The invention relates to a silicon substrate (10) comprises a humidity sensor (1), on the silicon substrate (10) is provided with a plurality of metal dielectric layer (16) and the metal layer, the dielectric layer (16) in each area is provided with a metal (18), wherein the metal layer (20) is etched to form two electrodes (22), each electrode comprises a plurality of armature arm, wherein the armature is mounted such that each of the armature arm to make cross arm positioning into facing each other. The sensor can include temperature or heating modules.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有热模块的湿度传感器
本专利技术涉及一种湿度传感器,该湿度传感器包括硅基板,在所述硅基板上布置至少多个金属间介电层以及金属层,金属间介电层中的每一个设置有金属区,其中所述金属层被蚀刻以形成两个电极,每一个电极包括设置有多个臂的电枢(armature),其中这些电枢被安装成使得每一个电枢的臂交错以使臂定位成彼此面对。
技术介绍
已知用于电子电路的湿度传感器。这种湿度传感器是具有叉指梳状物的湿度传感器。这种传感器由硅晶片基底构成,在该硅晶片基底上放置至少一个层间介电(ILD)层,并且在该层间层上放置多个金属间介电(IMD)层。这些层(优选三个)重叠,并且每一个包括用于导电的金属区。在这些金属间介电层的顶部上,形成用于叉指梳状物的导电层,其中该层可以由铝制成。然后对该铝层进行蚀刻以形成所述梳状物。一旦已经形成梳状物,则整个组件由钝化层覆盖。然后将该蚀刻的板存储,然后在第二阶段的生产中使用,在此期间准备使用。该第二阶段生产包括打开步骤,在该步骤期间,在梳状物的水平面处和在接触区域的水平面处蚀刻钝化层。钝化的该蚀刻步骤允许位于梳状物的不同分支之间的钝化层蚀刻。一旦该步骤已 ...
【技术保护点】
一种湿度传感器(1),包括硅基板(10),在所述硅基板(10)上布置有若干个金属间介电层(16)和金属层,所述金属间介电层(16)中的每一个设置有金属区(18),其中所述金属层(20)被蚀刻以形成两个电极(22),每一个电极包括设置有多个臂的电枢,其中这些电枢被安装成使得每一个电枢的所述臂交错以使臂定位成彼此面对,其特征在于,所述传感器还包括直接沉积在所述基板上的有源层(12),所述有源层(12)要被插入在所述基板和所述第一金属间介电层(16)之间,其中布置有温度模块(200),其中该温度模块(200)提供表示所述温度的信号。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.27 EP 15156949.81.一种湿度传感器(1),包括硅基板(10),在所述硅基板(10)上布置有若干个金属间介电层(16)和金属层,所述金属间介电层(16)中的每一个设置有金属区(18),其中所述金属层(20)被蚀刻以形成两个电极(22),每一个电极包括设置有多个臂的电枢,其中这些电枢被安装成使得每一个电枢的所述臂交错以使臂定位成彼此面对,其特征在于,所述传感器还包括直接沉积在所述基板上的有源层(12),所述有源层(12)要被插入在所述基板和所述第一金属间介电层(16)之间,其中布置有温度模块(200),其中该温度模块(200)提供表示所述温度的信号。2.根据权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于,所述温度模块(200)包括具有并联的两个双极晶体管(T1,T2)的温度检测器(210),每一个晶体管通过其基极以及其集电极连接到地,并且通过其发射极连接到被连接到电源的电流源(I1,I2)。3.根据权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于,所述温度模块(200)包括温度检测器(210),所述温度检测器(210)具有双极晶体管(T3),所述双极晶体管(T3)通过其基极及其集电极连接到地,并通过其发射极连接到被连接到电源的电流源(I3)和提供参考电压(VBG)的电压源(Uref)。4.根据权利要求2所述的湿度传感器,其特征在于,对于每一个双极晶体管(T1,T2),所述晶体管和电流源(I1,I2)之间的连接点处的所述基极-发射极电压(VBE1,VBE2)被提取以被引导到差分放大器(220),其中所述差分放大器执行所述两个晶体管的所述基极-发射极电压的差以提供表示所述温度的电压(VTEMP1)。5.根据权利要求3所述的湿度传感器,其特征在于,所述晶体管(T3)和所述电流源(I3)之间的所述连接点处的基极-发射极电压(VBE3)被提取以引导到差分放大器(220),其中所述差分放大器执行所述基极-发射极电压和所述参考电压(VBG)之间的差以提供表示所述温度的电压(VTEMP2)。6.根据权利要求2至5中任一项所述的湿度传感器,其特征在于,每一个晶体管(T1,T2,T3)包括p型硅衬底(120),形成在所述p型衬底上的n型阱(122),...
【专利技术属性】
技术研发人员:P·诺瓦克,
申请(专利权)人:EM微电子马林有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士,CH
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