用于定制应用的动态近似存储制造技术

一种用于动态近似存储的存储器芯片包括与至少两个区域相关联的存储器单元阵列。芯片进一步包括至少一个阈值寄存器，用于存储与至少两个区域的每个区域对应的存储单元的阈值的值；以及控制逻辑，可编程地调节用于存储器单元的阈值的值。一种控制用于动态近似存储的存储设备的方法包括修改存储在阈值寄存器中且与包括至少两个区域的存储器的区域中的至少一个单元相关联的至少一个值，以为至少一个单元应用偏置，其中偏置调节单元中的值的范围。

Dynamic approximate storage for custom applications

A memory chip for dynamic approximate storage includes a memory cell array associated with at least two regions. The chip further includes at least one threshold register, a memory unit for each storage area and at least two areas of the threshold value; and control logic, programmable memory unit for adjusting the threshold value. A control method for storage device includes dynamic approximate storage stored in the register and modify the threshold and at least one memory unit includes at least at least two regions in an area associated with a value that at least one unit applied bias, the bias adjustment unit in a range of values.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于定制应用的动态近似存储
技术介绍
存储器和存储常在精确度(错误)、持久性、性能、能量效率与密度(容量)之间具有各种权衡。单级单元(SLC)存储器(例如动态随机存取存储器(DRAM)和一些形式的闪存)在每个单元中存储1位的数据。为了提供更高的密度，(例如闪存和相变存储器(PCM)可用的)多级单元(MLC)存储器将一个单元中的值范围细分为许多级以存储多于1位的数据。例如，闪存代表存储器单元的阈值电压的值，PCM代表存储器单元的电阻的值。由此，对于某些多级存储，单元允许的电阻范围越大，单元中可用于存储信息的级别数越高，从储存观点来看使得单元密度更大。也就是说，单元能够在每单位物理容积存储更多的信息。然而，关于权衡，对于在保持便宜、可靠的同时制作密度多大的单元存在限制。另外，单元密度越大，维持相同错误率需要的读写机制越精确。例如，对于固定的电阻范围，使用更多的级别数要求更精确的硬件以每次正确地读写这些单元。更精确的硬件意味着更高的成本；对于相同的硬件，在单元中存储更多的级别数会引发更高的读写错误率。其它电阻改变过程(例如PCM中的漂移)也影响读错误率。
技术实现思路
本文描述了动态近似存储和系统，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于动态近似存储的存储器芯片，包括：存储器单元阵列，所述阵列包括至少两个区域；至少一个阈值寄存器，所述至少一个阈值寄存器用于存储用于与所述至少两个区域中的每个区域相对应的存储器单元的阈值的值；以及控制逻辑，所述控制逻辑用以可编程地调节用于所述存储器单元的所述阈值的所述值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.27 US 14/633,7871.一种用于动态近似存储的存储器芯片，包括：存储器单元阵列，所述阵列包括至少两个区域；至少一个阈值寄存器，所述至少一个阈值寄存器用于存储用于与所述至少两个区域中的每个区域相对应的存储器单元的阈值的值；以及控制逻辑，所述控制逻辑用以可编程地调节用于所述存储器单元的所述阈值的所述值。2.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中所述存储器单元包括单级单元或多级单元中的至少一个，其中所述至少两个区域具有对应的至少两种类型的可用的纠错开销。3.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中阈值的所述值表示电阻阈值。4.根据权利要求3所述的存储器芯片，其中用于针对所述至少两个区域中的至少一个区域的所述存储器单元的所述电阻阈值指示对数标度电阻带中的非均匀性。5.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中阈值的所述值表示电压阈值。6.根据权利要求1所述的存储器芯片，进一步包括控制器，所述控制器提供各种纠错码，其中所述控制器存储区域至配置映射，以指示所述至少两个区域中的请求所针对的合适的区域和来自所述各种纠错码中的一个纠错码的用以服务于所述请求的合适的纠错强度。7.根据权利要求1所述的存储器芯片，进一步包括用于存储位模式表的至少一个位模式映射寄存器，所述位模式表将特定位模式映射至所述至少两个区域中的所述区域中的至少一个区域的多级单元中的特定级别，其中所述控制逻辑进一步包括用以可编程地指派被映射至所述特定级别的所述特定位模式的控制逻辑。8.一种控制用于动态近似存储的存储设备的方法，包括：修改被存储在阈值寄存器中并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·施特劳斯，L·H·塞泽，H·S·马尔瓦，郭青，
申请(专利权)人：微软技术许可有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US