射频功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种射频功率放大器，其包括：一偏压电路，电性连接一第一系统电压，该偏压电路用以接收一第一电流，且依据该第一电流提供一第二电流及一偏压电流；一输出级电路，电性连接该偏压电路，用以接收该偏压电流以工作在一工作偏压点；以及一射频补偿电路，电性连接该第一系统电压及该偏压电路，用以接收该第二电流，其中当该第一系统电压大于一工作电压区间时，该第一电流的电流值等于该第二电流的电流值，以使得该偏压电流为零电流，借此以达到过电压保护该射频功率放大器。

RF power amplifier

The invention discloses a radio frequency power amplifier includes a bias circuit is electrically connected to a first voltage, the bias circuit is used for receiving a first current, and on the basis of the first current provides a second current and a bias current; an output stage circuit is electrically connected to the bias circuit receiving the bias current to work in a job and a RF bias voltage; compensation circuit electrically connected to the first voltage and the bias circuit is used for receiving the current second, wherein the first system voltage is greater than a working voltage range, the current value of the first current current is equal to the current value of second. In order to make the bias current to zero current, to achieve overvoltage protection of the RF power amplifier.

【技术实现步骤摘要】
射频功率放大器本申请是申请人为日月光半导体制造股份有限公司，申请日为2013年6月13日，申请号为201310233233.1，专利技术名称为“射频功率放大器与电子系统”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术关于一种射频功率放大器，且特别是关于一种具有稳定的静态工作电流的射频功率放大器。
技术介绍
随着网际网络发达之后，人们习惯于快速大量地接受信息，特别是在近几年来无线通信科技的进步，个人移动产品，如移动电话、个人数字助理等产品，以相当惊人的速度普及之后，人们希望能够掌握即时信息外，还希望能有即时的线上支援。因此，结合网际网络与无线通信的无线区域网络(WirelessLocalAreaNetwork,WLAN)与第三代(3G)/第四代(4G)网络正是满足人们这样需求的一个方案。在无线通讯手持设备中，主要的直流功率消耗来自于射频功率放大器。因此，使射频功率放大器既能具有高线性度而不致让放大信号失真，并能同时具有高效率以延长通讯时间，一直是射频功率放大器设计的研究重点。尤其在无线通讯系统中所广为采用的正交频分多工(OFDM)数字调制技术具有明显的时变波包特性，其峰值与平均功率比值常数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频功率放大器，其特征在于，该射频功率放大器包括：一偏压电路，电性连接一第一系统电压，该偏压电路用以接收一第一电流，且依据该第一电流提供一第二电流及一偏压电流；一输出级电路，电性连接该偏压电路，用以接收该偏压电流以工作在一工作偏压点；以及一射频补偿电路，电性连接该第一系统电压及该偏压电路，用以接收该第二电流，其中当该第一系统电压大于一工作电压区间时，该第一电流的电流值等于该第二电流的电流值，以使得该偏压电流为零电流，借此以达到过电压保护该射频功率放大器。

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，该射频功率放大器包括：一偏压电路，电性连接一第一系统电压，该偏压电路用以接收一第一电流，且依据该第一电流提供一第二电流及一偏压电流；一输出级电路，电性连接该偏压电路，用以接收该偏压电流以工作在一工作偏压点；以及一射频补偿电路，电性连接该第一系统电压及该偏压电路，用以接收该第二电流，其中当该第一系统电压大于一工作电压区间时，该第一电流的电流值等于该第二电流的电流值，以使得该偏压电流为零电流，借此以达到过电压保护该射频功率放大器。2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其中该偏压电路包括：一第一电阻，其一端连接该第一系统电压，该第一电流流经该第一电阻；一第一晶体管，其基极连接该第一电阻的另一端，其集极连接该第一系统电压，其射极连接该输出级电路；以及一第二晶体管，其集极连接该第一晶体管的基极，其射极连接一接地电压，其基极连接该第一晶体管的该射极。3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其中该偏压电路包括:一第二电阻，其一端连接该第一晶体管的射极，其另一端连接该第二晶体管的基极；以及一第三电阻，其一端连接该第一晶体管的射极，其另一端连接该输出级电路。4.如权利要求3所述的射频功率放大器，其中:该偏压电路包括一第三电流，该第三电流等于该第一电流减去该第二电流：该输出级电路包括：一输出晶体管，其基极连接该第三电阻的另一端，其射极连接该接地电压；以及一集极电阻，其一端连接一第二系统电压，其另一端连接该输出晶体管的集极，其中当该输出晶体管的射极面积为该第二晶体管的射极面积的N倍时且该第二电阻的电阻值为该第三电阻的电阻值的N倍时，则该输出晶体管的静态工作电流为N倍的该第三电流，其中N为大于1的有理数。5.如权利要求4所述的射频功率放大器，其中该射频补偿电路包括：一第四电阻，其一端连接该接地电压；一第五电阻，其一端连接该接地电压；一第六电阻，其一端连接该接地电压；一第三晶体管，其射极连接该第四电阻的另一端，其基极连接该第五电阻的另一端；一第四晶体管，其射极连接该第六电阻的另一端，其基极连接该第三晶体管的基极；一第七电阻，其一端连接该第五电阻的另一端，其中该第五电阻的电阻值为该第七电阻的电阻值的三倍，并且该第四电阻与该第六电阻的电阻值小于该第七电阻的电阻值；一第五晶体管，其射极连接该第四晶体管的集极，其集极连接该第一电阻的另一端以接收该第二电流；一第六晶体管，其射极连接该第七电阻的另一端，其基极连接该第五晶体管的基极与该第三晶体管的集极，其集极连接该第一系统电压；以及一第八电阻，其一端连接该第三晶体管的集极，其另一端连接该第一系统电压，其中通过调整该第八电阻与该第一电阻之间的阻值比例来使得该静态工作电流为接近或等于零温度系数的电流。6.一种射频功...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁兆明，牟家宏，张欣晴，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71