高读写访问速度、非易失、体积小等优良特性成为当前研究热点。NANDFlash存储器具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。随着半导体器件尺寸的不断缩小和多层式存储高密度技术的使用，急需解决NAND闪存所面临的可靠性降低、读写延时加长、P/E次数减少等主要问题。存储可靠性是MLC闪存的一个关键技术指标。高密度使存储的可靠性降低，表现为较低的P/E循环耐久性，较短的数据保持，以及增加的对扰动和干扰影响的敏感性。LDPC码凭借其优异的纠错性能和低译码复杂度获得了广本文档来自技高网...

【技术保护点】
MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对MLC闪存进行双层LDPC码的编码；步骤2、对步骤1的结果进行双层LDPC码的译码。

【技术特征摘要】
1.MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对MLC闪存进行双层LDPC码的编码；步骤2、对步骤1的结果进行双层LDPC码的译码。2.根据权利要求1所述的MLC闪存中基于双层LDPC码的编、译码方法，其特征在于，步骤1的过程为：步骤1-1、对MCL上页数据进行编码，使用双层LDPC码的下层校验矩阵进行编码，产生上页冗余1；步骤1-2、对MCL上页数据和上页冗余1进行二次编码，使用双层LDPC码的上层校验矩阵进行编码，产生上页冗余2并存放在MCL下页中；步骤1-3、对MCL下页数据和上页冗余2一起进行编码，使用双层LDPC码的下层校验矩阵的变种形式进行高码率编码，产生下页冗余；步骤1-4、对MCL上、下页产生的码字进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔令军，李骏，薛文，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32