干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具技术
Thermal reactive resist material for dry etching, manufacturing method and die for die
Micro concave convex structure (10) with an etch layer (11) and arranged on the etching layer (11) on the dry etching by the thermal reaction type resist material resist layer (12), and is formed in the photoresist layer (12) the opening part (12a) bump the corresponding structure formed in the etching layer (11), pattern spacing P fine pattern concave convex structure is 1nm above 10 m, the micro pattern depth of H is more than 1nm below 10 m, and the pattern of section shape fine pattern to trapezoidal or triangular or they are mixed. The reactive thermal resist material for dry etching is composed of at least 1 types of free Cu, Nb, Sn and Mn, their oxides and nitrides, and at least components of the group.
【技术实现步骤摘要】
干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具本申请是基于以下中国专利申请的分案申请：原案申请日：2013年01月24日原案申请号：201380006584.7(PCT/JP2013/051432)原案申请名称：微细凹凸结构体、干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具
本专利技术涉及微细凹凸结构体、干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、使用其的模具的制造方法及模具。
技术介绍
近年来，在半导体、光学·磁记录等领域中，随着高密度化、高集成化等的要求增高，数百nm～数十nm程度以下的微细图案加工技术成为必须。因此，为了实现这些微细图案加工，正盛行研究掩模·步进式光刻、曝光、干式蚀刻、抗蚀剂材料等各工序的核心技术。例如，正研究：在掩模·步进式光刻的工序中，使用被称作相移掩模的特殊掩模、对光赋予相位差，通过干涉的效果提高微细图案加工精度的技术；在步进式光刻用棱镜和晶圆之间填充液体、使通过棱镜的光大幅折射，从而使微细图案加工成为可能的液浸技术等。然而，前者掩模开发中需要很大的成本，后者需要高昂的装置等，制造成本的削減非常困难。另一方面，在抗蚀剂材料方面进行着较多的研究...
【技术保护点】
一种干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料，其特征在于，是用于使用氟原子数与碳原子数之比(F/C)为3以下、或2.7以下的氟系气体形成微细凹凸结构体的抗蚀剂层的干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料，其以选自由Cr、Fe、Co、Al、Ga、In、Hf和Pb以及它们的氧化物和氮化物所组成的组中的至少1种作为主要构成要素，所述微细凹凸结构体具备蚀刻层，和设置于所述蚀刻层上的由所述干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料构成的抗蚀剂层，与形成于所述抗蚀剂层中的开口部相对应的凹凸结构形成于蚀刻层中，所述凹凸结构的微细图案的图案间距P为1nm以上10μm以下，所述微细图案的图案深度H为1nm以上10μm以下，并且，...
【技术特征摘要】
2012.01.27 JP 2012-014820;2012.06.05 JP 2012-128271.一种干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料，其特征在于，是用于使用氟原子数与碳原子数之比(F/C)为3以下、或2.7以下的氟系气体形成微细凹凸结构体的抗蚀剂层的干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料，其以选自由Cr、Fe、Co、Al、Ga、In、Hf和Pb以及它们的氧化物和氮化物所组成的组中的至少1种作为主要构成要素，所述微细凹凸结构体具备蚀刻层，和设置于所述蚀刻层上的由所述干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料构成的抗蚀剂层，与形成于所述抗蚀剂层中的开口部相对应的凹凸结构形成于蚀刻层中，所述凹凸结构的微细图案的图案间距P为1nm以上10μm以下，所述微细图案的图案深度H为1nm以上10μm以下，并且，所述微细图案的图案截面形状为梯形或三角形或者它们混合存在，所述图案截面形状满足式(1)，式(1)0≤B1＜T0＝T1＜10μmT0：干式蚀刻前的所述抗蚀剂层的开口部的宽度T1：干式蚀刻后形成于所述蚀刻层的凹部的最高部侧的宽度B1：干式蚀刻后形成于所述蚀刻层的凹部的最深部侧的宽度。2.根据权利要求1所述的干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料，其特征在于，所述氟系气体含有以下(1)～(3)的气体中的任一种，(1)氟原子数与碳原子数之比(F/C)为3以下、或2.7以下的CHF3、CH2F2、C2F6、C3F8、C4F6、C4F8、C4F10、C5F10、CCl2F2、CF3I、CF3Br、CHF2COF、CF3COF及它们的混合气体；(2)向(1)中所述的气体中添加CF4、SF6，使氟原子数与碳原子数之比(F/C)为3以下、或2.7以下的混合气体；(3)向(1)或(2)中所述的气体中添加O2、H2、Ar、N2、CO、HBr、NF3、HCl、HI、BBr3、BCl3、Cl2、SiCl4而成的混合气体。3.根据权利要求1或2所述的干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料，其特征在于，含有Cr的氧化物和添加材料，所述Cr的氧化物由CrOX(0＜X＜3)形成，所述添加材料含有选自不与所述CrOX(0＜X＜3)形...
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