一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法技术

本发明专利技术涉及一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，包括纯氧化物预烧结法制备先驱粉、制备先驱块、压制支撑块、坯体的装配、单畴钇钡铜氧超导块材的生长、渗氧六个步骤；通过采用纯氧化物法在高温条件下保温预烧结制备先驱粉，相对于传统方法需要合成相纯净的YBa2Cu3O7‑δ、Y2BaCuO5或BaCuO2先驱粉体，简化了工艺步骤，节约了时间和能源，提高了工作效率，降低了生产成本；制备的先驱粉化学成分十分稳定，没有短时间内必须完成压块的条件限制，可以储存备用，利于工业批量化生产；另外制备的先驱粉采用常规方法压块即可，无需喷入雾化的去离子水，避免了苛刻的实验条件，也避免了宏观裂纹的产生，制备的产品超导性能更好。

A method of pre sintering of pure oxide single domain YBCO superconductor

The invention relates to a method for pre sintering of pure oxide single domain YBCO BULK superconductors, including the preparation of precursor powder, pure oxides pre sintering method preparation pioneer and pressing supporting block, body assembly, single domain YBCO superconductor growth, oxygen permeability of six steps through; the pure oxide method under the condition of high temperature insulation pre sintering preparation of precursor powder, compared with the traditional method needs YBa2Cu3O7 8, Y2BaCuO5 or BaCuO2 precursor powder synthesis phase pure, simplifies the process steps, save time and energy, improve work efficiency, reduce the production cost; chemical composition of precursor powder preparation very stable, not a short period of time must complete conditions block, can be stored for standby, suitable for industrial mass production; in addition business pioneer powders using conventional methods of pressing block can, without injection The atomized deionized water avoids the harsh experimental conditions and avoids the generation of macro cracks, and the superconducting properties of the products are better.

【技术实现步骤摘要】
一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法
本专利技术属于高温铜氧化物超导材料
，具体涉及一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法。
技术介绍
单畴稀土铜氧化物高温超导块材具有92K左右的临界温度，高的上临界磁场和无阻载流能力。这一优势为该类材料在超导磁体及超导磁悬浮等方面的应用奠定了基础，近年的发展也使其具有良好的应用前景。目前制备单畴铜氧化物超导块材的方法主要有顶部籽晶熔融织构生长法（TSMTG）和顶部籽晶熔渗生长法（TSIG）两种截然不同的工艺方法，反应原理及工艺流程均有不同，各有优缺点。从工艺流程上讲，TSIG法需要分别压固相块和液相块，而TSMTG法只需要压一个块，在工艺上更简单一些。因此本专利主要是对TSMTG法制备YBCO单畴超导块材的改进。长期以来，传统的TSMTG法先将原料粉（Y2O3，BaCO3，以及CuO）合成Y2BaCuO5（Y211）、YBa2Cu3O7-x（Y123）两种先驱粉体，然后将这两种先驱粉体混合球磨压坯成型，放置籽晶后放入晶体生长炉中进行籽晶诱导织构生长。最终生长成为单畴结构，渗氧后得到单畴超导块材（见专利：ZL20091本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于,包括以下步骤：（1）纯氧化物预烧结法制备先驱粉将氧化钇、过氧化钡与氧化铜按摩尔比为0.8～1∶2.2～2.5∶3.2～3.5球磨混合均匀，在880～910°C条件下保温5～20小时，再研磨后作为先驱粉；（2）制备先驱块将步骤（1）得到的先驱粉，使用压片机压制成圆柱体状的先驱块；（3）压制支撑块将氧化镱压制成与先驱块直径相同的圆柱体状的支撑块；（4）坯体的装配在氧化铝垫片上表面由下至上依次放置氧化镁单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；（5）单畴钇钡铜氧超导块材的生长将步骤（4）装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100...

【技术特征摘要】
1.一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于,包括以下步骤：（1）纯氧化物预烧结法制备先驱粉将氧化钇、过氧化钡与氧化铜按摩尔比为0.8～1∶2.2～2.5∶3.2～3.5球磨混合均匀，在880～910°C条件下保温5～20小时，再研磨后作为先驱粉；（2）制备先驱块将步骤（1）得到的先驱粉，使用压片机压制成圆柱体状的先驱块；（3）压制支撑块将氧化镱压制成与先驱块直径相同的圆柱体状的支撑块；（4）坯体的装配在氧化铝垫片上表面由下至上依次放置氧化镁单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；（5）单畴钇钡铜氧超导块材的生长将步骤（4）装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100～200℃的升温速率升温至890～930℃，保温5～15小时，以每小时60～150℃的升温速率升温至1040～1050℃，保温1～3小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1008～1015℃，以每小时0.5～1℃的降温速率慢冷至995～10...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳伟，杨万民，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61