一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法技术

一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法。制备步骤如下：1)利用热丝CVD法在钽片上沉积掺硼金刚石膜，在腔室通入氢气，碳源和硼源，开灯丝电源，加偏压，调节压强和控制温度、时间；2)采用射频磁控溅射仪在掺硼金刚石膜上镀镍，向真空室通入氩气，开启溅射电源，调节压强和功率；3)利用直流电弧等离子体喷射CVD设备对掺硼金刚石进行刻蚀，通入氢气和氩气，开磁场控制电源，调腔压和泵压，控制温度和时间，制备出多孔掺硼金刚石；4)利用水热法制备碳空心球/多孔掺硼金刚石复合电极。将多孔掺硼金刚石投入β‑环糊精和F‑127混合悬浊液中，进行水热处理，取出后冷冻干燥，马弗炉中退火即制备复合电极。

Preparation method of carbon hollow sphere and porous boron doped diamond composite film sensor electrode

Preparation method of carbon hollow sphere and porous boron doped diamond composite film sensor electrode. The preparation steps are as follows: 1) by hot filament CVD deposition of boron doped diamond films on tantalum substrate, the hydrogen flow in the chamber, carbon and boron source, open filament power, bias voltage, pressure regulation and control of temperature and time; 2) by RF magnetron sputtering apparatus in nickel boron doped diamond film, argon to pass into the vacuum chamber, open the sputtering power, adjust the pressure and power; 3) spraying equipment for CVD etching on boron doped diamond by DC arc plasma, introducing hydrogen and argon, open field control power, cavity pressure and pump pressure control, temperature and time, preparation of porous boron doped diamond; 4) hydrothermal synthesis of hollow carbon spheres / porous boron doped diamond composite electrode. The porous boron doped diamond into beta cyclodextrin and F 127 mixed suspension, hydrothermal treatment, removed after freeze drying, muffle furnace and annealing the electrode preparation.

【技术实现步骤摘要】
一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法
本专利技术属于薄膜电子材料领域，公开了一种电化学传感器电极及其制备方法，具体涉及掺硼金刚石，碳空心球与复合物的制备及其在电化学传感器中的应用。
技术介绍
电化学传感器因灵敏度高、响应速度快、成本低而开始广泛应用到化工、食品及医疗等各个领域中。电化学传感器的关键部件是传感器电极，而目前传感器电极存在的问题是因敏感膜与固体电极的膜基结合力弱而稳定性差，因电势窗口狭窄而不能检测响应在高电位处的物质及不能实现多物质同时检测，因背景电流大而无法进一步优化检测限而实现恒量检测。掺硼金刚石(Boron-dopeddiamondBDD)薄膜作为电极材料，它拥有耐腐蚀性、宽电势窗、低背景电流和接近导体的电导率。碳空心球密度较小、比表面积大、稳定性比较好并且可以对中空结构进行填充，具有强吸附性和催化作用等特点。将掺硼金刚石与碳空心球复合作为传感器电极，目前还没有相关报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对目前传感器存在的问题，提供一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法，实现同时检测包括抗坏血酸、多巴胺和尿酸在内的各种物质，实现降低检测限，提高灵敏度的目的。本专利技术的技术方案一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法，步骤如下：(1)利用热丝化学气相沉积(CVD)法在钽片上沉积掺硼金刚石膜，其中碳源为甲烷，硼源为硼酸三甲酯，用乙醇溶解后由氢气代入，硼源、氢气及甲烷的流量分别为6mL/min、300mL/min和6mL/min，反应室压强35～39Torr，基底温度800℃～1000℃，生长时间45～72h；(2)利用射频磁控溅射仪在掺硼金刚石膜上溅射一层镍颗粒，先后启动一级泵和二级泵，使反应室真空度达到10-4Pa，通入纯度为99.999％的氩气，流量为15mL/min，调节分子泵保持腔室压强为1～2Pa。开射频源，预热5～10min，调节功率为120～150W，溅射时间为30～50s。(3)采用直流电弧等离子体喷射CVD设备，对步骤(2)中制备的镍与掺硼金刚石复合膜进行等离子体刻蚀，样品距离等离子喷射口2～4cm，等离子体气氛为1.5L/min的氢气和1.5L/min的氩气，保持腔压2800～3000Pa，泵压13000～13500Pa，开始调磁场控制电压至6V，启动后弧电压为52V，弧电流95.6A。温度700～800℃，时间为2～5min，由此获得多孔掺硼金刚石膜；(4)制备线性聚合物和环状聚合物的混合悬浮液。线性聚合物可以采用聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯三嵌段共聚物(F127)，环状聚合物可以采用α-环糊精或β-环糊精。(5)将步骤(3)中得到的多孔掺硼金刚石放入步骤(4)中制备的线性聚合物和环状聚合物的混合悬浮溶液中搅拌6～24个小时；(6)将步骤(5)中得到的多孔掺硼金刚石及线性聚合物和环状聚合物的混合悬浮液转移到消解罐内密封好，在200℃进行水热处理6～12小时，降至常温后取出多孔金刚石膜进行冷冻干燥，设置温度为-53～-50℃、压强为10-15Pa，干燥时间为30-60min。(7)把步骤(6)中制备的碳空心球/多孔掺硼金刚石复合膜放入马弗炉中450～550℃碳化30min～60min，即得碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜。(8)将碳空心球/多孔掺硼金刚石复合膜作为工作电极，铂片作为对电极，饱和甘汞电极作为参比电极，构造三电极体系，把电极插入待测物相关溶液中，连接电化学工作站，利用差分脉冲伏安法设置电位范围为-0.4一0.6V,电位增量为0.001一0.05V,振幅设置为0.01一0.05V,脉冲宽度设置0.005一0.025s,,脉冲周期设置0.01一0.5s，以测试电极的电化学传感性能。本专利技术的优点和有益效果：(1)提供了多孔掺硼金刚石电极的制备方法。(2)提供了结合力强的碳空心球/多孔金刚石复合膜电极的制备方法。(3)可同时快速检测血清中抗坏血酸、多巴胺、尿酸等三种物质。(4)传感器的检测线性范围宽,灵敏度高,检测限低。(5)传感器的再现性、重复性、稳定性好,寿命长。附图说明图1为本专利技术制备的掺硼金刚石扫描电子显微镜照片；图2为本专利技术制备的多孔掺硼金刚石的扫描电子显微镜照片；图3为本专利技术制备的碳空心球/多孔掺硼金刚石复合膜电极的扫描电子显微镜照片；图4为用本专利技术制备的由碳空心球/多孔掺硼金刚石复合膜电极作为工作电极，饱和甘汞电极为参比电极，铂片为对电极构建的三电极系统，在抗坏血酸、多巴胺、尿酸混合溶液中获得的差分脉冲伏安曲线(a)、尿酸的差分脉冲伏安曲线(b)、与尿酸对应的工作曲线(c)和不同的pH值与峰电流的关系曲线(d)。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的实施做详细的说明。本实施例在以本专利技术的技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方案和具体的操作过程，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施例。实施例1步骤1、采用热丝CVD法制备掺硼金刚石，首先，将反应室内部清洗干净，并挂好6根18.5cm的钽丝。依次用超纯水，丙酮，无水乙醇超声清洗钽片至金属光泽。用酒精配制金刚石粉悬浮液，并将清洗好的钽片放入金刚石粉悬浮液中，超声处理2h。将处理好的钽片放到铜台上距离钽丝1cm，关闭腔室。开机械泵，反应室压强到5Pa以下开始通入甲烷和氢气，流量分别为6mL/min和300mL/min，气压上升至16Torr时，打开灯丝电流至138A，保持30min，并使气压稳定在37.7Torr，打开偏压电源，缓慢降低铜台，增加偏压，加偏压电源的电流为10A，有辉光后继续降铜台加偏压至200V，并观察基底温度在850℃以上。30min后开始通入硼源流量为25mL/min，生长时间48h。步骤2、利用射频磁控溅射仪在掺硼金刚石膜上溅射一层镍颗粒。其中镍靶材纯度为99.99％，厚度5mm，直径100mm，靶的轴线和样品架之间的距离为100mm。先后启动一级泵和二级泵，使反应室真空度达到10-4Pa，然后通入纯度为99.999％的氩气，流量为15mL/min调节分子泵保持压强为1Pa。开射频源，预热5min，调节功率为150W，开挡板进行预溅射5min，调样品与靶材正对，进行正式溅射，时间为30s。步骤3、采用直流电弧等离子体喷射CVD设备将镀镍的掺硼金刚石刻蚀成多孔结构，将镀镍的掺硼金刚石置于直流电弧等离子体喷射CVD设备的样品台上，调节样品台高度，使其距离等离子体喷射口3cm。关闭反室开始抽真空，当腔压和泵压显示均为-100时通入流量均为1.500L/min的氢气和氩气。保持腔压3000Pa，泵压13000Pa，开始调磁场控制电压至6V，启动后弧电压为52V，弧电流95.6A，基底温度700℃，刻蚀时间2.5min。步骤4、用40mL超纯水溶解1.2g的β-环糊精并进行搅拌，用40mL超纯水超声溶解0.4gF-127的悬浮液，待F-127溶解完毕缓慢倒入一半至搅拌中的β-环糊精溶液中，30min后将剩余的F-127溶液全部倒入，将多孔掺硼金刚石放入悬浮溶液中搅拌12个小时。将浸泡的多孔掺硼金刚石及F127/环糊精悬浮液转移到消解罐内密封好，使其在200℃反应6小时，降至常温后取出多孔掺硼金刚石膜进行冷冻干燥，冷冻干燥温度控制在-50℃、压强为12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法，其特征在于采用热丝化学气相沉积(CVD)法，射频磁控溅射仪和直流电弧等离子体喷射CVD设备，步骤如下：(1)利用热丝化学气相沉积(CVD)法在钽片上沉积掺硼金刚石膜，其中碳源为甲烷，硼源为硼酸三甲酯，由氢气代入，硼源、氢气及甲烷的流量分别为6mL/min、300mL/min和6mL/min，反应室压强35～39Torr，生长时间48～72h；(2)利用射频磁控溅射仪在掺硼金刚石膜上溅射一层镍颗粒，先后启动一级泵和二级泵，使反应室真空度达到10‑

【技术特征摘要】
1.一种碳空心球与多孔掺硼金刚石复合膜传感器电极的制备方法，其特征在于采用热丝化学气相沉积(CVD)法，射频磁控溅射仪和直流电弧等离子体喷射CVD设备，步骤如下：(1)利用热丝化学气相沉积(CVD)法在钽片上沉积掺硼金刚石膜，其中碳源为甲烷，硼源为硼酸三甲酯，由氢气代入，硼源、氢气及甲烷的流量分别为6mL/min、300mL/min和6mL/min，反应室压强35～39Torr，生长时间48～72h；(2)利用射频磁控溅射仪在掺硼金刚石膜上溅射一层镍颗粒，先后启动一级泵和二级泵，使反应室真空度达到10-4Pa，通入氩气，调节分子泵保持腔室压强为1～2Pa；开射频源，预热5～10min，调节功率为120～150W；(3)采用直流电弧等离子体喷射CVD设备，对步骤(2)中制备的镍与掺硼金刚石膜进行等离子刻蚀，等离子体气体为氢气和氩气，保持腔压2800～3000Pa，泵压13000～13500Pa，开始调磁场控制电压至6V，启动后弧电压为52V，弧电流95.6A；(4)采用水热合成法制备碳空心球，制备线性聚合物和环状聚合物的混合悬浮液，将步骤(3)中得到的多孔掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明吉，王雪峰，李红姬，李翠平，孙大智，杨保和，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：天津,12