一种显示面板、阵列基板及其制造方法技术

技术编号:16398620 阅读:43 留言:0更新日期:2017-10-17 19:16
本发明专利技术公开了一种显示面板、阵列基板及其制造方法。制造方法包括:提供一基板;在基板上设置薄膜晶体管;在薄膜晶体管上设置R、G、B以及W色阻层;在R、G、B以及W色阻层上设置平坦层,并通过多段差掩膜工艺形成厚度不同的第一保护层、间隔层以及开孔。因此,本发明专利技术通过一道工序形成了第一保护层、间隔层以及开孔,节省了制程工序,从而达到简化制程的目的,另外,本发明专利技术还制作了W色阻层,从而可以增加透过率和亮度。

Display panel, array substrate and manufacturing method thereof

The invention discloses a display panel, an array substrate and a manufacturing method thereof. The manufacturing method comprises: providing a substrate; a thin film transistor is arranged on the substrate; R, G, B and W color resistance layer is arranged on the thin film transistor; a planarization layer is provided in R, G, B and W color layer, and through multi segment difference mask formation process of different thickness of the first protective layer, interval layer and hole. Therefore, the invention forms a first protective layer, spacer layer and hole through a process, saves the working process, so as to simplify the process, in addition, the invention also produced a W color resistance layer, which can increase the transmission rate and brightness.

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
,尤其是涉及一种显示面板、阵列基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示面板通常包括彩膜基板、阵列基板以及填充于彩膜基板和阵列基板之间的液晶,形成液晶盒,其中彩膜基板用于实现彩色画面的显示。COA(Color-filteronArray)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术,现有技术的COA基板制作包括M1(栅极层)-GI-AS(半导体层)-M2(源极和漏极)-PV1(保护层)-R/G/B(色阻层)-PV2(保护层)-ITO(像素电极),且彩膜基板还有BM/PS(黑矩阵及间隔层)两道制程共9-10道mask黄光制程,新技术BPS(黑矩阵及间隔层)利用将BM(黑矩阵)和PS(间隔层)合成一道节省一道BM制程且用PFA(Polyfluoroalkoxy,四氟乙烯)透明光阻材料代替PV2,也需要M1(栅极层)-GI-AS(半导体层)-M2(源极和漏极)-PV1(保护层)-R/G/B(色阻层)-PV2(保护层)-ITO(像素电极)BPS8-9道Mask黄光制程,工艺繁琐。并且,现有技术的彩膜基板不含有白色滤光膜,近本文档来自技高网...
一种显示面板、阵列基板及其制造方法

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一基板;在所述基板上设置薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上设置R、G、B以及W色阻层;在所述R、G、B以及W色阻层上设置平坦层,并通过多段差掩膜工艺形成厚度不同的第一保护层、间隔层以及开孔。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一基板;在所述基板上设置薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上设置R、G、B以及W色阻层;在所述R、G、B以及W色阻层上设置平坦层,并通过多段差掩膜工艺形成厚度不同的第一保护层、间隔层以及开孔。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述在所述基板上设置薄膜晶体管包括:在所述基板上依次层叠设置栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源极层和漏极层以及第二保护层;其中,所述开孔露出所述源极层或漏极层;所述方法还包括:在所述平坦层上设置像素电极,并通过所述开孔与所述漏极层或源极层电连接。3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述在薄膜晶体管上设置R、G、B以及W色阻层包括:在所述第二保护层上依次间隔设置R、G、B以及W色阻层,所述R、G、B以及W色阻层位于同一层,同时在两色阻层之间将所述R、G以及B色阻层中的至少两个通过半色调掩膜法形成黑色矩阵层。4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述间隔层包括主间隔层;所述通过多段差掩膜工艺形成第一保护层、间隔层以及开孔包括:提供一掩膜板,所述掩膜板的第一区域、第二区域以及第三区域分别具有第一透光率、第二透光率以及第三透光率;通过所述掩膜板对所述平坦层进行图案化,以在对应的区域分别形成不同厚度的第一保护层、主间隔层以及开孔。5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述间隔层还包括辅间隔层,所述掩膜板的第四区域具有第四透光率;所述方法包括:在通过所述掩膜板对所述平坦层进行图案化时,所述平坦层在对应所述第四区域的位置进一步形成厚度不同于所述第一保护层、主间隔层以及开孔的所述辅间隔层...

【专利技术属性】
技术研发人员:贺晖
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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