晶体炉的真空与排气管路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体炉的真空与排气管路结构，包括真空管路、排气管路、进气口、真空及排气管路三通件、真空保护阀、排气保护阀，进气口设置在真空及排气管路三通件的前端，真空保护阀设置在真空管路的前端，真空及排气管路三通件安装在真空保护阀的前端，排气保护阀设置在排气管路的前端，排气保护阀的前端与真空及排气管路三通件连接；通过本技术方案，便于按照晶体炉工艺需求进行正压排气操作和负压抽真空操作，且可有效避免管路部件因高温、振动造成的损毁，从而确保晶体炉整个长晶过程的顺利进行，真空与排气管路结构简洁紧凑，方便拆卸及维护。

Vacuum and exhaust pipe structure of crystal furnace

The utility model discloses a vacuum exhaust pipe and a crystal furnace, including vacuum pipe, exhaust pipe, air inlet, vacuum and exhaust pipe three, vacuum exhaust valve, safety valve, an air inlet is arranged at the front end of the vacuum and exhaust pipe three through the vacuum valve is arranged at the front end of the vacuum pipeline protection. Vacuum and exhaust pipe through three parts installed in front of a vacuum safety valve, exhaust valve is arranged at the front end of the protection of exhaust pipe, exhaust valve protection and the front end of vacuum and exhaust pipe three through the connector; through the technical proposal, so according to the demand of crystal furnace positive pressure and negative pressure vacuum exhaust operation and operation. Can effectively avoid pipeline components caused by high temperature, vibration damage, so as to ensure the long crystal crystal furnace process, compact vacuum and exhaust pipe Convenient disassembly and maintenance.

【技术实现步骤摘要】
晶体炉的真空与排气管路结构
本技术涉及一种半导体晶体炉，特别是涉及一种晶体炉的真空与排气管路结构。
技术介绍
晶体炉是制造半导体晶体的专用设备，目前，有多种半导体晶体炉的晶体生长过程需要进行正压操作和抽真空操作，其正压操作压力可达1Mpa，其抽真空操作的真空绝压可达10torr，且目前半导体晶体炉设备大多体积较小，从设备强度设计考虑，不适宜设置过多设备开孔。由于在同一个晶体生长过程中，需要进行正压操作和抽真空操作，对于不耐正压的真空管路以及不耐负压的排气管路，提出了更高的改进要求。晶体炉内部需要维持一定正压的要求，因此排气管路具备微量排气的调节需求。在现有技术中，由于工艺正压操作压力较高，设备泄压排气速度过快，容易造成管路管件及设备内部内件震动，且晶体炉设备模块紧凑，炉内晶体生长时，高温也容易对管路阀门组件的软质密封件造成损坏。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种晶体炉的真空与排气管路结构，通过本技术方案，可以有效地满足真空管路的负压要求和排气管路的正压要求，并且整个真空与排气管路结构简洁紧凑，方便拆卸及维护。为了达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种晶体炉的真空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体炉的真空与排气管路结构，包括真空管路，其特征在于，包括进气口、排气管路、真空及排气管路三通件、真空保护阀、排气保护阀，所述进气口设置在所述真空及排气管路三通件的前端上，所述真空保护阀设置在所述真空管路的前端，所述真空及排气管路三通件安装在所述真空保护阀的前端上，所述排气保护阀设置在所述排气管路的前端，所述排气保护阀的前端与所述真空及排气管路三通件连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶体炉的真空与排气管路结构，包括真空管路，其特征在于，包括进气口、排气管路、真空及排气管路三通件、真空保护阀、排气保护阀，所述进气口设置在所述真空及排气管路三通件的前端上，所述真空保护阀设置在所述真空管路的前端，所述真空及排气管路三通件安装在所述真空保护阀的前端上，所述排气保护阀设置在所述排气管路的前端，所述排气保护阀的前端与所述真空及排气管路三通件连接。2.根据权利要求1所述的晶体炉的真空与排气管路结构，其特征在于，包括水冷盘，所述水冷盘设置在所述真空及排气管路三通件的前端与所述进气口连接处的位置上。3.根据权利要求1所述的晶体炉的真空与排气管路结构，其特征在于，包括安全阀、排气阀、微量...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾炟，赵彦乐，黄小华，陈龙，邱萍，仇春杰，
申请(专利权)人：上海森松新能源设备有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31